Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES COUCHES MINCES DE MONOXYDE DE SILICIUM written by NUGUYEN THIEN PHAP. and published by . This book was released on 1977 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CARACTERISATION DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION "FLASH" (EMISSION RX, ABSORPTION INFRAROUGE ET ANALYSE DE COMPOSITION). MESURES ELECTRIQUES DES STRUCTURES METAL-SIO-METAL. INTERPRETATIONS.
Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES COUCHES MINCES DE MONOXYDE DE SILICIUM written by Thien Phap Nguyen and published by . This book was released on 1987 with total page 478 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PROPRIETES DES COUCHES MINCES OBTENUES PAR EVAPORATION THERMIQUE DE LA POUDRE DE MONOXYDE DE SILICIUM DANS DES CONDITIONS PRECISES SOUS FORME DE STRUCTURES SYMETRIQUES AL-SIO-AL OU DISSYMETRIQUES AL-SIO-NI
Download or read book Contribution l tude des propri t s lectriques et cristallographiques de l oxyde de silicium en couches minces written by Jacques Pivot and published by . This book was released on 1969 with total page 110 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Contribution l tude de la d gradation des couches d oxyde de silicium ultra minces sous contraintes lectriques written by Damien Zander and published by . This book was released on 2002 with total page 179 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'intégration de plus en plus importante des composants exige une diminution de l'épaisseur d'oxyde qui est à l'origine de courants de fuite de grille entraînant la dégradation des technologies CMOS. Nous touchons actuellement aux limites physiques des couches de silice, alors que les matériaux susceptibles de remplacer la silice ne sont toujours pas opérationnels, il est donc capital de mettre en évidence et de caractériser les processus de dégradation mis en jeu lors de l'utilisation même des composants. Sur des structures MOS d'épaisseur d'oxyde inférieure à 3nm, nous avons suivi la dégradation du courant de fuite de grille (LVSILC) et de l'interface Si/SiO2, sous différentes contraintes électriques. A partir de nos résultats, nous avons montré que l'augmentation du LVSILC n'était pas due simplement à l'augmentation des états d'interface mais qu'il pouvait y avoir une contribution de pièges dans l'oxyde, induit par la libération d'espèces hydrogénées dans le volume de l'oxyde.
Download or read book Influence des d fauts li s au silicium sur les propri t s du monoxyde de silicium en couches minces written by Jacques Pivot and published by . This book was released on 1976 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Contribution l tude du monoxyde de silicium written by Jean-Claude Collignon and published by . This book was released on 1968 with total page 117 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM OBTENUES PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES HMDSO TEOS written by CHRISTIAN.. BOURREAU and published by . This book was released on 1992 with total page 135 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE A POUR SUJET L'ELABORATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE DE SILICIUM PAR PLASMA DE COMPOSES ORGANOSILICIES (HMDSO ET TEOS). L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR DE DEPOT SUR LA VITESSE DE CROISSANCE DES COUCHES MINCES A MONTRE L'IMPORTANCE DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT. QUEL QUE SOIT LE PRECURSEUR GAZEUX UTILISE, CETTE VITESSE DECROIT SENSIBLEMENT AVEC LA TEMPERATURE. DIFFERENTES TECHNIQUES D'ANALYSE ONT PERMIS DE TESTER LA QUALITE DES FILMS OBTENUS: MESURE DE L'INDICE OPTIQUE ET DE LA VITESSE D'ATTAQUE PAR HF, CARACTERISATION ELECTRIQUE A L'AIDE DE STRUCTURES MOS. L'ANALYSE CHIMIQUE, EFFECTUEE ESSENTIELLEMENT PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE, MONTRE QUE LES FILMS POSSEDANT DES PROPRIETES PHYSIQUES INTERESSANTES ONT UNE STRUCTURE TRES PROCHE DE LA SILICE STCHIOMETRIQUE. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX PRECEDENTS ONT PERMIS DE DEGAGER LES CARACTERISTIQUES DU MODE DE CROISSANCE. L'ETUDE DE COUCHES REALISEES, A TITRE COMPARATIF, A PARTIR DU SILANE, A CONDUIT A DES RESULTATS TRES DIFFERENTS. EN UTILISANT LE SILANE, LA FORMATION DU FILM EST PRINCIPALEMENT CONTROLEE PAR DES REACTIONS INITIEES DANS LE PLASMA. POUR LES COMPOSES ORGANOMETALLIQUES, LA CROISSANCE EST CONTROLEE PAR DES REACTIONS SE DEROULANT A LA SURFACE DU SUBSTRAT. DANS CE CAS LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION JOUENT UN ROLE PRIMORDIAL. UN MECANISME REACTIONNEL COMPLET A ETE PROPOSE POUR LES DEPOTS REALISES A PARTIR DE HMDSO. L'ETUDE DES RECOUVREMENTS DE MARCHE A PERMIS D'ETABLIR UNE CORRELATION ETROITE ENTRE LE MODE DE CROISSANCE ET LA CONFORMITE DU DEPOT. LE RECOUVREMENT DE MARCHES PAR LES FILMS REALISES A PARTIR DU SILANE EST CARACTERISTIQUE D'UNE CROISSANCE ISOTROPE, ET DONC DE TRES MAUVAISE QUALITE. UNE AMELIORATION TRES NETTE DE CE RECOUVREMENT, CONTROLE PAR LES PHENOMENES D'ADSORPTION ET DE DESORPTION, EST OBSERVEE POUR LES DEPOTS OBTENUS A PARTIR DES COMPOSES ORGANOSILICIES
Download or read book Contribution l tude des couches minces obtenues par oxydation anodique du silicium propri t s du di lectrique et de l interface semiconducteur di lectrique written by René Nannoni and published by . This book was released on 1969 with total page 154 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book ETUDE DES COUCHES ULTRA MINCES DE SIO 2 SUR SILICIUM PAR SIMULATION A L ECHELLE ATOMIQUE written by ADAMA.. TANDIA and published by . This book was released on 1998 with total page 128 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE DE LA STRUCTURE DES COUCHES ULTRA MINCES DE DIOXYDE DE SILICIUM SUR SILICIUM PAR LA SIMULATION A L'ECHELLE ATOMIQUE. DANS CE BUT, IL EST PRESENTE UNE SYNTHESE DES MODELES D'OXYDATION DU SILICIUM. IL EST MIS EN EVIDENCE LES LIMITES ET FAIBLESSES DE LA MODELISATION CONTINUE, ET LA NECESSITE D'INTRODUIRE LA SIMULATION A L'ECHELLE ATOMIQUE POUR AIDER A MIEUX COMPRENDRE LE MECANISME DE FORMATION DES COUCHES ULTRA MINCES. DIFFERENTS MODELES ONT A CET EFFET ETE INTRODUITS. LE MODELE DES POTENTIELS MULTICORPS, CHOISI POUR FAIRE CETTE ETUDE, EST AINSI DECRIT, PUIS VALIDE SUR LA BASE DES CARACTERISTIQUES PHYSIQUES ET GEOMETRIQUES DU SILICIUM ET DE L'OXYDE DE SILICIUM. UNE AUTRE APPROCHE DE VALIDATION A CONCERNE LA COMPARAISON DES SITES PREFERENTIELS D'ENERGIE MINIMALE DE L'OXYGENE SUR UNE SURFACE SI(001) TROUVES PAR LA METHODE AB INITIO, VIA LES EQUATION DE KONH-SHAM, ET LA METHODE DES POTENTIELS MULTICORPS. CETTE DERNIERE S'EST AVEREE ETRE UNE BONNE APPROXIMATION DE LA METHODE AB INITIO, VUE PAR LA THEORIE DE LA FONCTIONNELLE DE DENSITE. IL A ALORS ETE DISCUTE DE L'OPPORTUNITE ET DE L'INTERET DE COUPLER LES DEUX APPROCHES. LA METHODE DES POTENTIELS MULTICORPS EST PAR LA SUITE APPLIQUEE A L'INVESTIGATION SUR LA STRUCTURE CRISTALLINE DE L'OXYDE NATIF SUR SILICIUM, LES RUGOSITE ET DISTRIBUTION DES CONTRAINTES A L'INTERFACE SI/SIO#2, ET FINALEMENT A L'ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA DENSITE DES LACUNES SUR LA CONTRAINTE ET LA RUGOSITE DANS LA REGION D'INTERFACE.
Download or read book Croissance et caract risations de couches minces d oxydes constante di lectrique lev e sur silicium written by Minh-Tri Ta and published by . This book was released on 2009 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail est consacré à la croissance sur substrat de silicium de films minces d’oxydes d’yttrium (Y2O3) et l’oxyde de cérium (CeO2). La technique de dépôt utilisée est la pulvérisation cathodique RF magnétron. Y2O3 est déposé à partir d’une cible d’yttrium métallique, la pulvérisation s’effectuant à partir d’un mélange gazeux Argon / Oxygène. Les couches minces d’oxyde de cérium sont obtenues par pulvérisation d’une cible de CeO2 par de l’Argon. La température de croissance est comprise entre 200 °C et 800 °C. Le recuit éventuel des films d’oxyde est effectué soit par un recuit thermique conventionnel, soit par une technique de recuit rapide. Dans un 1er temps, nous présentons, en fonction des paramètres de croissance, les propriétés structurales extraites de mesures de diffraction de rayons X et de spectroscopie Raman. Dans un 2e temps sont exposés les résultats des mesures électriques de type capacité-tension effectués sur les condensateurs de type MOS à base des couches d’Y2O3 et de CeO2. Leur analyse permet de qualifier et quantifier les défauts électriquement actifs que sont les charges dans l’oxyde et les états à l’interface oxyde / silicium, dont la densité dépend des conditions de croissance et de recuit. Finalement, une étude de la sensibilité de ces dispositifs aux rayonnements gamma et aux neutrons est présentée. Une corrélation est faite entre la qualité cristalline des couches minces, la densité de charges tant dans l’oxyde qu’à l’interface oxyde/silicium et la sensibilité des dispositifs. Ces résultats montrent en particulier que pour les condensateurs à base d’Y2O3, des densités de défauts importantes confèrent une plus grande sensibilité aux rayons gamma
Download or read book ETUDE PAR TRACAGE ISOTOPIQUE A L OXYGENE 18 DES MECANISMES DE TRANSPORT ATOMIQUE DANS LES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM ET D OXYDE DE TANTALE SUR SILICIUM written by FRANCOIS.. ROCHET and published by . This book was released on 1981 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book Etude exp rimentale de la conductibilit lectrique des couches minces complexes de chrome et de monoxyde de silicium written by Daniel David and published by . This book was released on 1965 with total page 122 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:
Download or read book NITRURATION DES COUCHES MINCES D OXYDE DE SILICIUM PAR ACTIVATION THERMIQUE ET PAR STIMULATION ELECTRONIQUE written by AHMAD.. BENAMAR and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA NITRURATION SUPERFICIELLE DES COUCHES TRES MINCES (130 A) DE SIO#2 EST EFFECTUEE PAR DIFFERENTES TECHNIQUES (BT, HT, RTN). LA NITRURATION A BASSE PRESSION (BT OU HT) PERMET DE SITUER LA REACTION DE NITRURATION A LA SURFACE DE LA SILICE, EMPECHANT AINSI LA DIFFUSION DES ESPECES NITRURANTES. DE MEME, LA RTN EVITE LA MIGRATION DE L'AZOTE DANS LA MASSE DE LA SILICE ET LA REDISTRIBUTION DES DOPANTS. L'ANALYSE PHYSICO-CHIMIQUE (SIMS, AES, IRS, RS) A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LA NITRURATION DE LA SURFACE DE LA SILICE ET DE CONTROLER LES PHENOMENES DE MIGRATION D'AZOTE A L'INTERFACE SI-SIO2 ET A REVELE LES DIFFERENTES LIAISONS CHIMIQUES (SI-N,SI-H,O-H,N-H) SUSCEPTIBLE D'ETRE A L'ORIGINE D'UN PIEGEAGE-DEPIEGEAGE DES PORTEURS. L'ANALYSE A PERMIS DE SUIVRE L'EVOLUTION DE VFB DE LA RIGIDITE DIELECTRIQUE ET DES HAUTEURS DE BARRIERE INTERFACIALES EN FONCTION DE LA NITRURATION. DIFFERENTS TYPES DE PIEGES CREES LORS DE LA NITRURATION ONT ETE DETECTES ET CARACTERISES (CONCENTRATION, SECTION EFFICACE, BARYCENTRE). LA QUALITE DE L'INTERFACE (DENSITE D'ETATS) DEPEND DES CONDITIONS ET PARAMETRES DE LA NITRURATION, DE LA QUALITE DE L'OXYDE: SI LE DESORDRE INTERFACIAL EST INITIALEMENT ELEVE, IL EST AUGMENTE APRES NITRURATION, L'AMPLITUDE DE CETTE VARIATION DEPEND DU MODE DE NITRURATION (CONTINU, SEQUENTIEL). EN RTN LA DENSITE N#I#T DIMINUE QUAND LE TEMPS DE NITRURATION AUGMENTE. GLOBALEMENT, LA NITRURATION PERMET D'AVOIR DES ISOLANTS DE BONNES QUALITES ET PEUT ETRE UN PROCEDE DE PASSIVATION EFFICACE. SI LES CONDITIONS DE NITRURATION SONT OPTIMISEES LES ISOLANTS PEUVENT DEVENIR MEILLEURS QUE LES OXYDES
Download or read book Contribution a l tude de couches minces obtenues par implantation ionique diffusion en phase solide et pulv risation cathodique r active written by André Guivarc'h and published by . This book was released on 1980 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans une première partie, étude des processus induits par implantation ionique utilisée en tant que méthode de dopage du silicium et méthode de formation de couches isolantes. La seconde partie traite du problème des interfaces métal-silicium qui occupent une position centrale dans la technologie des circuits intègres: l'étude, axée sur l'aspect métallurgique du problème, est limitée au cas du platine, du molybdène et du chrome, métaux susceptibles de former avec le silicium des composes définis. Enfin, la dernière partie est consacrée a l'élaboration et a la caractérisation d'un matériau nouveau, le carbure de silicium hydrogène dépose en couches minces par pulvérisation cathodique réactive.
Download or read book Contribution l tude des m canismes de d gradation de l interface silicium oxyde de silicium sous l effet d injection de porteurs en r gime Fowler Nordheim written by Abdellah Mir and published by . This book was released on 1993 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (
Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU SILICIUM NANOCRISTALLIN EN COUCHE MINCE OBTENU PAR PULVERISATION RADIOFREQUENCE written by ABDELLATIF.. ACHIQ and published by . This book was released on 1998 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DEUX CATEGORIES DE COUCHES DE SILICIUM NANOCRISTALLIN OBTENUES PAR PULVERISATION RF ONT FAIT L'OBJET DE CET ETUDE. L'UNE A ETE THERMIQUEMENT CRISTALLISEE APRES DEPOT A DIFFERENTES PRESSIONS PARTIELLES D'HYDROGENE, ALORS QUE LA DEUXIEME CONSISTE EN DES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT (T#S). LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET PHYSIQUES DE CES COUCHES ONT ETE REALISEES A L'AIDE D'UNE PANOPLIE DE TECHNIQUES EXPERIMENTALES TELLES QUE IR, RAMAN, DRX, MET, ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOLUMINESCENCE. LES MECANISMES DE CRISTALLISATION DANS LES COUCHES SE SONT REVELES TRIBUTAIRES, POUR UNE LARGE PART, DE LA PRESENCE ET DE LA CONCENTRATION DES ESPECES OU DES RADICAUX D'HYDRURE SIH#2, SOIT DANS LES FILMS DE BASE POUR LES COUCHES THERMIQUEMENT CRISTALLISEES, SOIT DANS LE PLASMA POUR LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES. DANS LA PREMIERE CATEGORIE DE COUCHES, LES EFFETS DE SIH#2 SE TRADUISENT PAR LA RELAXATION AU COURS DU RECUIT DE LA STRUCTURE CRISTALLISEE. CELLE-CI A ETE MISE EN EVIDENCE PAR LE COMPORTEMENT DE LA CONTRAINTE ET CONFORTEE PAR LA VARIATION DES QUEUES DE BANDES OU ENERGIE D'URBACH LAQUELLE REFLETE LE DESORDRE DANS LE MATERIAU. LE DEGRE DE CE DESORDRE SEMBLE DETERMINER LA LARGEUR DU GAP OPTIQUE ET LES ETENDUES DES DOMAINES DE VALIDITE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. CONCERNANT LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES, LA FRACTION CRISTALLINE F#C ET LA TAILLE DES GRAINS MONTRENT UNE AUGMENTATION GRADUELLE AVEC T#S. L'ORIGINE DE CE COMPORTEMENT RESIDE DANS LES MECANISMES REACTIONNELS ENTRE LES RADICAUX SIH#2 ET LA SURFACE DE LA COUCHE QUI RESULTE EN UN PROCESSUS DE GRAVURE SELECTIVE DES LIAISONS FAIBLES OU SOUS CONTRAINTE CONDUISANT A LA RELAXATION DE LA STRUCTURE VERS L'ETAT CRISTALLIN. LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET LE GAP OPTIQUE E#O ONT MONTRE DES VARIATIONS SPECTACULAIRES EN FONCTION DE T#S DUES PRINCIPALEMENT A L'ACCROISSEMENT DE F#C : ACCUSE UN GAIN DE 7 ORDRES DE GRANDEUR ET E#O DECROIT DE 2,40 EV A 1,95 EV. LA FORMATION D'UNE COUCHE TAMPON AMORPHE POUR LES BASSES T#S A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SPECIFIQUE QUI A MONTRE LA POSSIBILITE DE SA RECRISTALLISATION SUITE A UN SIMPLE RECUIT A UNE TEMPERATURE RELATIVEMENT BASSE (150C) QUI IMPLIQUE LE ROLE CRITIQUE DES ESPECES SIH#2.
Download or read book OXYDATION PHOTO ASSISTEE DU SILICIUM PAR LASER AU CO2 CONTINU ET CONTRIBUTION A L ETUDE DES COUCHES DE SILICE OBTENUES written by Annie Guedj and published by . This book was released on 1987 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES CARACTERISTIQUES DE "L'OXYDE LASER" OBTENU SONT ETUDIEES: 1)GRACE AU CONTROLE DE TEMPERATURE PAR PYROMETRIE EN CE QUI CONCERNE LA CINETIQUE DE CROISSANCE. 2) A PARTIR DE MESURES C(V) ET I(V) EN CE QUI CONCERNE LES PROPRIETES ELECTRIQUES. 3) PAR SPECTROMETRIE IR EN CE QUI CONCERNE LES PROPRIETES PHYSIQUES. CES CARACTERISTIQUES SONT ENSUITE COMPAREES A CELLES DE L'OXYDE THERMIQUE CONVENTIONNEL. ENFIN, PAR LA REALISATION DE TRANSISTORS M.O.S. A "OXYDE LASER" (OXYDE DE GRILLE), NOUS AVONS MONTRE QUE CE MODE D'OXYDATION ASSISTEE PAR LASER PEUT ETRE UTILISE DANS LES TECHNOLOGIES M.O.S.
