Download or read book Contribution l optimisation d une technologie de composants hyperfr quences r alis s en carbure de silicium SIC written by Anne-Sophie Royet and published by . This book was released on 2000 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Optimisation des tapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium written by Heu Vang and published by . This book was released on 2006 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'électricité est aujourd'hui l'énergie la plus utilisée de part le monde. L'électronique de puissance est au coeur de la gestion de l'électricité. La majorité des systèmes de puissance utilise de nos jours des composants actifs en silicium. Avec les nouvelles contraintes, des tensions plus élevées, des faibles pertes, l'encombrement, les hautes températures, le silicium a atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande interdite qui présente des propriétés physiques et électriques à celles du silicium pour les composants de puissance. Les différents travaux à travers le monde démontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine génération des composants de puissance. Ainsi les premiers composants SiC sont disponibles sur le marché depuis 2002 et les premiers systèmes hybrides Si/SiC permettent de mettre en évidence les avantages de cette nouvelle technologie. Le travail réalisé au cours de cette thèse a permis de mettre en place une base pour la technologie de fabrication de composants de puissance en SiC. Plusieurs étapes technologiques nécessaires à la fabrication de dispositifs SiC ont été optimisées. La gravure plasma du SiC avec un réacteur RIE et la formation du contact ohmique le SiC de type P ont été étudiées plus amplement. Ainsi, le procédé de gravure optimisé permet une vitesse de gravure de 0,35 æm/min avec un plasma SF6/O2, il est alors possible avec un masque de nickel de réaliser des structures mesas avec des profondeurs supérieures à 10 æm. Ensuite, une métallisation Ni/Al sur le SiC-4H de type P a été réalisé avec une résistance spécifique reproductible de 3×10-5 Ωcm2. Les optimisations des différentes étapes technologiques ont été implémentées dans la fabrication de diodes SiC avec deux types de protections périphériques : JTE et mesa. Des diodes de 1,2 kV et 5 kV ont été réalisées et caractérisées. Ces dispositifs ont permis de valider les optimisations apportées par le travail réalisé dans cette thèse. Cependant, il reste encore à améliorer les techniques de croissance du SiC pour permettre la fabrication de composants bipolaires de puissance en SiC fiables et robustes.

Download or read book Contribution l tude des assemblages et connexions n cessaires la r alisation d un module de puissance haute temp rature base de jfet en carbure de silicium SiC written by Wissam Sabbah and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le développement de composants de puissance à base de carbure de silicium (SiC) permet la réalisation d'interrupteurs pouvant fonctionner au-delà de 200°C. Le silicium présente plus de limitations au niveau physique du matériau qu'au niveau des technologies d'assemblages. Le SiC est un matériau semi-conducteur grand gap ce qui permet d'obtenir des courants de fuite inverse qui restent faibles à haute température ; d'où un fort intérêt pour des applications haute température. Mise à part son utilisation à des températures pouvant dépasser les 300°C, c'est un matériau qui permet aussi d'augmenter les fréquences de commutation ainsi que la densité de puissance par rapport à des composants à technologie silicium. Ceci en fait un candidat idéal pour des applications forte puissance dans le domaine de la traction, des protections de réseaux électriques ou de la transmission et de la distribution d'énergie. L'utilisation du SiC pour une application haute température pose le problème de son packaging, des choix de matériaux et de sa configuration. Cette thèse a pour but d'effectuer une étude de fiabilité et de durée de vie des briques technologiques d'assemblage et de connexions nécessaires à la réalisation d'un cœur de puissance haute température à base de JFET SiC. Une étude des différentes technologies d'assemblages de convertisseurs de puissance haute température est effectuée afin de définir différentes briques technologiques constitutives de ces systèmes. Cette première étude nous permet de procéder à une sélection de certaines technologies d'assemblages comme le frittage de pâtes d'argent pour la technologie de report de puces. Ces briques technologiques feront l'objet d'études plus approfondies allant de la réalisation de véhicules tests jusqu'à la mise au point des essais de cyclages associés aux techniques d'analyse nécessaires à l'étude de leur défaillance.Les études expérimentales concernent des essais de cyclage passif et de stockage thermique, l'apparition de délaminages en cours de cyclage thermique (scan acoustique, RX), le report par frittage de pâtes d'argent nano et microscopiques et la caractérisation électrique et thermique (Rth, I[V]).