Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE L EFFET STAEBLER ET WRONSKI DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by HATEM.. LABIDI and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE EXPERIMENTALE PAR SPECTROSCOPIE D'ADMITTANCE ET MESURES OPTIQUES. IL EST IMPOSSIBLE D'INTERPRETER L'EFFET STAEHLER-WRONSKI DANS LE CADRE DU SEUL MODELE DE LIAISON FAIBLE. INTERPRETATION D'UNE PARTIE DE CET EFFET AVEC LE MODELE DES LIAISONS BRISEES A ENERGIE DE CORRELATION NEGATIVE

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE INTRINSEQUE MODELISATION PHENOMENOLOGIQUE ET APPLICATION A UN NOUVEAU MATERIAU OBTENU PAR DECOMPOSITION DE MELANGES SILANE HELIUM ASSISTEE PAR PLASMA written by STEPHANE.. VIGNOLI and published by . This book was released on 1995 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ON ETUDIE LES PHENOMENES DE METASTABILITE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (A-SI:H) ET NOTAMMENT L'EFFET STAEBLER-WRONSKI QUI CONSISTE EN LA CREATION DE DEFAUTS DE COORDINATION METASTABLES SOUS LUMIERE. UN PHENOMENE NOUVEAU, A SAVOIR LA GUERISON DE CES DEFAUTS PAR LA LUMIERE, NOUS A AMENE A REDISCUTER LES MODELES PHENOMENOLOGIQUES EXISTANTS. IL EST ALORS APPARU NECESSAIRE DE DEVELOPPER UN NOUVEAU MODELE. CE DERNIER POSTULE QUE LA CREATION DE DEFAUTS EST DUE A LA RECOMBINAISON DE PAIRES ELECTRONS-TROUS ET QUE LA GUERISON DES DEFAUTS EST CAUSEE PAR LA CAPTURE DE TROUS PAR CES MEMES DEFAUTS. DANS UN SECOND TEMPS CE MODELE EST APPLIQUE AUX RESULTATS OBTENUS SUR DES FILMS DE A-SI:H DEPOSES DANS DE NOUVELLES CONDITIONS ; CE QUI A SERVI DE TEST POUR VALIDER NOTRE MODELE. L'EXTENSION DE L'ETUDE A UNE LARGE GAMME DE FILMS A MONTRE QUELE A-SI:H OPTIMAL, I.E. LE PLUS STABLE SOUS ILLUMINATION, ETAIT OBTENU A PARTIR DE MELANGES SILANE-HELIUM A 350C

Download or read book D gradation effet Staebler Wronski et caract risation des cellules solaires base de silicium amorphe hydrog ne a Si H written by Aboubacar Namoda and published by . This book was released on 1999 with total page 482 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Dans cette thèse, la dégradation c'est-à-dire le vieillissement réversible appelé communément Effet Staebler-Wronski a été profondément étudié et des solutions pour y remédier ont été proposées. Entre autres des cellules triples et tandem ont été analysées. Un des avantages du silicium amorphe hydrogène par rapport au silicium cristallin, c'est aussi sa flexibilité. C'est à dire qu'on peut réaliser des structures tandem ou triples avec ce matériau, ce qui est impossible de réaliser avec du silicium cristallin. Logiquement ceci devrait conduire à doubler ou même à tripler le rendement d'une cellule. J'ai étudié l'influence des propriétés structurelles et optoélectroniques des alliages a-Si1-x Gex:H sur la performance des cellules solaires simples et multijonction à base de a-Si1-x Gex:H. Pour ce matériau, j'ai observé deux régimes : l'un (x ≤ 0.4 correspondant à Eg = 1.5eV) montre des densités de défauts basses et des énergies d'Urbach basses. Pour x > 0.4, les densités de défauts augmentent ainsi que les énergies d'Urbach. Pour étudier l'influence des propriétés des couches sur la performance des cellules solaires, plusieurs séries de cellules à jonction simple avec des couches a-Six-1 Gex:H et aussi avec des différentes bandes interdites ont été utilisées

Download or read book Contribution a l etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene written by Didier Jousse and published by . This book was released on 1986 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude du silicium amorphe hydrog n written by Adnan Mini and published by . This book was released on 1982 with total page 209 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution a l tude du silicium amorphe vapore en ultra vide et post hydrog ne written by Jean-Christophe Flachet and published by . This book was released on 1983 with total page 96 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau

Download or read book Contribution a l analyse du silicium amorphe hydrogene par les methode nucleaires written by L. Jeannerot and published by . This book was released on 1980 with total page 62 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DU TRANSPORT ELECTRONIQUE DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by OLIVIER.. GLODT and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE DEVELOPPEMENT DE DISPOSITIFS UTILISANT LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE COMME MATERIAU DE BASE: DIODE SCHOTTKY ET PIN POUR LES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES, STRUCTURES MIS POUR LES APPLICATIONS AUX ECRANS PLATS, MOTIVE EVIDEMMENT LES ETUDES MENEES SUR LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE TRANSPORTS. EN FAIT, LE TRANSPORT EST DOMINE PAR LES ETATS LOCALISES A DES ENERGIES COMPRISES ENTRE LE BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION ET LE HAUT DE LA BANDE DE VALENCE (BANDE INTERDITE). L'EXPERIENCE DE TEMPS DE VOL, UTILISEE ORIGINELLEMENT POUR ETUDIER LA MOBILITE DE DERIVE DE PORTEURS CREES EN EXCES DANS LA COUCHE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, PERMET EN FAIT D'ACCEDER A DE NOMBREUX PARAMETRES PHYSIQUES DU MATERIAU. NOUS AVONS AINSI DEVELOPPE PLUSIEURS TECHNIQUES DE MESURES A PARTIR DE CETTE INFRASTRUCTURE EXPERIMENTALE POUR OBTENIR UNE SPECTROSCOPIE DE LA DENSITE D'ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE ENTRE LE BORD DE BANDE DE CONDUCTION ET LE NIVEAU DE FERMI D'OBSCURITE. CES TECHNIQUES DE MESURES, NOUS ONT PERMIS D'OBTENIR LES PROFILS DE CHAMPS ELECTRIQUES INTERNES EXISTANT DANS UNE DIODE SCHOTTKY OU PIN. ENFIN, L'ENSEMBLE DE CES MESURES ONT MIS EN EVIDENCE LES PROBLEMES LIES A LA RECOMBINAISON ET AU PIEGEAGE DES PORTEURS. C'EST AINSI QUE NOUS AVONS ETUDIE DANS UN CAS CONCRET LES STRUCTURES MIS L'IMPORTANCE DE LA RECOMBINAISON SUR LES PROPRIETES DE TRANSPORTS

Download or read book Contribution l analyse du silicium amorphe hydrog n par les m thodes nucl aires written by Luc Jeannerot (auteur d'une thèse de sciences.) and published by . This book was released on with total page 62 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DU SILICIUM AMORPHE PUR ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE written by N'GUESSAN.. KRE and published by . This book was released on 1993 with total page 120 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE EXPERIMENTALE DE L'INFLUENCE DU DESORDRE STRUCTURAL SUR LA DENSITE D'ETATS ELECTRONIQUES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE PUR (ASI) ET DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (ASI:H). POUR CELA, LE COEFFICIENT D'ABSORPTION A ETE DEDUIT DE MESURES DE TRANSMISSION OPTIQUE ET DE LA SPECTROSCOPIE DE DEFLEXION PHOTOTHERMIQUE (PDS). EN OUTRE, DES MESURES DE RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) ET DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGE ONT ETE EGALEMENT UTILISEES. LES FILMS DE ASI ONT ETE OBTENUS PAR EVAPORATION EN ULTRA-VIDE SUR SUBSTRAT DE QUARTZ A LA TEMPERATURE AMBIANTE; ON A FAIT VARIER LE DESORDRE DE CES FILMS PAR RECUIT. POUR LES FILMS DE SSI:H, UNE CELLULE A PLASMA RF A PERMIS DE FAIRE VARIER LA CONCENTRATION D'HYDROGENE, DONC LE DESORDRE DES FILMS. POUR LES FILMS DE ASI, ON A OBTENU UNE DISTRIBUTION DE LA DENSITE D'ETATS EN CONSIDERANT DIFFERENTES APPROXIMATIONS TANT SUR LE MODELE DE LA DENSITE D'ETATS QUE SUR LA DEPENDANCE EN ENERGIE DES ELEMENTS DE MATRICE. ON TROUVE QUE LE GAP OPTIQUE ET LA DENSITE DE SPINS (LIAISONS PENDANTES) VARIENT RELATIVEMENT PEU AVEC LE DESORDRE PAR RAPPORT AUX FILMS DE ASI:H. ON TROUVE EGALEMENT QUE LA POSITION EN ENERGIE DES ETATS PARAMAGNETIQUES EST D'ENVIRON 0,9 EV PAR RAPPORT AU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION. POUR LES FILMS DE ASI:H, ON A OBTENU DES RESULTATS QUI SONT TRES PROCHES DE CEUX DES FILMS PREPARES PAR DECOMPOSITION DU SILANE. ON A EGALEMENT OBTENU UNE BONNE CORRELATION ENTRE LA DENSITE DE SPINS ET L'ABSORPTION A BASSE ENERGIE. LA FORTE VARIATION RELATIVE DU GAP OPTIQUE AVEC LE DESORDRE STRUCTURAL, COMPAREE A CELLE DE ASI, PERMET DE SUGGERER QUE LA VARIATION DU GAP N'EST PAS SEULEMENT DUE A UN EFFET DU DESORDRE MAIS EGALEMENT A UN EFFET D'ALLIAGE DU SILICIUM AVEC L'HYDROGENE. LA DENSITE DE SPINS DANS LES MEILLEURS FILMS OBTENUS SANS RECUITS (10#1#7 SPINS CM##3) N'EST PAS TRES ELOIGNEE DE CELLE DES MEILLEURS FILMS RECUITS OBTENUS PAR DECOMPOSITION DU SILANE (10#1#6 SPINS CM##3)

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by Christophe Longeaud and published by . This book was released on 1982 with total page 111 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE written by JEAN-PIERRE.. PEYRE and published by . This book was released on 1980 with total page 60 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K

Download or read book Contribution l tude de la localisation et de la stabilit de l hydrog ne dans le silicium amorphe et le silicium poreux written by Nasreddine Hadj Zoubir and published by . This book was released on 1995 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce mémoire est consacré à l'étude des liaisons Si-H dans le silicium amorphe hydrogéné et le silicium poreux à l'aide de la spectrométrie de désorption thermique (TDS) et de la spectrométrie d'absorption infrarouge. Le silicium amorphe est préparé par évaporation réactive en présence d'un plasma ECR d'hydrogène. Pour des températures de substrat Ts inferieures à 120°C, les couches amorphes sont poreuses et incorporent une quantité importante d'oxygène. La structure de ces couches devient plus dense à mesure que la température de substrat augmente: pour Ts égal à 360°C, la contamination par l'oxygène est éliminée et l'hydrogène est lié aux atomes de Si dans les seuls groupesSiH. Un phénomène de densification apparaît également dans des couches préparées en présence d'ions deutérium accélérés par une DDP de 235V. Le silicium poreux est préparé par trempage chimique dans une solution de type NaNO2/HF. L'analyse TDS de ce matériau montre que la désorption de SiH3 et SiF3, avant celle de H2, permet d'expliquer pourquoi la photoluminescence se dégrade aux faibles températures de recuit. Une étude du vieillissement à l'air de ces couches montre une augmentation de l'intensité du signal de photoluminescence en raison d'une meilleure passivation des liaisons pendantes en surface par O2 et H2O.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DES PROPRIETES OPTOELECTRONIQUES DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE EN VUE DE L APPLICATION AUX DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES written by Hassen Dahman and published by . This book was released on 1986 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE, PAR UNE TECHNIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITE, DE L'INFLUENCE DU DOPAGE PAR P SUR LE PRODUIT MOBILITE-DUREE DE VIE DES ELECTRONS ET SUR LA DENSITE D'ETATS DANS LA BANDE INTERDITE DE S-SI: H PREPARE PAR PULVERISATION CATHODIQUE REACTIVE. ETUDE DE L'INFLUENCE DES CONDITIONS DE PREPARATION SUR LA MOBILITE PAR UNE METHODE DE TEMPS DE VOL; MISE EN EVIDENCE DE L'ACTIVATION THERMIQUE DE LA MOBILITE DANS UNE LARGE GAMME DE TEMPERATURES. INTERPRETATION DES RESULTATS PAR UN MODELE DE CONDUCTION, BASE SUR L'EXISTENCE DE FLUCTUATIONS DE POTENTIEL

Download or read book Contribution l tude des propri t s photo lectriques du silicium amorphe hydrog ne pr par par pulv risation cathodique written by Emmanuel Arene and published by . This book was released on 1983 with total page 173 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution l tude de la densit d tats localis s du silicium amorphe hydrog n written by Jean Dijon and published by . This book was released on 1984 with total page 235 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU

Download or read book Contribution l tude de la structure lectronique du silicium amorphe hydrog n written by François Boulitrop and published by . This book was released on 1982 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE A-SI:H PAR RPE, PHOTOLUMINESCENCE ET DOUBLE RESONANCE OPTIQUE HERTZIENNE. PROPOSITION D'UN MODELE D'ETATS RADIATIFS DE QUEUES DE BANDE. ESTIMATION DES PROFONDEURS DES QUEUES DE BANDES DE VALENCE ET DE CONDUCTION. ESTIMATION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS PHOTOEXCITES ET DE LEUR LONGUEUR DE DIFFUSION