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Book Contribution l tude de la diffusion des atomes de bore dans le silicium

Download or read book Contribution l tude de la diffusion des atomes de bore dans le silicium written by Jean Bodinaud and published by . This book was released on 1972 with total page 138 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA DIFFUSION ASSISTEE DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION A CHAUD

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA DIFFUSION ASSISTEE DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION A CHAUD written by Jean-Jacques Aubert and published by . This book was released on 1982 with total page 117 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE PORTE SUR LA DIFFUSION ASSISTEE DU BORE PAR IMPLANTATION A CHAUD. LORS DE L'IMPLANTATION, LES COUCHES IMPLANTEES SONT AMORPHISEES ET IL EST NECESSAIRE D'EFFECTUER DES RECUITS POST IMPLANTATION POUR RESTAURER LE CRISTAL ET ELIMINER LES DEFAUTS. DANS L'IMPLANTATION, LES SUBSTRATS PORTES IN SITU A HAUTE TEMPERATURE, LES DEFAUTS ASSISTENT LA DIFFUSION. ON MONTRE QUE LA CREATION D'UN COMPLEXE BORE DEFAUT EST RESPONSABLE DE L'AVANCEE ANORMALE DE JONCTION. L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES QUI DANS LE CAS CLASSIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES ELEVEES ET DES TEMPS LONGS ATTEINT 30% PENDANT L'IMPLANTATION ELLE-MEME. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SONT EXPLIQUES PAR UN MODELE PHYSIQUE CONSISTANT EN LA RESOLUTION SIMULTANEE DES EQUATIONS DE DIFFUSION DU BORE SUBSTITUTIONNEL, DES LACUNES ET DES COMPLEXES BORE-LACUNE

Book Contribution l tude des anomalies de diffusion dans le Silicium

Download or read book Contribution l tude des anomalies de diffusion dans le Silicium written by Elchuri Rao and published by . This book was released on 1972 with total page 150 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution l tude de la diffusion des impuret s dopantes dans le silicium

Download or read book Contribution l tude de la diffusion des impuret s dopantes dans le silicium written by Pascal Normand and published by . This book was released on 1992 with total page 274 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX

Book Contribution l tude des m canismes de diffusion du phosphore dans le silicium

Download or read book Contribution l tude des m canismes de diffusion du phosphore dans le silicium written by and published by . This book was released on 1973 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution l tude des propri t s lectriques du silicium contenant du bore

Download or read book Contribution l tude des propri t s lectriques du silicium contenant du bore written by Jean-F.. Le Hir and published by . This book was released on 1960 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution la mod lisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium

Download or read book Contribution la mod lisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium written by Eric Vandenbossche and published by . This book was released on 1994 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.

Book Contribution l tude des m canismes de diffusion du phosphore dans le silicium

Download or read book Contribution l tude des m canismes de diffusion du phosphore dans le silicium written by Gérald Chambert and published by . This book was released on 1973 with total page 156 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution l tude des ph nom nes de recombinaison et de diffusion dans le silicium

Download or read book Contribution l tude des ph nom nes de recombinaison et de diffusion dans le silicium written by André Fortini and published by . This book was released on 1959 with total page 45 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Contribution l tude de la diffusion des dopants dans le silicium

Download or read book Contribution l tude de la diffusion des dopants dans le silicium written by Daniel Mathiot and published by . This book was released on 1983 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES PRINCIPAUX POINTS DU MODELE DEVELOPPES SONT LES SUIVANTS: LA DIFFUSION EST ASSISTEE PAR LES DEUX TYPES DE DEFAUTS PONCTUELS INTRINSEQUES (LACUNES ET AUTOINTERSTITIELS), PAR L'INTERMEDIAIRE DE PAIRES IMPURETE-DEFAUT EN EQUILIBRE LOCAL AVEC LES IMPURETES ET DEFAUTS ISOLES; POUR UNE CONCENTRATION EN DONNEURS SUPERIEURE A 10**(20) CM**(-3), UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION A LIEU A CAUSE DE LA PERCOLATION DES LACUNES DANS LES AMAS D'IMPURETES EN POSITION DE 5EME VOISINS DANS SI; POUR LES FORTES CONCENTRATIONS DE B ET AS, LA DIFFUSION EST FREINEE PAR LA PRESENCE DE COMPLEXES NEUTRES ET IMMOBILES; LES RECOMBINAISONS BIMOLECULAIRES ENTRE DEFAUTS ONT LIEU PAR REACTION DIRECTE ENTRE LACUNES ET AUTOINTERSTITIELS, ET PAR L'INTERMEDIAIRE DES PAIRES IMPURETE-DEFAUT. CE MODELE PERMET DES SIMULATIONS NUMERIQUES PRECISES AUSSI BIEN EN ATMOSPHERE NEUTRE QUE POUR DES RECUITS OXYDANTS

Book Contribution l tude des ph nom nes de diffusion de l aluminum dans le silicium

Download or read book Contribution l tude des ph nom nes de diffusion de l aluminum dans le silicium written by and published by . This book was released on 2000 with total page 129 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: