Download or read book Contribution la r alisation technologique et la caract risation de transistors MISFET organiques written by Olivier Tharaud and published by . This book was released on 1998 with total page 264 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est la realisation et l'etude de transistors misfet organiques avec un polymere conducteur comme couche active. Dans la premiere partie, nous rappelons quelques generalites sur les polymeres conducteurs ainsi que l'etat de l'art sur les transistors organiques. Celui-ci et les differentes applications visees permettent de fixer les deux axes de ce travail decrits dans une deuxieme et troisieme parties. Dans la deuxieme partie, nous presentons le materiau utilise (sexithiophene), les techniques experimentales de realisation et de caracterisation electriques des transistors. Nous etudions alors l'influence de plusieurs parametres des transistors : structure, couche active, isolation des composants, nature et dimensions des contacts source et drain et epaisseur de l'isolant. Nous en deduisons des parametres standard pour la suite de notre etude : depot sur substrat chauffe a 140c, isolation des composants par lift-off, structure empilee inversee, dans la troisieme partie, nous realisons des transistors specifiques obtenus a partir de trois isolants originaux : deux couches monomoleculaires et un film ferroelectrique. Nous decrivons la nature de ces films, la technologie pour les deposer et leurs caracteristiques electriques. Le premier transistor est realise a partir d'une des monocouches (l'ots) qui, greffee sur l'oxyde de grille, permet de modifier les proprietes de l'interface isolant/semi-conducteur. Un etude comparative des performances d'un transistor avec et sans monocouche, montre une amelioration des performances avec la monocouche (tension et pente sous le seuil). La deuxieme monocouche, utilisee directement comme isolant de grille de tres faible epaisseur, permet la realisation de transistors submicroniques (longueur de grille allant de 1m a 50nm).

Download or read book Contribution a la realisation technologique et a la caracterisation de transistors Misfet organiques Application a l etude de transistors a partir d isolants originaux written by Olivier Tharaud and published by . This book was released on 1998 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution au d veloppement de syst mes lectroniques organiques sur support souple written by Mohamed Alioune Sankharé and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse a pour objectif de contribuer à la caractérisation et à la modélisation des transistors organiques en couches minces ou OTFTs (Organic Thin Film Transistors). Elle s'est déroulée en partenariat avec le CEA-LITEN qui dispose d'une technologie imprimée ayant démontré sa fonctionnalité à plusieurs reprises. Le but de ce travail est d'abord de comprendre le fonctionnement des transistors organiques afin de déterminer l'impact des paramètres technologiques sur les caractéristiques électriques. Ceci est fait en utilisant une approche par simulation grâce aux paramètres extraits à partir de la mesure. La dépendance en géométrie et en température des paramètres du transistor est observée et étudiée afin de proposer un modèle valide prenant en compte ces variations. Le modèle doit être intégrable dans les flots de conception classiques de la microélectronique (Cadence, Eldo, ADS, etc...). Des modèles de dispersion sont présentés et par la suite utilisés pour la simulation et la réalisation de circuits analogiques organiques.

Download or read book Elaboration caract risation et mod lisation de transistors base de pentac ne written by Ahmad Skaiky and published by . This book was released on 2013 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les objectifs de ce travail de thèse concernent la modélisation de transistors organiques à base de pentacène et la réalisation de circuits électroniques de type inverseur. Dans ce contexte, nous avons étudié les mécanismes de transport de charges dans le pentacène par deux méthodes (I(V) et spectroscopie d‟impédance) et déterminé les propriétés physiques du pentacène (mobilité, densité des pièges, niveau d‟énergie des pièges...). Suite à cela, nous avons réalisé un transistor organique à effet de champ ayant une structure top contact en étudiant l‟influence de la longueur du canal et de l‟épaisseur de la couche active sur les performances de ce dispositif et en comparant les résultats avec ceux issus de la simulation via le logiciel ATLAS. Avec les paramètres extraits de l‟étude des mécanismes de transport nous avons trouvé une bonne concordance entre les caractéristiques de sortie et de transfert expérimentales et simulées. Enfin, nous avons élaboré des inverseurs organiques à charge active saturée (diode-load inverter). L‟optimisation des paramètres tels que la longueur du canal, l‟épaisseur de la couche active et la vitesse de dépôt du pentacène a conduit à un gain en tension significatif en particulier en jouant sur la structure cristalline du pentacène. Un inverseur à charge à déplétion a été aussi caractérisé, en utilisant des isolants différents pour le transistor de charge et le transistor de commande un gain de 7 a été obtenu. Ces résultats ouvrent des perspectives et pourraient être améliorés en fabriquant des inverseurs en technologie O-CMOS.

Download or read book Etude et r alisation de transistors HIGFETS compl mentaires en technologie auto align e pour circuits logiques rapides faible consommation written by Jean-François Thiéry and published by . This book was released on 1996 with total page 261 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONCERNE LE DEVELOPPEMENT DE TRANSISTORS HIGFETS (HETEROSTRUCTURE INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS) COMPLEMENTAIRES, REALISES A PARTIR D'UNE HETEROSTRUCTURE PSEUDOMORPHIQUE ALGAAS / INGAAS / GAAS NON INTENTIONNELLEMENT DOPEE. L'ABSENCE DE DOPAGE EST ESSENTIELLE AFIN D'ENVISAGER LA QUASI-UNIFORMITE DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES, ET NOTAMMENT LA TENSION DE SEUIL, SUR TOUT UN SUBSTRAT. DE PLUS, CE TRANSISTOR PRESENTE LA PARTICULARITE DE POUVOIR ACCUMULER, A L'INTERFACE ALGAAS/INGAAS, AUSSI BIEN UN GAZ BI-DIMENSIONNEL D'ELECTRONS QUE DE TROUS, RENDANT POSSIBLE LA REALISATION DE TRANSISTORS DE TYPE N ET DE TYPE P SUR LA MEME PLAQUETTE. CES AVANTAGES RENDENT LE TRANSISTOR HIGFET PARFAITEMENT FIABLE, DE PAR SA STRUCTURE, ET EN FONT AINSI UN EXCELLENT CANDIDAT POUR UNE UTILISATION DANS DES CIRCUITS INTEGRES RAPIDES ET A FAIBLE CONSOMMATION EN LOGIQUE COMPLEMENTAIRE. POUR LA REALISATION DES COMPOSANTS, IL ETAIT INDISPENSABLE DE METTRE AU POINT UNE TECHNOLOGIE AUTO-ALIGNEE COMPLEMENTAIRE, ET EN PARTICULIER CERTAINES ETAPES CRITIQUES TELLES QUE LA FORMATION DE LA GRILLE REFRACTAIRE (PULVERISATION DE WSI ET GRAVURE PLASMA), LES IMPLANTATIONS IONIQUES (SI POUR LE TRANSISTOR DE TYPE N ET BE+P POUR LE TRANSISTOR DE TYPE P), LE RECUIT THERMIQUE RAPIDE ET LES CONTACTS OHMIQUES (BASES SUR DES METALLISATIONS DE AUGE ET DE AU/MN). D'EXCELLENTS RESULTATS ONT COURONNE LES REALISATIONS DE TRANSISTORS DE TYPE N ET DE TYPE P, AVEC NOTAMMENT DES VALEURS DE TRANSCONDUCTANCES, DE FREQUENCES DE COUPURE EXTRINSEQUES ET DE COURANTS A L'ETAT FERME AU MEILLEUR NIVEAU MONDIAL POUR DES LONGUEURS DE GRILLES DE 1M ET DE 0.5M. DIVERS PHENOMENES ONT ETE MIS EN EVIDENCE, TELS QUE L'APPARITION D'EFFETS DE CANAL COURT, POUR DE FAIBLES LONGUEURS DE GRILLE, QUI NECESSITERA UN TRAVAIL IMPORTANT POUR LE DEVELOPPEMENT D'UNE FILIERE COMPLEMENTAIRE SUBMICRONIQUE. UNE CARACTERISATION APPROFONDIE EN MICRO-ONDES A PERMIS DE METTRE EN AVANT LE POTENTIEL DU TRANSISTOR HIGFET POUR DES APPLICATIONS ANALOGIQUES MONO-TENSION D'ALIMENTATION EN HYPERFREQUENCES

Download or read book Contribution l tude exp rimentale des r sistances d acc s dans les transistors de dimensions deca nanom trique des technologies CMOS FD SOI written by Jean-Baptiste Henry and published by . This book was released on 2018 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réduction des dimensions des transistors à effet de champ MOS a depuis quelques années ralenti à cause de l'émergence de facteurs parasites tels que la résistance d'accès. En effet, la miniaturisation du canal s'est accompagnée par une diminution de sa résistance tandis que celle des zones d'accès à la frontière avec le canal est restée constante ou a augmenté. L'objectif de cette thèse a été de mettre en place une méthodologie de caractérisation électrique prenant en compte cette composante parasite longtemps considérée négligeable dans le milieu industriel.Dans un premier chapitre, le fonctionnement de la technologie CMOS et la spécificité de son adaptation FD-SOI sont d'abord présentées. La deuxième moitié du chapitre est quant à elle consacrée à l'état de l'art de la caractérisation électrique et de leur position vis-à-vis de la résistance d'accès.Le second chapitre présente une nouvelle méthode d'extraction des composantes parasites résistives et capacitives à l'aide de transistors de longueurs proches. Les résultats obtenus sont ensuite comparés aux modèles existants. De ces derniers, un nouveau modèle plus physiquement pertinent est proposé en fin de chapitre.Le troisième chapitre expose une nouvelle méthode de caractérisation électrique basée sur la fonction Y qui permet une analyse du comportement d'un transistor sur l'ensemble de son régime de fonctionnement. Cette nouvelle méthode est ensuite combinée à celle développée dans le chapitre 2 pour assembler un protocole expérimentale permettant de corriger et d'analyser l'impact des résistances d'accès sur les courbes de courant et les paramètres électriques.Finalement, le dernier chapitre applique la méthodologie vue dans la chapitre précédent à l'étude du désappariement stochastique des transistors. Les résultats obtenus sont ensuite comparés aux méthodes en vigueur dans les domaines industriel et académique qui présentent chacune leurs avantages et leurs inconvénients. La nouvelle méthode ainsi proposée tente de garder le meilleur de chacune de ces dernières.

Download or read book R alisation caract risation et simulation de composants organiques written by Bilel Hafsi and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse aborde une approche originale de réalisation de composants organiques (transistors, mémoires volatiles et non volatiles) à base d'un semiconducteur de type N “PolyeraTM N2200”. Tout d'abord, des transistors à effet de champ ont été fabriqués et optimisés en améliorant notamment certains paramètres technologiques. Par la suite, ces transistors ont été simulés à l'aide du logiciel ISE TCAD®, un logiciel basé sur un modèle 2D à effet de champ et de dérive-diffusion. Les propriétés électriques de ces dispositifs organiques ont été étudiées en fonction de l'influence de la mobilité des porteurs, des densités des pièges, et de leur énergie... . Les effets des pièges d'interface ont également été pris en considération. Par ailleurs, on y incorporant une couche de nanoparticules d'or (NP's Au), on a réussi à développer des composants appelés « NOMFET » qui miment le comportement d'une synapse biologique tout en reproduisant les effets dépressifs et facilitateurs avec une amplitude relative de 50% et une réponse dynamique de l'ordre de 4s. En étudiant la dynamique de chargement et de déchargement des NP's d'or, on a mis en évidence une fonction d'apprentissage anti-Hebbienne, un des mécanismes fondamentaux de l'apprentissage non-supervisé d'une synapse inhibitrice dans un réseau de neurones biologiques. Finalement, des mémoires FLASH, ont été réalisées en combinant des NP's d'or avec des monofeuillets d'oxyde de graphène réduit (rGO). Ces mémoires « FLASH » appelées aussi mémoires à double grille flottante montrent une large fenêtre de mémorisation (~68V), un temps de rétention élevé (>108s) et d'excellentes propriétés d'endurance (1000 cycles d'écriture/effacement).

Download or read book ETUDE ET OPTIMISATION D UN PROCESSUS TECHNOLOGIQUE DE REALISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION written by Mohamed Jalal Termanini and published by . This book was released on 1987 with total page 158 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: TRANSISTORS A HETEROJONCTION GAALAS/GAAS. APRES UN RAPPEL THEORIQUE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS, UN AVANT PROJET D'UN TRANSISTOR DESTINE A L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE A ETE PROPOSE. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES DIFFERENTES METHODES D'OBTENTION DES COUCHES NECESSAIRES AUX DISPOSITIFS, EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE, EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES, DEPOT EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'ORGANOMETALLIQUES. CES ETUDES ONT PERMIS D'AFFINER CHACUNE DES METHODES ET DE DEFINIR DANS CHAQUE CAS LES CONDITIONS OPTIMALES DE REALISATION. ENFIN, NOUS AVONS ANALYSE ET COMPARE LES DIFFERENTS PROCEDES MIS A NOTRE DISPOSITION POUR REALISER ENTIEREMENT LES TRANSISTORS, UN PROCESSUS OPTIMUM A AINSI PU ETRE DEFINI. LES DISPOSITIFS REALISES SONT PRESENTES ET LES RESULTATS OBTENUS DISCUTES, OUVRANT LA VOIE AU DEVELOPPEMENT DES CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES ASGA

Download or read book Caract risation et simulation des transistors MOS Silicium Sur Isolant avec contr le du potentiel par une grille arri re written by Francis Balestra and published by . This book was released on 1985 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-ISOLANT. REALISATION D'UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE, BASE SUR UNE METHODE AUX DIFFERENCES FINIES, QUI PERMET DE CONNAITRE LA REPARTITION DE POTENTIEL DANS DE TELLES STRUCTURES CONTROLEES PAR DEUX GRILLES. CE PROGRAMME EST APPLIQUEE AU CAS DES TRANSISTORS MOS SILICIUM-SUR-SAPHIR (SOS), DONT LE SAPHIR A ETE AMINCI PAR USINAGE ULTRASONORE POUR FACILITER LES MESURES A L'AIDE D'UNE GRILLE ARRIERE. DANS BEAUCOUP DE CAS, LA SIMULATION NUMERIQUE EST INDISPENSABLE POUR INTERPRETER CONVENABLEMENT LE FONCTIONNEMENT ELECTRIQUE DE TELS DISPOSITIFS. ON A PU, PAR AILLEURS, CONNAITRE PRECISEMENT L'EFFET DE CHAQUE PARAMETRE DE CES STRUCTURES (DOPAGE DU SILICIUM, EPAISSEURS DES DIFFERENTES COUCHES, CHARGES AUX INTERFACES...) SUR LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EN OUTRE, IL A ETE EXAMINE, A L'AIDE DU PROGRAMME, LES DOMAINES DE VALIDITE ET LES LIMITES DES MODELES ANALYTIQUES EXISTANT DANS LA LITTERATURE

Download or read book ANALYSE ET ETUDE DE TRANSISTORS NLDDMOSFETS DE TECHNOLOGIE 1 2 M ET DES EFFETS INDUITS PAR IRRADIATIONS written by ELOI.. BLAMPAIN and published by . This book was released on 1997 with total page 144 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SOUS L'IMPULSION DES INNOVATIONS TECHNOLOGIQUES RECENTES, LA REDUCTION DES DIMENSIONS DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES A ENTRAINE UNE MODIFICATION IMPORTANTE DE LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE ET UNE PLUS GRANDE SENSIBILITE AUX AGRESSIONS EXTERIEURES. IL EST DONC TOUJOURS D'ACTUALITE D'ANALYSER LES PROCESSUS ELECTRONIQUES IMPLIQUES DANS CES NOUVELLES STRUCTURES. DANS CE BUT, NOUS PRESENTONS DANS CE TRAVAIL UNE ETUDE REALISEE SUR DES TRANSISTORS NLDDMOSFETS ISSUS DE LA TECHNOLOGIE 1,2 M DE MATRA-MHS, ET S'ARTICULANT SUR DEUX GRANDS AXES PRINCIPAUX: * LE PREMIER FAIT APPEL A UNE ETUDE EXPERIMENTALE, BASEE D'UNE PART SUR L'EVOLUTION DES PARAMETRES DE CONDUCTION DU TRANSISTOR, ET D'AUTRE PART SUR LA MODIFICATION DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES DE LA JONCTION DRAIN-SUBSTRAT DU TRANSISTOR. UNE ETUDE COMPLEMENTAIRE DE CAPACITES MOS EST EFFECTUEE EN VUE D'ACCEDER A D'AUTRES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION COHERENTE DU TRANSISTOR ET DE SES ELEMENTS A ETE DEVELOPPEE. LA DETERIORATION DES PROPRIETES DE LA JONCTION DRAIN-SUBSTRAT VERS LE DOMAINE SUBMICRONIQUE A ETE ANALYSEE ET RELIEE A LA REDUCTION DES DIMENSIONS. L'EFFET DE LA REDUCTION DES DIMENSIONS SUR LA TENSION DE SEUIL A ETE MIS EN EVIDENCE. * LE DEUXIEME EST UNE SIMULATION 2-D DE CES DISPOSITIFS, REALISEE SUR DEUX NIVEAUX: UNE SIMULATION DU PROCEDE DE FABRICATION A L'AIDE DU SIMULATEUR DE PROCESS (BIDIMENSIONNEL) ATHENA. ELLE S'APPUIE ESSENTIELLEMENT SUR L'AJUSTEMENT DES PROFILS DE DOPAGE FOURNIS PAR LE CONSTRUCTEUR, PAR LE CHOIX APPROPRIE DES PARAMETRES PROCESS (ENERGIE ET DOSE D'IMPLANTATION, CONDITION DE RECUIT, ETC.). UNE SIMULATION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE STATIQUE DE CES DISPOSITIFS A L'AIDE DU SIMULATEUR DE DEVICES SPISCES-2B, S'APPUYANT PRINCIPALEMENT SUR LE CHOIX DES MODELES PHYSIQUES TRADUISANT AU MIEUX LES PHENOMENES A PRENDRE EN COMPTE DANS CE TYPE DE DISPOSITIFS. NOS OUTILS DE SIMULATION SONT DISTRIBUES PAR SILVACO INTERNATIONAL. FINALEMENT, CE TRAVAIL MET AU POINT UNE METHODE DE CARACTERISATION COHERENTE DES EFFETS DUS AUSSI BIEN A LA REDUCTION DES DIMENSIONS, QU'A CEUX LIES A LA DEGRADATION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE DE CES DISPOSITIFS, SUITE A UNE IRRADIATION. IL MET EN PLACE UNE METHODOLOGIE DE SIMULATION QUI A PERMIS DE MONTRER LE ROLE DE LA DOUBLE IMPLANTATION DU CANAL (B ET AS) POUR L'AJUSTEMENT DE LA TENSION DE SEUIL, L'INFLUENCE DE L'EPAISSEUR DU SUBSTRAT AINSI QUE LES EFFETS DE REDUCTION TECHNOLOGIQUE DU CANAL SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. CE TRAVAIL MONTRE QUE LES IRRADIATIONS IONISANTES ET LES EFFETS DE DEPLACEMENT PEUVENT ETRE CARACTERISES PAR L'ETUDE DE LA JONCTION DRAIN-SUBSTRAT. IL MONTRE EGALEMENT QUE LA DOSE INFLUENCE LES PROCESSUS DE CONDUCTION DANS CETTE JONCTION AU MEME TITRE QU'UNE POLARISATION SUR LA GRILLE

Download or read book Etude des transistors effet de champ organiques written by Marjorie Morvan and published by . This book was released on 2020 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'utilisation de Transistors à Effet de Champ Organiques (OFETs) est de plus en plus attractive grâce à la possibilité de production de composants plus légers, fabriqués à un moindre coût et sur des substrats flexibles. Le fait de pouvoir coupler une fonction émission de lumière à une fonction transistor rend son utilisation d'autant plus intéressante. C'est le cas des applications d'affichage, où les pixels sont réalisés par une technologie de matrice active à diodes électroluminescentes organiques (AMOLED). Le fait d'avoir un OFET électroluminescent permet de combiner un OFET avec une diode électroluminescente organique (OLED) et donc de simplifier la conception, les étapes de fabrication ainsi que d'augmenter la durée de vie des pixels. Durant cette thèse, l'étude et la fabrication des OFETs émetteurs de lumière ont été menés selon deux approches. La première est basée sur l'étude d'OFETs ambipolaires à base de N,N'-ditridecyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide (PTCDI-C13), un semi-conducteur de type-n, et de pentacène, un semi-conducteur de type-p, ce qui constitue une première étape à l'obtention d'OFET électroluminescent. La fabrication et la caractérisation de ces OFETs ambipolaires ont été réalisées pour la première fois dans l'équipe de recherche du laboratoire. Une étude de leur structure a été menée pour trouver les paramètres idéaux à l'obtention d'un transport de charges équilibré. La structure optimisée est une structure bicouche avec une épaisseur de pentacène de 8 nm et une épaisseur de PTCDI-C13 de 20 nm. L'ajout d'une couche émettrice entre les deux semi-conducteurs n'a pas permis d'obtenir une émission de lumière à cause du piégeage de charges trop important. Cependant, ce travail a ouvert de nouvelles perspectives pour les futurs travaux sur les OFETs ambipolaires. La deuxième approche pour étudier les OFETs émetteurs de lumière est plus innovante grâce au changement de la structure des transistors organiques classiques par une structure verticale. Cette structure présente l'avantage de pouvoir intégrer facilement une structure OLED et d'avoir une émission de lumière homogène sur une grande surface. Le principe de fonctionnement est totalement différent des OFETs classiques : ici, la modulation du courant ne se fait plus par un contrôle de la conductivité dans un canal semi-conducteur, mais par un contrôle de l'injection de charges au niveau de l'électrode source. L'étude de cette structure a permis d'obtenir des transistors organiques lumineux. Ensuite, l'étude des mécanismes d'injection de charges a permis de mieux comprendre le fonctionnement de ces transistors. Plusieurs matériaux ont été testés en tant qu'électrode source : l'or, l'argent, l'aluminium et l'ITO (Indium Tin Oxyde). Cela a permis de déterminer le mécanisme d'injection mis en jeu, soit l'injection de charges par la modulation de l'effet tunnel grâce à la courbure de bande induite par l'effet de grille dans la couche semi-conductrice proche de l'interface. Il a également été identifié que la qualité de l'interface électrode source/semi-conducteur joue un rôle majeur puisqu'une mauvaise qualité d'interface entraîne une diminution drastique des performances.

Download or read book Contribution la mod lisation des transistors organiques written by Amina Belkhir and published by . This book was released on 2009 with total page 168 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur l’étude de la modélisation du transistor organique ainsi que son implémentation numérique. L’objectif est la prise en compte des spécificités des matériaux organiques dans le calcul des caractéristiques courant-tension du transistor, de manière à permettre une analyse physique du comportement des transistors, et par suite de pouvoir agir sur les paramètres technologiques de fabrication, et améliorer les performances des composants et des circuits. Dans un premier temps, un modèle semi-analytique 1D a été développé, sur la base du modèle du transistor MOS silicium en prenant en compte un certain nombre d’effets parasites (résistances ohmiques des contacts, injection non linéaire au contact source). L’impact des phénomènes d’injection sur l’extraction des paramètres essentiels du transistor (mobilité effective et tension de seuil) ont pu être clairement soulignés. De plus, l’existence de champs électriques très élevés au contact injectant a été mise en évidence. Ensuite, il est apparu utile de développer un modèle numérique du calcul du courant drain pour prendre en compte d’avantage de spécificités des matériaux organiques (densités d’états, autres modèles d’injection, profils de mobilités, etc.). Ce modèle est basé sur le calcul distribué du potentiel dans le canal. Dans un premier temps, la résolution numérique de l’équation de Poisson a été implémentée pour calculer la charge accumulée. Cela a également permis de souligner clairement les différences entre la tension de seuil effective UT-eff et la tension UONSET. Ce travail préliminaire pose les bases nécessaires à la poursuite de l’analyse physique de la caractéristique courant-tension

Download or read book Developpement de transistors organiques grille lectrolytique pour la caract risation in situ de processus de fonctionnalisation de surface written by Alexandra Tibaldi and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail de thèse porte sur la réalisation et l'étude de transistors organiques à grille électrolytique (EGOFET) à des fins analytiques. Ces transistors à effet de champ ont comme particularité de fonctionner en présence d'un électrolyte et de travailler à de très faibles voltages. L'architecture des EGOFETs a été adaptée pour que leurs caractéristiques électriques soient dans une large mesure contrôlées par la structure et la composition de l'interface grille/électrolyte. Cette propriété fonctionnelle a été mise à profit pour la transduction d'évènements physico-chimiques localisés à la surface de la grille du transistor.Sur la base des variations de signal électrique des EGOFETs, la cinétique de chimisorption d'alkylthiols sur une grille en Au a pu être caractérisée. Cet exemple souligne la potentialité des EGOFETs pour l'étude in-situ et en temps réel de nombreux phénomènes de fonctionnalisation de surface. Cette propriété a été appliquée au suivi de la production in-situ d'un alkylthiol, la thiocholine, par une enzyme, l'acétylcholinestérase (AChE). En présence de son substrat, l'AChE génère de la thiocholine. L'ajout d'enzyme dans un dispositi fEGOFET contenant du substrat dans l'électrolyte provoque une variation du courant de drain corrélée à la quantité d'enzyme présente. Le dispositif a permis de doser l'AChE sur la gamme de 1,4.10-3 à 0,3 unité active, avec une limite de détection de 1,4.10-3 unité active. Cette méthodologie analytique propose une alternative aux dispositifs de lecture actuels des dosages immuno-enzymatiques.

Download or read book Conception fabrication caract risation et mod lisation de transistors MOSFET haute tension en technologie avanc e SOI Silicon On Insulator written by Antoine Litty and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: A l'heure où la miniaturisation des technologies CMOS sur substrat massif atteint des limites, la technologie FDSOI (silicium sur isolant totalement déserté) s'impose comme une alternative pour l'industrie en raison de ses meilleures performances. Dans cette technologie, l'utilisation d'un substrat SOI ultramince améliore le comportement des transistors MOSFETs et garantit leur intégrité électrostatique pour des dimensions en deçà de 28nm. Afin de lui intégrer de nouvelles fonctionnalités, il devient nécessaire de développer des applications dites « haute tension » comme les convertisseurs DC/DC, les régulateurs de tension ou encore les amplificateurs de puissance. Cependant les composants standards de la technologie CMOS ne sont pas capables de fonctionner sous les hautes tensions requises. Pour répondre à cette limitation, ces travaux portent sur le développement et l'étude de transistors MOS haute tension en technologie FDSOI. Plusieurs solutions sont étudiées à l'aide de simulations numériques et de caractérisations électriques : l'hybridation du substrat (gravure localisée de l'oxyde enterré) et la transposition sur le film mince. Une architecture innovante sur SOI, le Dual Gound Plane EDMOS, est alors proposée, caractérisée et modélisée. Cette architecture repose sur la polarisation d'une seconde grille arrière pour offrir un compromis RON.S/BV prometteur pour les applications visées.

Download or read book tude r alisation et caract risation de transistors silicium sur isolant compl tement d sert s de longueur de grille inf rieure 25 nm written by Jérôme Lolivier and published by . This book was released on 2005 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réduction d’échelle des transistors MOSFET se poursuit à un rythme effréné. Cependant, une alternative doit être trouvée aux dispositifs sur silicium massif qui montrent certaines limitations. Les dispositifs Complètement Désertés sur substrat SOI sont des candidats potentiels. L’objectif de ce travail est l’étude théorique, la réalisation en salle blanche et la caractérisation électrique de ces transistors, afin de montrer leur intérêt mais aussi leurs limites. Le premier chapitre est consacré à l’étude théorique par simulations quantiques des dispositifs Simple et Double Grille. Pour diminuer les résistances d’accès, la métallisation des source/drain est envisagée : une modélisation du contact métal-semiconducteur est réalisée. La réalisation technologique des briques de base est analysée dans le deuxième chapitre : par exemple la lithographie et la gravure de grilles allant jusqu’à 10nm , l’épitaxie des source/drain ; des transistors SOI complètement désertés avec des longueurs de grille descendant jusqu’à 10nm ont été fabriqués avec succès. Les résultats de caractérisation électrique de ces transistors, mais aussi de transistors à double grille sont exposés dans le dernier chapitre ; enfin, une étude à basse température met en évidence les limites en terme de transport des dispositifs les plus courts (transport balistique, effet tunnel entre la source et le drain notamment).

Download or read book Contribution l tude des transistors effet de champ organiques written by Marc Ternisien and published by . This book was released on 2008 with total page 172 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail s'inscrit dans le cadre de l'étude de composants organiques et moléculaires. Il porte sur le contrôle de l'interface oxyde de grille/semi-conducteur organique à l'aide de Monocouches Auto Assemblées (SAMs) dans les transistors à effet de champ organique (OFETs). Nous avons dans un premier temps travaillé avec des OFETs à couche active de pentacène dont le diélectrique de grille a été modifié par des SAMs de type ơ-π (terminées pyrène ou phenyl) en configuration Top Contact. Après le greffage chimique en trois étapes de SAMs à chaîne alkyle longues et leur caractérisation, nous avons mesuré les paramètres transistors et nous avons démontré une amélioration des mobilités des porteurs de charges, une augmentation du rapport On/Off et une amélioration de la pente sous le seuil. Nous avons interprété ces résultats en terme de structure morphologique de la couche active de pentacène. Dans la deuxième partie de notre thèse, nous nous sommes intéressés aux SAMs à chaîne alkyle plus courte greffées en une unique étape (le pentafluorophenylpropyltrichlorosilane (C9H6F5Cl3Si), le 4-phenylbutyltrichlorosilane (C10H13Cl3Si) et l'octadecyltrichlorosilane (CH18H37SiCl3). La configuration du transistor adoptée pour cette étude est du type Bottom Contact.Nous avons obtenu par ces procédés des OFETs fonctionnant à des valeurs de pentes sous le seuil de 0.6 V/dec, des rapports On/Off de 10 8 et une mobilité de 0.3 cm2/V.s. L'ensemble des résultats est discuté en terme d'interactions entre les porteurs de charges et le semi-conducteur organique (le pentacène) et les dipôles des molécules greffées.

Download or read book Architectures avanc es des transistors FinFETS written by Romain Ritzenthaler and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La réduction des dimensions des transistors pour les prochains nœuds technologiques soulève des problèmes technologiques de plus en plus difficiles à surmonter. De nouvelles architectures dites « multigrilles » sont proposées afin de pouvoir poursuivre la miniaturisation. Parmi ces dispositifs, les transistors verticaux FinFETs sur SOI (Silicium-sur-isolant) sont de prometteurs candidats. Dans cette étude de thèse, des transistors FinFETs ont été fabriqués jusqu'à une longueur de grille de 10 nm. Les transistors montrent d'excellentes performances, en particulier en ce qui concerne le contrôle des effets de canaux courts. Nous proposons également une étude des effets électrostatiques spécifiques intervenant dans ce type de dispositifs. Les effets de coins et les couplages de la face arrière et du drain à travers l'oxyde enterré sont ainsi mis en lumière. II est montré que les effets de coins sont négligeables si le dopage est faible et que les couplages à travers l'oxyde enterré sont écrantés pour des dispositifs étroits. Ceci rend les structures FinFETs attractives pour la miniaturisation des circuits intégrés MOS. Les propriétés de transport dans les canaux verticaux et horizontaux sont également mises en lumière. Nous montrons et discutons l'effet du changement de plan et d'orientation cristalline ainsi que l'impact des contraintes mécaniques.