Download or read book Contribution l tude de l ordre local et de son influence sur les propri t s lectroniques dans les alliages silicium hydrog ne amorphes written by Remy Mosseri and published by . This book was released on 1979 with total page 114 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book A Theoretical Study of the Response in Atomic and Molecular Systems to Time dependent External Fields written by Ingjald Pilskog and published by . This book was released on 2011 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse concerne l'étude théorique de la réponse des systèmes atomiques et moléculaires soumis à des champs externes dépendants du temps. Il aborde principalement deux sujets: l'étude (i) d'atomes de lithium dans des états de Rydberg soumis à des champs électriques et magnétiques dépendants du temps et (ii) des processus de capture de deux électrons dans les collisions ion-molécule. Ces deux sujets sont présentés dans deux chapitres distincts, précédés par un chapitre d'introduction commun qui définit les travaux de recherche présentés dans un contexte plus large, et suivis par quelques remarques finales. Dans la dernière partie, quatre articles basés sur les travaux de thèse sont présentés: les deux premiers (Pap. 5.1 et 5.2 sont publiés) concernent le premier sujet, les deux derniers (Pap. 5.3 et 5.4 sont soumis), concernant le second. Par ailleurs, deux articles qui ne sont pas commentés dans la thèse, mais publiés au cours de la thèse, sont inclus à la fin. Le premier est relatif à l'étude de la structure et la dynamique d'anneaux quantiques, Pap. 5.5. Le second concerne la stabilisation de l'ionisation des atomes de Rydberg dans des champs extérieurs intenses, Pap. 5.6. L'objectif principal de l'étude des atomes de Lithium dans des états de Rydberg a été de découvrir les mécanismes fondamentaux de la dynamique intra- ouche qui sont induits par des champs électriques polarisés circulairement et linéairement. Pap. 5.1 examine la dynamique non-hydrogénoïde dans les atomes de Rydberg du lithium, tandis que l'accent du deuxième document, Pap. 5.2 est la dynamique hydrogénoïdes. Le travail théorique concerne l'intreprétation d'une série d'expériences effectuées à l'Université d'Aarhus et à l'Université de Bergen. Les atomes de Rydberg qui sont étudiés sont des atomes de lithium dans la couche n = 25, plus précisément l'état cohérent elliptique (CES) et les deux voisins états elliptiques quasi cohérents (qCES). Ces états sont sélectionnés pour leurs propriétés classiques. Les systèmes sont traités avec une méthode semi-classique et dans l'approximation du coeur gelé, c'est à dire que les champs sont décrits classiquements et l'électron actif est traité de façon quantique. La dynamique a été étudiée pour deux ensembles de champs. Le premier ensemble est divisé en deux parties, un interrupteur électrique avec et sans un champ électrique rotatif dans le régime de la radio-fréquence, et les résultats sont présentés dans le Pap. 5.1. La deuxième série est basée sur un champ polarisé linéairement également dans le régime de la radio-fréquence et est présentée dans le Pap. 5.2.Cette thèse présente en détail l'analyse théorique des oscillations régulières qui sont observées dans les transitions intra-couches. Ceci est présenté dans le Pap. 5.1. En résolvant l'équation de Schrödinger dépendante du temps pour le problème, il est montré que la dynamique est fortement influencée par le noyau non hydrogénoïde qui brise la symétrie du problème Coulombien. Le système est d'abord étudié sans le champ RF harmonique. Cette étude montre qu'un champ variant lentement conduit au plus bas énergiquement des deux qCES initiaux, grâce à deux croisements évités avec son voisin le plus proche énergétiquement. Les oscillations observées sont dues à une différence de phase qui se développe entre les deux niveaux entre le premier et le second croisements évités. Les calculs montrent que la dynamique se réduit à un système à deux niveaux entre les plus bas qCES et ses plus proches voisins. Sur cette base, un modèle quantique à deux niveaux est présenté et les oscillations sont qualitativement reproduites par le modèle Rosen-Zener. Lorsque le champ RF harmonique est appliqué des oscillations supplémentaires sont observées. Il est également démontré que ces oscillations peuvent être reproduites par un modèle quantique à deux niveaux. Il est montré que les oscillations sont les "vestiges" d'interférences qui existent en partie en raison d'une différence de phase qui se développe entre les deux niveaux quand ils passent par deux résonances à un photon consécutives et en partie due à un changement de la phase de l'enveloppe de la perturbation. L'étude qui est présentée dans le Pap. 5.2 étudie les résonances dans la probabilité adiabatique qui apparaît quand le champ RF augmente. L'objectif de l'étude concerne la dynamique hydrogénoïde conduisant à la suppression des résonances en fonction de l'excentricité de l'état initial. L'excentricité de l'état initial est défini par l'intermédiaires des champs électriques et magnétiques, constants. Une théorie basée sur les travaux de Kazansky et Ostrovsky est utilisée pour modéliser cette suppression de façon qualitative. Cette théorie exploite la symétrie de l'atome d'hydrogène pour réduire le problème à deux particules de spin-1/2 en champs magnétiques. Le modèle qui est présenté dans la thèse prédit correctement la suppression des résonances à photons N, où N est le nombre de photons. L'étude des atomes de Rydberg a montré qu'il est possible de sélectionner des états quasi-classiques des atomes de lithium. En réglant finement les champs externes dépendants du temps, il est possible de contrôler la transition de l'état initial à son voisin énergique. Cette étude a été réalisée avec des atomes de lithium, mais il devrait être également valable pour les métaux alcalins plus lourds. La deuxième partie de la thèse présente une méthode non-perturbative pour calculer les sections efficaces de processus électroniques survenant lors de collisions ionmolécule. La méthode est développée pour étudier la dynamique de systèmes à deux électrons en régime d'énergie intermédiaire, où de nombreuses voies de réaction sont ouvertes. La méthode est présentée en détail dans le Pap. 5.3 qui a été soumis pour publication. Il s'agit d'un traitement théorique des processus multi-électroniques qui se produisent au cours de collisions entre un ion et une molécule diatomique. L'approche est basée sur le développement de la fonction d'onde sur les états asymptotiques monoou multi-centriques avec les bonnes conditions de translation et elle prend en compte la corrélation électronique à la fois statique et dynamique. La méthode a donc un large domaine d'application autour des vitesses d'impact intermédiaires vp ≈ ve, où ve est la vitesse classique de l'électron dans l'état initial. Une première application de ce code est également inclus dans Pap. 5.3: il concerne l'étude des processus de transfert électronique simple et double lors des collisions He2+-H2. Une discussion générale de ces deux processus sont inclus et un accent particulier est placé sur les sections efficaces pour la capture d'électrons vers les états auto-ionisants de l'hélium.Cet accent est lié à une expérience récente d'interférométrie de type fentes d'Young effectuée par Chesnel et collaborateurs au GANIL, Caen, France. Le but de cette expérience, qui a d'abord été proposée par Barrachina et Žitnik, est de mesurer les effets d'interférences causées par un seul électron en interaction avec deux protons, qui jouent le rôle des fentes. Pour gagner un plus grand contrôle de l'expérience et acquérir une meilleure compréhension de la physique fondamentale sous-jacente, il a été proposé d'étendre l'étude vers des vitesses d'impact inférieures. Les calculs présentés dans le Pap. 5.3 montrent que ce n'est pas faisable pour des projectiles He2+, puisque les sections efficaces de double capture vers les états autoionisants sont beaucoup trop petites pour assurer un taux de détection significatif.Pour cette raison, nous avons étudié deux autres systèmes, Li3+-H2 et B5+-H2 (Pap. 5.4). Cette thèse présente et discute les processus de capture simple et double pour ces deux systèmes de collision. Les sections efficaces pour ces processus sont présentées pour sept vitesses d'impact différentes et l'importance relative des différentes voies de réaction est discutée en fonction de l'énergie d'impact. La discussion est soutenue par l'analyse des probabilités de transition semi-classiques en fonction du paramètre d'impact. Le Pap. 5.4 présente une étude détaillée des sections efficaces partielles (état-à-état) de double capture vers les états doublement excités pour les trois systèmes de collision. Une méthode pour obtenir et identifier les états doublement excités est présentée et les résultats sont comparés avec les études précédentes lorsque des résultats sont disponibles. La thèse contient également une analyse de la faisabilité de l'expérience d'interférométrie à un électron à basse vitesse pour les deux systèmes de collision considérés.

Download or read book Development characterization and modeling of interfaces for high efficiency silicon heterojunction solar cells written by Renaud Varache and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'interface entre le silicium amorphe (a-Si:H) et le silicium cristallin (c-Si) est un constituent clés de cellules solaires à haut rendement reposant sur des procédés à basse température. Trois propriétés de l'interface déterminent le rendement des cellules solaires à hétérojonction de silicium: les décalages de bandes entre a-Si:H et c-Si, les défauts d'interface et la courbure de bande dans c-Si. Ces trois aspects sont traités dans ces travaux de thèse.Dans un premier un temps, un calcul analytique de la courbure de bande dans c-Si est développé. Il repose sur l'approximation d'une densité d'état (DE) constante dans la bande interdite de a-Si:H. L'influence des principaux paramètres de la structure sur la courbure de bande est étudiée : décalage de bande, densité d'état dans a-Si:H, défaut d'interface, etc. La présence d'un effet de confinement quantique est discutée. Grâce à une comparaison entre ces calculs et des mesures de conductance planaire en fonction de la température sur des structures (p)a-Si:H/(n)c-Si et (n)a-Si:H/(p)c-Si, les décalages de bande de valence et de conduction ont pu être estimés à 0.36 eV et 0.15 eV respectivement. En outre, il est montré que le décalage de la bande de valence est indépendant de la température, alors que le décalage de la bande de conduction suit les évolutions des bandes interdites de c-Si et a-Si:H. Ces mesures tendent à prouver que le 'branch point' dans a-Si:H est indépendant du dopage.Ensuite, les calculs analytiques sont approfondis pour prendre en compte différents aspects de la structure complète incorporée dans les cellules : contact avec un oxyde transparent conducteur, présence d'une couche de a-Si:H non-dopée à l'interface. A l'aide de simulations numériques et à la lumière de mesures de conductance planaire conjuguées à des mesures de la qualité de passivation de l'interface, des pistes pour optimiser les cellules à hétérojonction sont commentées. En particulier, il est montré qu'un optimum doit être trouvé entre une bonne passivation et une courbure de bande suffisante. Ceci peut être accompli par un réglage fin des propriétés de la couche tampon (épaisseur, dopage), du contact (travail de sortie élevé) et de l'émetteur (p)a-Si:H (densité de défauts et épaisseur). En particulier, un émetteur avec une DE importante conduit paradoxalement à de meilleures performances.Enfin, un nouveau type d'interface a été développé. La surface de c-Si a été oxydée volontairement dans de l'eau pure dé-ionisée à 80 °C avant le dépôt de (p)a-Si:H afin d'obtenir une structure (p)a-Si:H/SiO2/(n)c-Si. A l'aide d'un modèle de courant par effet tunnel implémenté dans le logiciel de simulation numérique AFORS-HET, l'effet d'une couche à grande bande interdite (comme c'est le cas pour SiO2) sur les performances de cellules est étudié : le facteur de forme et le courant de court-circuit sont extrêmement réduits. En revanche, une couche de SiO2 n'a que peu d'impact sur les propriétés optiques de la structure. Expérimentalement, les échantillons réalisés montrent une qualité de passivation à mi-chemin entre le cas sans couche tampon et le cas avec (i)a-Si:H : ceci est expliqué par la présence d'une charge fixe négative dans l'oxyde. La courbure de bande dans c-Si est moins affectée par la présence d'une couche d'oxyde que d'une couche de (i)a-Si:H. Les cellules solaires réalisées démontrent que le concept a le potentiel d'aboutir à de hauts rendements : sur des structures non-optimisées, une tension de court-circuit supérieure à 650 mV a été démontrée, alors que l'oxyde ne semble pas limiter le transport de charge.

Download or read book Dynamics of Multi photon Processes in Semiconductor Heterostructures written by and published by . This book was released on with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La présente thèse est dédiée à l'étude de la dynamique des processus à plusieurs photons dans les hétérostructures à semi-conducteurs. Une description de la dépendance temporelle est importante pour une compréhension détaillée de la réponse transitoire de semi-conducteurs excités par des impulsions optiques ultracourtes. Dans la première partie de la thèse, nous développons un modèle phénoménologique basé sur un ensemble d'équations de bilan, afin d'étudier le gain à deux photons dégénérés dans une microcavité à semi-conducteurs. L'amplification prédite par le modèle est relativement faible (~2%) et limitée principalement par la relaxation intra-bande des porteurs, qui débouche sur une saturation rapide. Dans la seconde partie, nous développons une théorie générale pour la dynamique des processus à plusieurs photons dans les semi-conducteurs. Elle permettra d'accéder à des effets complexes, liés à la cohérence entre les bandes, qui ne sont pas inclus dans les habituels coefficients d'absorption ou susceptibilités. Dans ce contexte, nous dérivons un ensemble d'équations de Bloch effectives à plusieurs bandes, incluant des processus résonants à plusieurs photons induits par deux impulsions électromagnétiques linéairement polarisées, de fréquence ω1 et ω2, avec ħω1 et 2ħω2 proches de l'énergie de la bande interdite (ou "gap"). L'approche proposée présente essentiellement deux avantages. Premièrement, la description de la dynamique est restreinte à un nombre limité de bandes. Toutefois, les bandes éliminées ne sont pas négligées, mais includes de manière consistante dans les processus d'ordre supérieur. Deuxièmement, toutes les quantités apparaissant dans les équations de Bloch effectives varient sur la même échelle de temps, ce qui permet une intégration numérique beaucoup plus efficace. Le courant de polarisation dépendant du temps, ainsi que certaines susceptibilités, sont dérivés de manière consistante avec les approximations précédentes, et sont discut.

Download or read book Dynamics of electrons in 2D materials written by Sami Siraj-Dine and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Au cours de cette thèse, nous avons proposé des méthodes théoriques et numériques pour étudier le comportement des électrons dans les matériaux périodiques, avec un intérêt particulier pour les matériaux 2D, comme le graphène, et les isolants topologiques. La thèse se compose de trois parties, organisées comme suit. La première partie fournit un algorithme simple et doté d'une preuve mathématique pour construire des fonctions Wannier localisées, avec pour seule condition que le système ait des nombres de Chern triviaux. Sur la base d'une preuve explicite et constructive des homotopies pour le groupe unitaire, l'algorithme permet de construire des Wannier localisés pour des isolateurs topologiques tels que le modèle Kane-Mele. La méthode est validée par des tests numériques pour plusieurs systèmes. Dans la deuxième partie, nous proposons une méthode d'approximation des fonctions de Wannier adaptée au calcul des Hamiltoniens de tight-binding dans les hétérostructures de van der Waals non périodiques, c'est-à-dire des couches de matériaux 2D empilées les unes sur les autres, liées entre elles par des forces de van der Waals relativement faibles. Ce cadre n'est pas adapté pour les outils de calcul habituels de la physique des solides, qui reposent sur la périodicité des cristaux. Dans ce contexte, une approximation du premier ordre consiste à considérer les fonctions de Wannier calculées sur chaque couche indépendamment. Nous proposons donc un schéma d'approximation pour les fonctions de Wannier qui permet un calcul efficace des coefficients de matrice tight-binding, même dans le cas non périodique. La troisième partie est théorique et consacrée à l'étude des électrons indépendants à l'état fondamental dans un cristal périodique, mis en mouvement par un champ électrique uniforme à l'instant initial. Nous définissons rigoureusement le courant par unité de volume et étudions ses propriétés en utilisant à la fois la réponse linéaire et la théorie adiabatique. Nos résultats fournissent un cadre unifié pour divers phénomènes tels que la quantification de la conductivité de Hall des isolants topologiques, le régime balistique des électrons dans les métaux, les oscillations de Bloch dans la réponse en temps long des métaux et la conductivité statique du graphène.

Download or read book Theory of X Ray Diffraction in Crystals written by William H. Zachariasen and published by Dover Publications. This book was released on 2004 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This classic by one of the great figures in x-ray structure analysis provides a vigorous mathematical treatment of its subject. Addresses such fundamentals as crystal faces and edges, the lattice postulate, lattice rows and panes, as well as point, translation, and space groups. 1945 edition.

Download or read book ZnO Thin Films written by Paolo Mele and published by . This book was released on 2019 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Download or read book The Optical Principles of the Diffraction of X rays written by R. W. James and published by . This book was released on 1967 with total page 664 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Crystal Physics written by German Stepanovich Zhdanov and published by . This book was released on 1965 with total page 540 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Electrical Properties of Solids written by T. F. Connolly and published by Springer Science & Business Media. This book was released on 2012-12-06 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Since 1963 the Research Materials Information Center has been answering inquiries on the availability, preparation, and properties of ultrapure inorganic research specimens. It has been possible to do this with reasonable efficiency by searching an automated coded microfilm collection of the report and open literature and of data sheets and question naires provided by commercial and research producers of pure materials. With the growth of the collection to over 70,000 documents and the increase in the demand for more general background information, it has been necessary to compile bibliographies on an increasing variety of subjects. These have been used as indexes to the microfilmed documents for more efficient searching, and in the past distributed in response to individual requests. However, their size and number no longer permit so casual and uneconomic a method of distribution. The "ORNL Solid State Physics Literature Guides" is a practical alternative. Organization The subject organization of the bibliography is given by the Table of Contents. Each section is preceded by a collection of reviews, bibliographies, and "general" papers (i.e., those dealing with methods or equipment rather than single materials, or with such a wide variety of materials that no subsection was appropriate). Coverage is generally from 1960 to mid-1970. Emphasis is on inorganic materials.