Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DE TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by Thierry Leroux and published by . This book was released on 1984 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UN MODELE ANALYTIQUE DU COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ANALYSE BASEE SUR L'HYPOTHESE D'UNE DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS LOCALISES EN BORD DE BANDE PERMET D'EN EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES. PAR AILLEURS, LES EXPRESSIONS DEVELOPPEES SONT CONFRONTEES AUX RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS GRACE A DIVERSES METHODES DE CARACTERISATION (MESURES STATIQUES, ETUDE DE CAPACITES MIS, MESURE DE LA REPONSE DU TCM EN REGIME TRANSITOIRE,...), CE QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER TOUS LES PARAMETRES INTERVENANT DANS LE MODELE. LE DERNIER CHAPITRE DE CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE QUELQUES APPLICATIONS DU MODELE PRESENTE ( ETUDE D'INVERSEURS NONEE, SIMULATION) ET EN DEMONTRE L'UTILITE.

Download or read book Contribution l tude du fonctionnement statique et dynamique de transistors couches minces base de silicium amorphe hydrog n written by Thierry Leroux and published by . This book was released on 1984 with total page 205 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UN MODELE ANALYTIQUE DU COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ANALYSE BASEE SUR L'HYPOTHESE D'UNE DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS LOCALISES EN BORD DE BANDE PERMET D'EN EXPLIQUER LES CARACTERISTIQUES. PAR AILLEURS, LES EXPRESSIONS DEVELOPPEES SONT CONFRONTEES AUX RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS GRACE A DIVERSES METHODES DE CARACTERISATION (MESURES STATIQUES, ETUDE DE CAPACITES MIS, MESURE DE LA REPONSE DU TCM EN REGIME TRANSITOIRE,...), CE QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER TOUS LES PARAMETRES INTERVENANT DANS LE MODELE. LE DERNIER CHAPITRE DE CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE QUELQUES APPLICATIONS DU MODELE PRESENTE ( ETUDE D'INVERSEURS NONEE, SIMULATION) ET EN DEMONTRE L'UTILITE

Download or read book CONTRIBUTION A L ANALYSE PHYSIQUE DU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ALAIN.. ROLLAND and published by . This book was released on 1993 with total page 16 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DANS CE MEMOIRE, NOUS PRESENTONS UN MODELE ANALYTIQUE SIMPLE DU FONCTIONNEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. NOUS MONTRONS QU'IL EST INDISPENSABLE DE PRENDRE EN COMPTE LA CONTRIBUTION DES ETATS PROFONDS (LIAISONS PENDANTES) POUR ETABLIR LES RELATIONS COURANT TENSION, EN PARTICULIER DANS LE REGIME DE FAIBLE ACCUMULATION. LES EFFETS LIES A LA REDUCTION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE ET A LA QUALITE DE L'INTERFACE SUBSTRAT-SEMICONDUCTEUR SONT ANALYSES AU PLAN EXPERIMENTAL A PARTIR DE MESURES EFFECTUEES SUR DES STRUCTURES MIS ET SUR DES TFT POUR DIFFERENTES EPAISSEURS DE LA COUCHE SEMICONDUCTRICE AINSI QU'AU PLAN THEORIQUE A PARTIR D'UNE APPROCHE NUMERIQUE. ENFIN UNE DERNIERE PARTIE DE CE TRAVAIL EST CONSACREE A UN EXEMPLE D'UTILISATION DU MODELE PROPOSE POUR LE TFT DANS LE CADRE DE L'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES A MATRICE ACTIVE DE TRANSISTORS

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by PHILIPPE.. VITROU and published by . This book was released on 1995 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE THESE PORTE SUR L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE (TFT A-SI:H). DANS UNE PREMIERE PARTIE NOUS NOUS INTERESSONS A LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME CONTINU. NOUS DEFINISSONS DIFFERENTS PRINCIPES EXPERIMENTAUX PERMETTANT DE MESURER LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL ET NOUS LES UTILISONS POUR CARACTERISER LA STABILITE ELECTRIQUE DE NOS ECHANTILLONS DANS DE LARGES PLAGES DE TENSION ET DE TEMPERATURE. GRACE A UN PROGRAMME DE SIMULATION NUMERIQUE NOUS ETUDIONS, DE MANIERE THEORIQUE, L'INFLUENCE D'UNE TENSION DE CONTRAINTE SUR LA MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS PROFONDS DE LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE ET SUR LA CARACTERISTIQUE DE TRANFERT D'UN TFT. EN TENANT COMPTE DE L'ASPECT TRANSISTOIRE DE LA MODIFICATION DE DENSITE D'ETATS, NOUS MONTRONS QUE LES DECALAGES DE TENSION DE SEUIL OBSERVES A LA SUITE D'UNE CONTRAINTE POSITIVE ET D'UNE FAIBLE CONTRAINTE NEGATIVE SONT DUS RESPECTIVEMENT A UNE CREATION ET UNE GUERISON DE DEFAUTS DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE. D'AUTRE PART, DANS LE CAS D'UNE FORTE CONTRAINTE NEGATIVE, NOUS MONTRONS QU'AU MECANISME DE MODIFICATION DE LA DENSITE D'ETATS EVOQUE PRECEDEMMENT, SE SUPERPOSE UNE INJECTION DE TROUS DANS L'ISOLANT DE GRILLE. ENFIN, UNE DEUXIEME PARTIE, PLUS APPLIQUEE A L'ADRESSAGE D'ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES, CONCERNE L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN REGIME DYNAMIQUE. NOUS ETABLISSONS UN MODELE PERMETTANT D'OBTENIR UNE LOI PREDICTIVE DE LA CINETIQUE DU DECALAGE DE TENSION DE SEUIL DANS CE REGIME DE FONCTIONNEMENT. NOUS VALIDONS UN TEST DE VIEILLISSEMENT ELECTRIQUE ACCELERE QUI PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT A LONG TERME DES TFTS ET D'ESTIMER LA DUREE DE VIE DE NOS ECRANS EN TERME DE DERIVE DES TRANSISTORS

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES EN SILICIUM POLYCRISTALLIN written by FRANCIS.. PETINOT and published by . This book was released on 1998 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONTRIBUE A LA COMPREHENSION DU FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT) EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN VUE DE LEUR INTEGRATION DANS UNE MATRICE ACTIVE D'ECRAN LCD. DEUX POINTS SONT PARTICULIEREMENT ETUDIES : L'HYDROGENATION DES TFTS ET LES MECANISMES DE DEGRADATION DE CE COMPOSANT. APRES AVOIR EXPOSE LE CONTEXTE INDUSTRIEL DE L'ETUDE, LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DU TFT EN SILICIUM POLYCRISTALLIN SONT PRESENTEES. L'INFLUENCE DE LA DENSITE D'ETATS DE VOLUME DANS LA COUCHE ACTIVE POLYCRISTALLINE SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR Y EST ETUDIEE. ON DEVELOPPE ENSUITE L'ETAPE DE POST-HYDROGENATION DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN. APRES UNE OPTIMISATION DE CETTE ETAPE PAR PLASMA (RADIOFREQUENCE OU MICROONDE) ET DES RAPPELS SUR L'INTERACTION DE L'HYDROGENE AVEC LES DEFAUTS DANS LE SILICIUM, LE MECANISME DE DIFFUSION DE L'HYDROGENE DANS LA STRUCTURE DU TRANSISTOR POLYCRISTALLIN EST DEVELOPPE EN CORRELANT DES ANALYSES SIMS ET DES CARACTERISATIONS ELECTRIQUES SUR DES TRANSISTORS DE GEOMETRIES ET DE NATURES DIFFERENTES. L'ETUDE DE LA STABILITE ELECTRIQUE DES TFTS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN EN REGIME SATURE, EST INTRODUITE PAR UNE ANALOGIE COMPORTEMENTALE AVEC LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN. APRES AVOIR PRESENTE DEUX MODELES RELATIFS A LA DEGRADATION DANS LE TRANSISTOR MONOCRISTALLIN ET A L'EFFET KINK DANS LES STRUCTURES MOS SUR ISOLANT, L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES DU TRANSISTOR (HYDROGENATION, LONGUEUR DE GRILLE, TYPE DU TRANSISTOR, PRESENCE DE LDD ET CRISTALLINITE DE LA COUCHE ACTIVE) SUR SA STABILITE ELECTRIQUE Y EST DEVELOPPEE. LES CONDITIONS DE POLARISATION DES TFTS POUR OBTENIR UN FONCTIONNEMENT STABLE SONT PRESENTEES POUR LES DIFFERENTS TYPES DE TFT.

Download or read book CARACTERISATION DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by FRANCOIS.. ROY and published by . This book was released on 1986 with total page 193 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ANALYSE DE L'EVOLUTION EN FONCTIONNEMENT DES TRANSISTORS COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE, BASEE SUR L'EVOLUTION DU COMPORTEMENT ELECTRIQUE, A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: LA CREATION DE LIAISONS BRISEES DANS LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR ET CORRESPONDANT A LA DISTRIBUTION DES NIVEAUX LOCALISES T3 DANS LA BANDE INTERDITE DU A-SI:H; L'AUGMENTATION DES ETATS DE SURFACE A L'INTERFACE SIO2/A-SI:H; L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE CARACTERISTIQUE DE LA DISTRIBUTION EXPONENTIELLE D'ETATS DE QUEUE DE BANDE. LE CHOIX DE LA PROCEDURE EXPERIMENTALE A PERMIS DE MONTRER QUE LE PROCESSUS: EST NON ACTIVE THERMIQUEMENT, INDUIT PAR LES PORTEURS LIBRES ACCUMULES DANS LE CANAL SOUS EFFET DE CHAMP ET QUE LA CINETIQUE DE CE MECANISME SUIT UNE LOI EN "TEMPS **(1/3"). PAR AILLEURS, L'ETUDE D'UN TRANSISTOR AMBIPOLAIRE MONTRE QUE LA DEGRADATION SOUS CONTRAINTE ELECTRIQUE EST UNE COMPOSANTE DE L'EFFET STAEBLER-WRONSKI. L'ACCUMULATION D'ELECTRONS LIBRES OU DE TROUS LIBRES CONDUIT, INDEPENDAMENT, A L'AUGMENTATION DES LIAISONS BRISEES

Download or read book SIMULATION NUMERIQUE ET CARACTERISATION D EFFETS BIDIMENSIONNELS DANS LES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by SANDRINE.. MARTIN and published by . This book was released on 1996 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE UNE ANALYSE BIDIMENSIONNELLE DU COMPORTEMENT DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES A BASE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. CETTE ETUDE EST EFFECTUEE A LA FOIS SUR LE PLAN EXPERIMENTAL ET SUR LE PLAN THEORIQUE GRACE AU DEVELOPPEMENT D'UN SIMULATEUR NUMERIQUE BIDIMENSIONNEL PRENANT EN COMPTE LES SPECIFICITES DU SILICIUM AMORPHE, ET PLUS PARTICULIEREMENT LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE. CE SIMULATEUR NOUS PERMET DE METTRE EN EVIDENCE LES MECANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU DANS DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR, A LA FOIS DANS L'OBSCURITE ET SOUS ECLAIREMENT. LORSQUE LE TFT EST DANS L'ETAT PASSANT, NOUS POUVONS OBSERVER UNE DEGRADATION SIGNIFICATIVE DES PERFORMANCES DU TRANSISTOR EN TERME DE MOBILITE D'EFFET DE CHAMP, QUI EST ATTRIBUEE A L'EXISTENCE DE RESISTANCES D'ACCES AU CANAL DE CONDUCTION DEPUIS LES CONTACTS DE SOURCE ET DE DRAIN. APRES AVOIR ANALYSE L'ORIGINE PHYSIQUE DE TELLES RESISTANCES PARASITES, NOUS PRESENTONS LEUR SENSIBILITE AUX PARAMETRES GEOMETRIQUES ET PHYSIQUES DU TFT. EN CE QUI CONCERNE LE COMPORTEMENT DU TFT SOUS ECLAIREMENT, NOUS METTONS TOUT D'ABORD EN EVIDENCE DIFFERENTS REGIMES DE FONCTIONNEMENT SELON LES PLAGES DE TENSION DE GRILLE CONSIDEREES. PUIS NOUS PRECISIONS LA NATURE PHYSIQUE DU COURANT DANS CHACUN DE CES REGIMES ET LE ROLE DES CONDITIONS DE POLARISATION ET D'ECLAIREMENT DU COMPOSANT, AINSI QUE L'INFLUENCE DES PARAMETRES GEOMETRIQUES ET DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES INTERNES DU TFT. ENFIN, NOUS METTONS A PROFIT L'ANALYSE DU COMPORTEMENT DU TFT SOUS ECLAIREMENT POUR ETUDIER LA STABILITE ELECTRIQUE DU COMPOSANT. PLUS PRECISEMENT, NOUS MONTRONS QU'IL EST POSSIBLE, GRACE A L'ETUDE DU COMPORTEMENT DU TFT SOUS ECLAIREMENT AVANT ET APRES CONTRAINTE, DE SEPARER LES EFFETS DE MODIFICATIONS DE LA QUALITE ELECTRONIQUE DE LA COUCHE DE SILICIUM DE CEUX DUS A L'INJECTION DE CHARGE DANS L'ISOLANT DE GRILLE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS

Download or read book Etude d tats localis s du silicium amorphe hydrog n et de leur stabilit par des mesures de courants thermostimul s dans des transistors couches minces written by Didier Gufflet and published by . This book was released on 1988 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE PREMIER CHAPITRE RAPPELLE LES GENERALITES CONCERNANT LE SILICIUM AMORPHE, LES TRANSISTORS COUCHES MINCES ET LEURS APPLICATIONS. LE CHAPITRE 2 EXPOSE LE PRINCIPE ET LA THEORIE DES MESURES PAR COURANTS THERMOSTIMULES AINSI QUE LE DISPOSITIF EXPERIMENTAL NECESSAIRE POUR REALISER LES MESURES. LE CHAPITRE 3 CONCERNE LES PRINCIPALES INFORMATIONS SUR LES ETATS LOCALISES DU A-SI:H OBTENUS APRES MESURES; EN PARTICULIER LES ETATS DE QUEUE DE BANDES DE CONDUCTION ET LES ETATS ASSOCIES AUX LIAISONS PENDANTES. DANS LE DERNIER CHAPITRE, ON S'INTERESSE A LA STABILITE DES TRANSISTORS COUCHES MINCES

Download or read book Contribution a l tude du silicium amorphe vapore en ultra vide et post hydrog ne written by Jean-Christophe Flachet and published by . This book was released on 1983 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau

Download or read book Etude des propri t s des transistors en couches minces base de silicium microcristallin pour des applications d cran plats matrice active written by Maher Oudwan and published by . This book was released on 2007 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail a pour but d'étudier les mécanismes du courant de drain en régime bloqué dans les transistors en couches minces (TFT) à base de silicium microcristallin (~c-Si:H), ainsi que ceux de la dérive de la tension de seuil. Pour cela nous avons fabriqué des TFT en ~c-Si:H. Nous avons déterminé les mécanismes du courant en régime bloqué pour les champs électriques modérés: il s'agit de la :onduction de type Poole Frenkel, et pour les forts champs, c'est un courant de type effet tunnel bande 3 bande. Nous avons identifié un phénomène de courant parasite en régime bloqué qui s'ajoute au :ourant intrinsèque, et qui est spécifique aux TFT en ~c-Si:H. Il provient d'une contamination en )xygène pendant le procédé de fabrication. L'oxygène, présent sur le canal arrière, diffuse et/ou s'active Jendant la passivation finale en SiNx et dope le canal arrière. Une solution pour réduire ce courant Jarasite est d'ajouter une couche de silicium amorphe au dessus du ~c-Si:H pour protéger le canal 3rrière, ou bien de diminuer la température de dépôt du ~c-Si:H. Concernant la dérive de tension de ;euil, nous avons pu établir que le piégeage de charges dans le SiNx est le mécanisme dominant.

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION D UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A EMETTEUR EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by ABDELMAJID.. EL GHARIB and published by . This book was released on 1989 with total page 190 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL EST LA REALISATION ET LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DE TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN A EMETTEUR ENTIEREMENT CONSTITUE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE DOPE AU PHOSPHORE. MISE AU POINT D'UN PROCEDE DE FABRICATION. LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES PREMIERS TRANSISTORS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE: L'EFFET TRANSISTOR, UN GAIN EN COURANT DE 150 AYANT ETE ATTEINT; LA NECESSITE DE DIMINUER LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H DOPE. OBTENTION D'UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET D'UNE MEILLEURE CONDUCTIVITE EN JOUANT SUR LES PARAMETRES DE DEPOT. UN MODELE SIMPLE DE CONDUCTION A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES PARAMETRES PHYSIQUES IMPORTANTS QUI PEUVENT AMELIORER LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS. DE NOUVEAUX TRANSISTORS ONT ETE FABRIQUES EN TENANT COMPTE DE CES RESULTATS. L'ANALYSE DE LEUR COMPORTEMENT ELECTRIQUE MONTRE QUE LA RESISTIVITE DE LA COUCHE DE A-SI:H JOUE UN ROLE PREPONDERANT. UNE ETUDE EN FONCTION DU DOPAGE DE LA BASE A MONTRE QUE LES GAINS OBTENUS ETAIENT SYSTEMATIQUEMENT SUPERIEURS A LEUR CONTREPARTIE A EMETTEUR EN SILICIUM MONOCRISTALLIN

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM NANOCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE written by ABDELLATIF.. ACHIQ and published by . This book was released on 1998 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEUX CATEGORIES DE COUCHES DE SILICIUM NANOCRISTALLIN OBTENUES PAR PULVERISATION RF ONT FAIT L'OBJET DE CET ETUDE. L'UNE A ETE THERMIQUEMENT CRISTALLISEE APRES DEPOT A DIFFERENTES PRESSIONS PARTIELLES D'HYDROGENE, ALORS QUE LA DEUXIEME CONSISTE EN DES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT (T#S). LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET PHYSIQUES DE CES COUCHES ONT ETE REALISEES A L'AIDE D'UNE PANOPLIE DE TECHNIQUES EXPERIMENTALES TELLES QUE IR, RAMAN, DRX, MET, ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOLUMINESCENCE. LES MECANISMES DE CRISTALLISATION DANS LES COUCHES SE SONT REVELES TRIBUTAIRES, POUR UNE LARGE PART, DE LA PRESENCE ET DE LA CONCENTRATION DES ESPECES OU DES RADICAUX D'HYDRURE SIH#2, SOIT DANS LES FILMS DE BASE POUR LES COUCHES THERMIQUEMENT CRISTALLISEES, SOIT DANS LE PLASMA POUR LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES. DANS LA PREMIERE CATEGORIE DE COUCHES, LES EFFETS DE SIH#2 SE TRADUISENT PAR LA RELAXATION AU COURS DU RECUIT DE LA STRUCTURE CRISTALLISEE. CELLE-CI A ETE MISE EN EVIDENCE PAR LE COMPORTEMENT DE LA CONTRAINTE ET CONFORTEE PAR LA VARIATION DES QUEUES DE BANDES OU ENERGIE D'URBACH LAQUELLE REFLETE LE DESORDRE DANS LE MATERIAU. LE DEGRE DE CE DESORDRE SEMBLE DETERMINER LA LARGEUR DU GAP OPTIQUE ET LES ETENDUES DES DOMAINES DE VALIDITE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. CONCERNANT LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES, LA FRACTION CRISTALLINE F#C ET LA TAILLE DES GRAINS MONTRENT UNE AUGMENTATION GRADUELLE AVEC T#S. L'ORIGINE DE CE COMPORTEMENT RESIDE DANS LES MECANISMES REACTIONNELS ENTRE LES RADICAUX SIH#2 ET LA SURFACE DE LA COUCHE QUI RESULTE EN UN PROCESSUS DE GRAVURE SELECTIVE DES LIAISONS FAIBLES OU SOUS CONTRAINTE CONDUISANT A LA RELAXATION DE LA STRUCTURE VERS L'ETAT CRISTALLIN. LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET LE GAP OPTIQUE E#O ONT MONTRE DES VARIATIONS SPECTACULAIRES EN FONCTION DE T#S DUES PRINCIPALEMENT A L'ACCROISSEMENT DE F#C : ACCUSE UN GAIN DE 7 ORDRES DE GRANDEUR ET E#O DECROIT DE 2,40 EV A 1,95 EV. LA FORMATION D'UNE COUCHE TAMPON AMORPHE POUR LES BASSES T#S A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SPECIFIQUE QUI A MONTRE LA POSSIBILITE DE SA RECRISTALLISATION SUITE A UN SIMPLE RECUIT A UNE TEMPERATURE RELATIVEMENT BASSE (150C) QUI IMPLIQUE LE ROLE CRITIQUE DES ESPECES SIH#2.

Download or read book REALISATION ET CARACTERISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A BASE DE COUCHES LANGMUIR BLODGETT CONDUCTRICES written by LAURENT.. AGUILHON and published by . This book was released on 1996 with total page 124 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'UTILISATION DE MATERIAUX ORGANIQUES COMME COUCHE ACTIVE DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES A SUSCITE CES DERNIERES ANNEES UN REEL INTERET. LA SIMPLICITE ET LE FAIBLE COUT DES TECHNIQUES MISES EN JEU LAISSE ENTREVOIR DE NOMBREUSES APPLICATIONS TELLES QUE DES DIODES ELECTROLUMINESCENTES, DES CAPTEURS DE GAZ, OU ENCORE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP. TOUTEFOIS LES VALEURS DE MOBILITE RENCONTREES DANS LES MATERIAUX ORGANIQUES CONDUCTEURS (DE L'ORDRE DE 10#-#4 CM#2/V.S) RESTENT ENCORE FAIBLES PAR RAPPORT A CELLES DU SILICIUM AMORPHE OU DU SILICIUM HYDROGENE (DE L'ORDRE DE 10 CM#2/V.S), ET FREINENT LE DEVELOPPEMENT DE CES APPLICATIONS. L'ETUDE PRESENTEE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA REALISATION ET LA CARACTERISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A BASE DE COUCHES LANGMUIR-BLODGETT D'EDT-TTF(SC#1#8)#2. APRES AVOIR JUSTIFIE DU CHOIX DE LA CONDUCTANCE DE DRAIN COMME PARAMETRE D'ETUDE, LES TENDANCES GENERALES CONCERNANT LES RESEAUX DE CARACTERISTIQUES OBTENUS SONT PRESENTEES, CE QUI PERMET NOTAMMENT DE METTRE EN EVIDENCE LA PRESENCE DE PIEGES STATIQUES ET DYNAMIQUES A L'INTERFACE. LA SUITE DE L'ETUDE PORTE PLUS PARTICULIEREMENT SUR LES PROBLEMES DE VIEILLISSEMENT ET DE STABILITE ELECTRIQUE. UNE INTERPRETATION PHENOMENOLOGIQUE DES MECANISMES DE COMMANDE ET DE CONDUCTION DANS LES COUCHES, BASEE D'UNE PART SUR LA PRESENCE DE NIVEAUX ACCEPTEURS DANS LE CANAL DE CONDUCTION, D'AUTRE PART SUR L'HYPOTHESE DE JOINTS DE GRAIN QUI SE DILATENT OU SE RETRACTENT SOUS L'EFFET DE LA TEMPERATURE, EST PROPOSEE ET, FIN DE MANUSCRIT

Download or read book STABILITE DE STRUCTURES METAL ISOLANT SEMI CONDUCTEUR A BASE DE SILICIUM AMORPHE ET SILICIUM POLYCRISTALLIN SOUS L EFFET DE CONTRAINTES EN TENSION D APRES DES MESURES DE CAPACITE written by JEROME.. REYNAUD and published by . This book was released on 1996 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CETTE ETUDE PORTE SUR DES STRUCTURES METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR (MIS) A BASE DE SILICIUM AMORPHE ET DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EN RELATION AVEC L'APPLICATION AUX ECRANS PLATS A CRISTAUX LIQUIDES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES (TFT). L'ANALYSE THEORIQUE DES MESURES DE CAPACITE QUASI-STATIQUE ET QUASI-STATIONNAIRE MET L'ACCENT SUR LA PRISE EN COMPTE D'UN CONTINUUM D'ETATS LOCALISES DANS LE VOLUME DU SEMI-CONDUCTEUR AMORPHE. POUR LE SILICIUM POLYCRISTALLIN, NOUS AVONS COMPARE DEUX METHODES D'HYDROGENATION: L'HYDROGENATION AU MOYEN D'UNE COUCHE DE NITRURE DE SILICIUM HYDROGENEE ET L'HYDROGENATION PAR UN PLASMA MICRO-ONDE. L'HYDROGENATION PAR NITRURATION AMELIORE LA DENSITE D'ETATS PAR RAPPORT A LA STRUCTURE NON HYDROGENEE. CEPENDANT, LA DENSITE RESTE ELEVEE ET DES POST-RECUITS A BASSE TEMPERATURE NE CONDUISENT PAS A UNE AMELIORATION IMPORTANTE. L'HYDROGENATION PAR PLASMA MICRO-ONDE DONNE UNE DENSITE D'ETATS PLUS FAIBLE. LES RESULTATS TIRES DE MESURES DE CAPACITE DE STRUCTURES MIS ET DES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION I#D(V#G) DES TFT PRESENTENT LA MEME EVOLUTION EN FONCTION DE RECUITS SUCCESSIFS DE 200C A 450C. SUR LES STRUCTURES A BASE DE SILICIUM AMORPHE, NOUS AVONS ETUDIE L'EFFET DE CONTRAINTES EN TENSION A DIFFERENTES TEMPERATURES. A TEMPERATURE AMBIANTE, SEULES LES CONTRAINTES POSITIVES ONT UN EFFET SUR LES DIODES MIS. LES MEMES LOIS REGISSENT L'EVOLUTION TEMPORELLE DES TENSIONS CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS ET DES STRUCTURES MIS SOUS L'EFFET DE CONTRAINTES DE DUREE VARIABLE REALISEES A 100C. AVEC DES CONTRAINTES A 200C, LES RESULTATS TIRES DES MESURES DE CAPACITE QUASI-STATIQUE MONTRENT QUE LES CONTRAINTES INDUISENT UNE MODIFICATION DE LA DENSITE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LE SEMI-CONDUCTEUR. FINALEMENT, SEULES LES STRUCTURES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN HYDROGENE PAR PLASMA MICRO-ONDE PRESENTENT UNE DENSITE D'ETATS D'INTERFACE COMPARABLE A LA DENSITE D'ETATS RAMENEE A L'INTERFACE DES STRUCTURES A BASE DE SILICIUM AMORPHE

Download or read book Mod lisation physique et compacte de transistors en couches minces base de silicium amorphe ou microcristallin written by Jong Woo Jin and published by . This book was released on 2012 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans le but de développer un modèle compact spécifique aux transistors en couches minces (TFT) à base de silicium amorphe ou microcristallin, nous présentons dans ce manuscrit nos études sur l'optimisation des modèles compacts et des méthodes d'extraction des paramètres et, surtout, différents phénomènes présents dans la physique de ces TFTs. Nous proposons une méthode plus robuste d'extraction des paramètres, qui, différemment des méthodes conventionnelles, ne néglige pas la résistance d'accès, diminuant ainsi la subjectivité du procédé de l'extraction. La résistance d'accès dans les différentes structures a été analysée. Pour la structure top-gate coplanar, nous nous sommes focalisés sur des raisons géométriques pour montrer la dépendance de la résistance d'accès en tension de grille. Pour la structure bottom-gate staggered, nous avons introduit l'approche de transport-diffusion au modèle de current crowding, en prouvant la dépendance en tension de grille et en courant en raison de la diffusion des électrons. Le comportement dynamique a été étudié en couplant mesures expérimentales et simulations par éléments finis, en associant les capacités intrinsèques des TFTs avec le temps de retard d'allumage. Nous avons observé l'évolution temporelle du canal lors de sa création ou de sa disparition et nous avons ainsi proposé un modèle qui décrit sa propagation dans un TFT. Nous avons enfin étudié le phénomène de vieillissement des TFTs et nous avons mis en évidence la localisation de la dégradation et de la relaxation dans un TFT sous un stress électrique avec la tension de drain non-nulle.

Download or read book Mod les statique et dynamique de silicium amorphe hydrog n written by Normand Mousseau and published by . This book was released on 1990 with total page 200 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: