Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU RECUIT ELECTRONIQUE PULSE DU SILICIUM written by Jean-Marie Dilhac and published by . This book was released on 1983 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CONCEPTION, REALISATION, CARACTERISATION ET APPLICATION AU RECUIT DE SILICIUM IMPLANTE, D'UN CANON A ELECTRONS PULSES. PROPOSITION D'UN MODELE NUMERIQUE PERMETTANT LE CALCUL DE LA TEMPERATURE ET DE LA DIFFUSION DES DOPANTS DURANT LE RECUIT. ETUDE DU FONCTIONNEMENT DU CANON A ELECTRONS. ANALYSE DES EFFETS DU RECUIT ELECTRONIQUE PULSE DU SILICIUM. PROPOSITION DE SOLUTIONS PERMETTANT LA CONSTRUCTION D'UN CANON A ELECTRONS PULSES PLUS PERFORMANT

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM HYPERDOPE OBTENU PAR IMPLANTATION ET RECUIT PAR LASER PULSE written by ABDELILAH.. SLAOUI and published by . This book was released on 1984 with total page 123 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE QUELQUES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRIQUES SUR DU SILICIUM AINSI PREPARE AFIN DE SEPARER LES EFFETS DUS AU FORT DOPAGE DE CEUX RESULTANT DES DEFAUTS OU DES PRECIPITES. ETUDE DES PROPRIETES PHOTOVOLTAIQUES DES CELLULES SOLAIRES UTILISANT CE MATERIAU MONTRANT QU'ELLES SONT LIMITEES PAR LE COEFFICIENT D'ABSORPTION ELEVE EN SURFACE ET PAR LA PRESENCE DE DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LES QUEUES D'IMPLANTATION ET PAR LE RECUIT AU LASER

Download or read book ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DU SILICIUM IMPLANTE ET RECUIT PAR FAISCEAU D ELECTRONS PULSE written by Mohamed Ambri and published by . This book was released on 1984 with total page 99 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION PAR CANALISATION D'ELECTRONS DES DEFAUTS INDUITS PAR LE RECUIT PAR FAISCEAU PULSE D'ELECTRONS. CORRELATION DES RESULTATS AVEC LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. MISE EN EVIDENCE DE LA RECRISTALLISATION DES COUCHES IMPLANTEES, DE LA DISTRIBUTION ET DE LA DENSITE DES DEFAUTS. LA MORPHOLOGIE ET LA DENSITE DES DEFAUTS EN FONCTION DE L'ENERGIE DEPOSEE PAR LE RECUIT PERMET D'EXPLIQUER LA DETERIORATION DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE JONCTIONS OBTENUES PAR CE TYPE DE RECUIT

Download or read book ETUDE DE LA REDISTRIBUTION DE L ANTIMOINE IMPLANTE DANS LE SILICIUM RECUIT PAR BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE PULSE written by Mohammed El Habib Hamdani and published by . This book was released on 1984 with total page 178 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES EFFETS DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE PULSE SUR DU SILICIUM IMPLANTE ANTIMOINE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX (PROFILS SIMS ET RBS) CONCERNANT LA REDISTRIBUTION DE CETTE IMPURETE ONT PERMIS D'OBTENIR DES INFORMATIONS SUR LES EFFETS DE SEGREGATION A GRANDE VITESSE DE RECRISTALLISATION (SUPERIEURE A 1 M/SEC) SUR 100 ET 111. ON A DETERMINE L'ACTIVITE ELECTRIQUE POUR DIFFERENTES CONDITIONS DE RECUIT. UN MODELE DE LA DIFFUSION INDUITE, TENANT COMPTE DES EFFETS DE SEGREGATION, A ETE MIS AU POINT ET PERMET DE DEDUIRE, PAR AJUSTEMENT DES PROFILS DIFFUSES EXPERIMENTAUX, LES COEFFICIENTS DE DIFFUSION ET DE SEGREGATION A FORTE VITESSE DE RECRISTALLISATION. UNE COMPARAISON EST ETABLIE AVEC LE CAS DU PHOSPHORE ET DE L'ARSENIC

Download or read book Recuit par bombardement lectronique puls du silicium implant arsenic written by Mohammed Baghdadi and published by . This book was released on 1983 with total page 115 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: REALISATION D'UNE COUCHE HAUTEMENT ACTIVE, DE TYPE N**(+), A LA SURFACE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN DANS LAQUELLE LE TAUX D'ATOMES D'AS INCORPORES EN SITES SUBSTITUTIONNELS SERA LE PLUS ELEVE AVEC UN DESORDRE RESIDUEL LE PLUS FAIBLE POSSIBLE. SIMULATION DES TRAJECTOIRES ELECTRONIQUES PAR LA METHODE DE MONTE CARLO, PERMETTANT LE CALCUL DES DOSES D'ENERGIE DEPOSEES PAR LE FAISCEAU D'ELECTRONS PULSE DANS SI POUR DIFFERENTS PARAMETRES GEOMETRIQUES DE LA DIODE. ETUDE PAR RETRODIFFUSION D'HELIUM ET SONDE IONIQUE DE LA QUALITE CRISTALLINE DES COUCHES IMPLANTEES ET DE LA REDISTRIBUTION DES ATOMES AS, EN FONCTION DES PARAMETRES DU FAISCEAU D'ELECTRONS PULSE. ETUDE DE L'ACTIVATION DES ATOMES D'AS POUR OPTIMISER LE FAISCEAU D'ELECTRONS

Download or read book Contribution l tude par microscopie lectronique en transmission des d fauts cr s par implantation ionique dans le silicium et de leur recuit written by Robert Truche (auteur(e) en cristallographie).) and published by . This book was released on 1974 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Recuit du silicium par laser puls written by Marie-Odile Lampert and published by . This book was released on 1981 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude de couches implant es de silicium et de leur recuit written by Jean-Louis Combasson and published by . This book was released on 1976 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude par microscopie lectronique en transmission des d fauts cr es par implantation ionique dans le silicium et de leur recuit written by and published by . This book was released on 1974 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book ETUDE DES METHODES DE RECUIT RAPIDE APPLIQUEES AU SILICIUM DOPE PAR IMPLANTATION IONIQUE written by PIERRE.. RUTERAMA and published by . This book was released on 1983 with total page 294 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RAPPEL DU PRINCIPE DE L'IMPLANTATION IONIQUE, EN INSISTANT PARTICULIEREMENT SUR LE PROCESSUS DE CREATION DE DEFAUTS ET SUR LEUR REPARTITION DANS LA COUCHE BOMBARDEE. ETUDE DES MECANISMES DE RECUIT THERMIQUE, RECUIT PAR LASER A FAISCEAU CONTINU, RECUIT PAR FAISCEAU LASER PULSE ET RECUIT PAR PULSE THERMIQUE. ETUDE DE L'ETAT DE SURFACE DU MATERIAU ET DE L'ETAT CRISTALLIN DES COUCHES RECUITES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES JONCTIONS P/N ET ANALYSE DE L'ALBUM DES COURBES I/V

Download or read book Contribution l tude de couches implant es de silicium et de leur recuit written by Jean-Louis Combasson and published by . This book was released on 1976 with total page 86 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM AMORPHE PUR ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by N'GUESSAN.. KRE and published by . This book was released on 1993 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DU DESORDRE STRUCTURAL SUR LA DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE PUR (ASI) ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (ASI:H). POUR CELA, LE COEFFICIENT D'ABSORPTION A ETE DEDUIT DE MESURES DE TRANSMISSION OPTIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). EN OUTRE, DES MESURES DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE EGALEMENT UTILISEES. LES FILMS DE ASI ONT ETE OBTENUS PAR EVAPORATION EN ULTRA-VIDE SUR SUBSTRAT DE QUARTZ A LA TEMPERATURE AMBIANTE; ON A FAIT VARIER LE DESORDRE DE CES FILMS PAR RECUIT. POUR LES FILMS DE SSI:H, UNE CELLULE A PLASMA RF A PERMIS DE FAIRE VARIER LA CONCENTRATION D'HYDROGENE, DONC LE DESORDRE DES FILMS. POUR LES FILMS DE ASI, ON A OBTENU UNE DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETATS EN CONSIDERANT DIFFERENTES APPROXIMATIONS TANT SUR LE MODELE DE LA DENSITE D'ETATS QUE SUR LA DEPENDANCE EN ENERGIE DES ELEMENTS DE MATRICE. ON TROUVE QUE LE GAP OPTIQUE ET LA DENSITE DE SPINS (LIAISONS PENDANTES) VARIENT RELATIVEMENT PEU AVEC LE DESORDRE PAR RAPPORT AUX FILMS DE ASI:H. ON TROUVE EGALEMENT QUE LA POSITION EN ENERGIE DES ETATS PARAMAGNETIQUES EST D'ENVIRON 0,9 EV PAR RAPPORT AU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. POUR LES FILMS DE ASI:H, ON A OBTENU DES RESULTATS QUI SONT TRES PROCHES DE CEUX DES FILMS PREPARES PAR DECOMPOSITION DU SILANE. ON A EGALEMENT OBTENU UNE BONNE CORRELATION ENTRE LA DENSITE DE SPINS ET L'ABSORPTION A BASSE ENERGIE. LA FORTE VARIATION RELATIVE DU GAP OPTIQUE AVEC LE DESORDRE STRUCTURAL, COMPAREE A CELLE DE ASI, PERMET DE SUGGERER QUE LA VARIATION DU GAP N'EST PAS SEULEMENT DUE A UN EFFET DU DESORDRE MAIS EGALEMENT A UN EFFET D'ALLIAGE DU SILICIUM AVEC L'HYDROGENE. LA DENSITE DE SPINS DANS LES MEILLEURS FILMS OBTENUS SANS RECUITS (10#1#7 SPINS CM##3) N'EST PAS TRES ELOIGNEE DE CELLE DES MEILLEURS FILMS RECUITS OBTENUS PAR DECOMPOSITION DU SILANE (10#1#6 SPINS CM##3)

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS LE SILICIUM RECUIT PAR FAISCEAUX D ELECTRONS PULSES written by Mohammed-Salah Doghmane and published by . This book was released on 1984 with total page 204 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS SI PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAUX PROFONDS. EFFET DE LA FLUENCE ET DE L'ENERGIE DES ELECTRONS. ETUDE DU RECUIT SOUS ATMOSPHERE D'HYDROGENE. L'EFFET DE L'IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR LES NIVEAUX D'IMPURETES EST ETUDIE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS

Download or read book ICREEC 2019 written by Ahmed Belasri and published by Springer Nature. This book was released on 2020-06-10 with total page 659 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.

Download or read book Basic Concepts for Simple and Complex Liquids written by Jean-Louis Barrat and published by Cambridge University Press. This book was released on 2003-03-27 with total page 410 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Presenting a unified approach, this book focusses on the concepts and theoretical methods that are necessary for an understanding of the physics and chemistry of the fluid state. The authors do not attempt to cover the whole field in an encyclopedic manner. Instead, important ideas are presented in a concise and rigorous style, and illustrated with examples from both simple molecular liquids and more complex soft condensed matter systems such as polymers, colloids, and liquid crystals.

Download or read book Dictionary of Building and Civil Engineering written by Don Montague and published by Taylor & Francis. This book was released on 1996 with total page 472 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.