Download or read book Conception d un onduleur triphas base de composants SiC en technologie JFET haute fr quence de commutation written by Xavier Fonteneau and published by . This book was released on 2014 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis le début des années 2000, les composants en carbure de silicium (SiC) sont présents sur le marché principalement sous la forme de diodes Schottky et de transistors FET. Ces nouveaux semi-conducteurs offrent des performances en commutation bien supérieures à celles des composants en silicium (Si) ce qui se traduit par une diminution des pertes et une réduction de la température de fonctionnement à système de refroidissement identique. L'utilisation de composants SiC ouvre donc la possibilité de concevoir des convertisseurs plus compacts ou à une fréquence de commutation élevée pour une même compacité. C'est avec cet objectif d'augmentation de la fréquence de commutation qu'a été menée cette étude axée sur l'utilisation de composants SiC au sein d'un onduleur triphasé. Le convertisseur sur lequel se base l'étude accepte une tension d'entrée de 450V et fournit en régime nominal un courant de sortie efficace par phase de 40 A. Le choix des composants SiC s'est porté sur des transistors JFET Normally-Off et des diodes Schottky SiC car ces composants étaient disponibles à la vente au début de ces travaux et offrent des pertes en commutation et en conduction inférieures aux autres structures en SiC. Les transistors FET possèdent une structure et des propriétés bien différentes des IGBT habituellement utilisés pour des convertisseurs de la gamme considérée notamment par leur capacité à conduire un courant inverse avec ou sans diode externe. De ce fait, il est nécessaire de développer de nouveaux outils d'aide au dimensionnement dédiés à ces composants SiC. Ces outils de calculs sont basés principalement sur les paramètres électriques et thermiques du système et sur les caractéristiques des composants SiC. Les premiers résultats montrent qu'en autorisant la conduction d'un courant inverse au sein des transistors, il est possible de diminuer le nombre de composants. Basées sur ces estimations, une maquette de bras d'onduleur a été développée et testée. Les premiers thermiques montrent que pour une puissance de 12kW, il est possible d'augmenter la fréquence de commutation de 12 kHz à 100 kHz.

Download or read book Contribution l Etude d un Onduleur Haute Temp rature base de JFET en carbure de silicium written by Olivier Berry and published by . This book was released on 2012 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'aéronautique, dans ses efforts pour un avion plus vert, tend à devenir plus électrique. Cependant dans ce passage au plus électrique, quelques actionneurs de l'avion ainsi que leurs électroniques associées se heurtent à un verrou technologique lié à la haute température (200°C). Dans ce contexte, ce mémoire présente des travaux qui contribuent à lever ce verrou technologique. Nous avons montré que le convertisseur d'électronique de puissance, désigné par onduleur, a été conçu pour répondre à notre besoin avec le composant le plus fiable et le plus mature, le JFET deux canaux de la société SICED INFINEON en carbure de silicium (ou SiC). Pour mieux cerner le fonctionnement du JFET SiC deux canaux et valider ultérieurement son modèle, nous avons effectué des caractérisations électriques de ses comportements statique et dynamique sur une plage de température importante allant de -40°C à +180°C. Nous avons montré et décrit de façon fine, en particulier à 27°C, les phases de commutation du composant JFET en mettant en avant le rôle important des couplages capacitifs (Cgd, Cds et Cgs). Un modèle représentant ses comportements statique et dynamique a été présenté et validé à 27°C. Nous avons ensuite minimisé les effets de l'Interaction Puissance Commande IPC due à Cgd au niveau du JFET fonctionnant en mode roue libre (phénomène de Punch-through à la mise en conduction et possible remise en conduction au blocage sont à considérer). Pour ce faire nous avons étudié et comparé trois circuits d'attaques de grille, et nous avons montré le rôle de l'impédance de grille (RG, lG) vis-à-vis de l'IPC et de l'optimisation des circuits d'attaque de grille. Enfin, nous avons présenté la problématique liée à la stabilité du bus continu à haute température (200°C) et à haute tension (540V). Une solution de stabilisation du bus DC simple et efficace a été présentée.

Download or read book Conception r alisation et caract risation d interrupteurs thyristors et JFETs haute tension 5kV en carbure de silicium written by Pierre Brosselard and published by . This book was released on 2004 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'électronique impulsionnelle a connu de grandes évolutions en terme de commutateurs depuis le début des années 70. Jadis, ils étaient de type mécanique ou à gaz et avec l'avancée de la microélectronique, ils sont à base de matériaux semi-conducteurs. En terme de performances, les dispositifs à semi-conducteur en silicium sont satisfaisants mais connaissent des limites en terme de rapidité, température de travail et d'encombrement. Elles sont dues aux caractéristiques physiques du matériau. Le CEGELY conçoit, réalise et caractérise des composants de puissance en carbure de silicium depuis une dizaine d'année. Le premier dispositif fabriqué au CEGELY avec différentes collaborations a montré l'intérêt du SiC pour l'électronique de puissance. Aujourd'hui les performances s'améliorent d'année en année grâce aux travaux de plusieurs équipes de chercheurs dans le monde. Le travail réalisé au cours de cette thèse repose sur la réalisation de démonstrateurs de type thyristor et JFET. Les caractéristiques électriques souhaitées sont une tenue en tension de 5 kV et un calibre en courant le plus élevé possible. Un transistor de type JFET a été conçu. Sa réalisation repose sur la maîtrise d'une nouvelle technologie, la reprise d'épitaxie sur surface non plane. Les résultats électriques ne sont pas ceux attendus mais l'élaboration du JFET a permis de montrer les faiblesses de quelques étapes technologiques et une nouvelle structure JFET est proposée. En parallèle, une structure thyristor à électrodes co-planaires a été développée. Pour son élaboration, un premier travail d'optimisation de la gravure et de la métallisation a débuté. Les premiers résultats électriques du thyristor planar montrent une tenue en tension de 600 V. Un deuxième lot est au cours de fabrication et devrait se terminer très prochainement. Des thyristors à électrodes non co-planaires ont été caractérisés. Ils ont montré une tenue en tension de 4 kV et un courant de 1,3 A sous 13 V. Pour chaque résultat électrique, des simulations permettent de justifier d'un problème issu de la technologie ou non pris en compte lors de la conception. Les résultats électriques sont en nette progression mais sont légèrement en dessous de ceux attendus. Les travaux de thèse révèlent un travail important à faire sur la passivation de composants qui font l'objet d'une thèse débutée depuis un an.

Download or read book tude conception et structure de commande temps r el d un onduleur multiniveau partir d une seule source DC applications nergies renouvelables et v hicules lectriques written by Rami Troudi and published by . This book was released on 2021 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les travaux de recherche de la thèse de Rami Troudi répondent à trois problématiques :-la première est de concevoir un onduleur triphasé multiniveau pour des applications à base d'énergies renouvelables connectées au réseau de distribution, ou pour la motorisation des véhicules électriques. Dans la première application, l'utilisation de bras multiniveau limite fortement les inductances de couplage avec le réseau tandis que dans la deuxième application, le couple délivré par le moteur est de meilleure qualité.-la deuxième consiste à concevoir une structure de convertisseur DC-DC permettant de n'avoir qu'une seule source continue pour alimenter cet onduleur multiniveau. -la troisième est la conception d'une architecture de commande temps réel à base de microcontrôleurs permettant d'avoir une grande capacité d'évolution et de calcul et une facilité d'industrialisation.Le manuscrit de la thèse est organisé en quatre chapitres. Le premier chapitre présente un état de l'art des structures d'onduleur multiniveau. Cette technologie est devenue aujourd'hui un thème de recherche important. Ce chapitre donne les avantages et les inconvénients de chaque topologie d'onduleur multiniveau conventionnel ainsi que les nouvelles topologies permettant une réduction du nombre de composants. Ce chapitre fait aussi un état de l'art des structures de hacheurs avec une ou plusieurs entrées-sorties (MISO, MIMO et SIMO). Ce chapitre présente aussi les avantages et les inconvénients de chaque famille de structure avec leur commande. La fin du chapitre présente les nouvelles topologies retenues pour l'onduleur multiniveau et le hacheur SIQO (une entrée-quatre sorties).Le deuxième chapitre est consacré à la présentation de la structure de l'onduleur multiniveau proposé, ainsi qu'à l'étude de son mode de fonctionnement, de sa commande rapprochée et de son utilisation dans une application en boucle fermée. Ce chapitre montre que cette structure a l'avantage de minimiser les pertes dans les composants de puissance en ayant, à chaque instant, peu de composants qui conduisent le courant de chaque bras, ce qui permet d'augmenter son rendement. En plus, ce chapitre montre la simplicité de la commande rapprochée de l'onduleur en utilisant un algorithme très simple. Des essais expérimentaux sont donnés à la fin du chapitre après le descriptif de la maquette d'essai.Le troisième chapitre traite en détail la structure du convertisseur DC-DC SIQO utilisé pour alimenter l'onduleur multiniveau, son mode de fonctionnement, sa modélisation et le développement d'une commande multi-entrée multi-sortie (MIMO). Cette structure est conçue à partir d'un couplage de la structure SEPIC avec la structure à accumulation magnétique et du dédoublement de chaque sortie par un système d'aiguillage qui permet ainsi d'obtenir quatre sorties à partir d'une seule entrée DC. Chaque structure (SEPIC et à accumulation) gère deux sorties avec le calcul de deux rapports cycliques. Pour cela, une synthèse d'asservissement basée sur une méthode H_∞ est présentée pour être robuste aux variations des courants et aux changements de consigne. Les résultats des essais expérimentaux sont donnés à la fin du chapitre après le descriptif de la maquette d'essai.Le chapitre quatre aborde le développement de l'architecture de commande à base de microcontrôleurs. Cette structure est appliquée au contrôle de l'onduleur triphasé. Ce chapitre décrit toutes les fonctions qui composent cette architecture au niveau matériel et logiciel. Le fait de répartir les besoins matériels et algorithmiques sur plusieurs microcontrôleurs permet de faciliter l'évolution des demandes de fonctions supplémentaires à savoir le diagnostic et la reconfiguration d'un bras, ainsi que l'ajout de la fonction de filtrage actif. Cette architecture repose sur une communication par bus SPI (Serial Peripheral Interface) qui permet des échanges rapides entre les microcontrôleurs et aussi vers un système IHM (Interface Homme Machine).

Download or read book Onduleur forte int gration utilisant des semi conducteurs grand gap written by Guillaume Regnat and published by . This book was released on 2016 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les composants semi-conducteurs à base de matériaux à grand gap (SiC et GaN) présentent des caractéristiques intéressantes pour la réalisation de convertisseurs d'électronique de puissance toujours plus intégrés. Cependant, le packaging des composants traditionnels en silicium ne semble plus adapté pour ces nouveaux composants et apparaît même comme un facteur limitant. Le développement d'un packaging adapté aux caractéristiques des composants à grand gap est alors nécessaire. Les travaux développés dans cette thèse proposent un nouveau packaging tridimensionnel basé sur un procédé de fabrication de circuit imprimé. L'architecture du module est basé sur le concept « Power Chip On Chip » dont le principe de base permet de réduire les perturbations électromagnétiques. Le procédé de fabrication des circuits imprimés offre une grande flexibilité pour le routage en trois dimensions et permet de s'affranchir de l'interconnexion par fil de bonding entre le package et la puce. La démarche de conception du module s'appuie sur une approche multi-physique afin de qualifier le comportement électromagnétique et thermique du module puis de proposer des voies d'optimisation. Un prototype d'un module implémentant quatre cellules de commutation en parallèle, à base de MOSFET SiC, a été produit avec des moyens de production industriels. Les différents tests réalisés valident l'approche retenue dans ce projet mais soulignent également les aspects technologiques à approfondir pour la réalisation d'un module de puissance industriel.

Download or read book Conception d un circuit int gr en SiC appliqu aux convertisseur de moyenne puissance written by Jean-François Mogniotte and published by . This book was released on 2014 with total page 257 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'émergence d'interrupteurs de puissance en SiC permet d'envisager des convertisseurs de puissance capables de fonctionner au sein des environnements sévères tels que la haute tension (> 10 kV ) et la haute température (> 300 °C). Aucune solution de commande spécifique à ces environnements n'existe pour le moment. Le développement de fonctions élémentaires en SiC (comparateur, oscillateur) est une étape préliminaire à la réalisation d'un premier démonstrateur. Plusieurs laboratoires ont développé des fonctions basées sur des transistors bipolaires, MOSFETs ou JFETs. Cependant les recherches ont principalement portées sur la conception de fonctions logiques et non sur l'intégration de drivers de puissance. Le laboratoire AMPERE (INSA de Lyon) et le Centre National de Microélectronique de Barcelone (Espagne) ont conçu un MESFET latéral double grille en SiC. Ce composant élémentaire sera à la base des différentes fonctions intégrées envisagées. L'objectif de ces recherches est la réalisation d'un convertisseur élévateur de tension "boost" monolithique et de sa commande en SiC. La démarche scientifique a consisté à définir dans un premier temps un modèle de simulation SPICE du MESFET SiC à partir de caractérisations électriques statique et dynamique. En se basant sur ce modèle, des circuits analogiques tels que des amplificateurs, oscillateurs, paires différentielles, trigger de Schmitt ont été conçus pour élaborer le circuit de commande (driver). La conception de ces fonctions s'avère complexe puisqu'il n'existe pas de MESFETs de type P et une polarisation négative de -15 V est nécessaire au blocage des MESFETs SiC. Une structure constituée d'un pont redresseur, d'un boost régulé avec sa commande basée sur ces différentes fonctions a été réalisée et simulée sous SPICE. L'ensemble de cette structure a été fabriqué au CNM de Barcelone sur un même substrat SiC semi-isolant. L'intégration des éléments passifs n'a pas été envisagée de façon monolithique (mais pourrait être considérée pour les inductances et capacités dans la mesure où les valeurs des composants intégrés sont compatibles avec les processus de réalisation). Le convertisseur a été dimensionné pour délivrer une de puissance de 2.2 W pour une surface de 0.27 cm2, soit 8.14 W/cm2. Les caractérisations électriques des différents composants latéraux (résistances, diodes, transistors) valident la conception, le dimensionnement et le procédé de fabrication de ces structures élémentaires, mais aussi de la majorité des fonctions analogiques. Les résultats obtenus permettent d'envisager la réalisation d'un driver monolithique de composants Grand Gap. La perspective des travaux porte désormais sur la réalisation complète du démonstrateur et sur l'étude de son comportement en environnement sévère notamment en haute température (> 300 °C). Des analyses des mécanismes de dégradation et de fiabilité des convertisseurs intégrés devront alors être envisagées.

Download or read book Conception de convertisseurs lectroniques de puissance faible impact lectromagn tique int grant de nouvelles technologies d interrupteurs semi conducteurs written by Eliana Rondon-Pinilla and published by . This book was released on 2014 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Actuellement, le développement de semiconducteurs et la demande croissante de convertisseurs en électronique de puissance dans les différents domaines de l’énergie électrique, notamment pour des applications dans l’aéronautique et les réseaux de transport et de distribution, imposent de nouvelles spécifications comme le fonctionnement à hautes fréquences de commutation, densités de puissance élevées, hautes températures et hauts rendements. Tout ceci contribue au fort développement des composants en SiC (Carbure de Silicium). Cependant, ces composants créent de nouvelles contraintes en Compatibilité Electromagnétique (CEM) à cause des conditions de haute fréquence de commutation et fortes vitesses de commutation (forts di/dt et dv/dt) en comparaison à d’autres composants conventionnels de l'électronique de puissance. Une étude des perturbations générées par les composants SiC est donc nécessaire. L'objectif de ce travail est de donner aux ingénieurs amenés à concevoir des convertisseurs une méthode capable de prédire les niveaux d'émissions conduites générées par un convertisseur électronique de puissance qui intègre des composants en SiC. La nouveauté du travail présenté dans cette thèse est l’intégration de différents modèles de type circuit pour tous les constituants d’un convertisseur (un hacheur série est pris comme exemple). Le modèle est valable pour une gamme de fréquences de 40Hz à 30MHz. Des approches de modélisation des parties passives du convertisseur sont présentées. Ces approches sont différentes selon que les composants modélisés soient disponibles ou à concevoir : elles sont basées sur des mesures pour la charge et les capacités ; elles sont basées sur des simulations prédictives pour routage du convertisseur. Le modèle complet du convertisseur (éléments passifs et actifs) est utilisé en simulation pour prédire les émissions conduites reçues dans le réseau stabilisateur d’impédance de ligne. Le modèle est capable de prédire l'impact de différents paramètres comme le routage, les paramètres de contrôle comme les différents rapports cycliques et les résistances de grille avec des résultats satisfaisants dans les domaines temporels et fréquentiels. Les résultats obtenus montrent que le modèle peut prédire les perturbations en mode conduit pour les différents cas jusqu'à une fréquence de 15MHz. Finalement, une étude paramétrique du convertisseur a été élaborée. Cette étude a permis de voir l’influence de la qualité des différents modèles comme les éléments parasites du routage, des composants passifs et actifs et d'identifier les éléments qui ont besoin d’un modèle précis pour avoir des résultats valides dans la prédiction des perturbations conduites.

Download or read book Global Warming and Climate Change written by Emma Carlson Berne and published by Referencepoint Press. This book was released on 2008 with total page 118 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Throughout the world, the cause and impact of global warming and climate change is being passionately debated. While many claim that a climate crisis is imminent if greenhouse gases are not curbed, others argue that the effects have been overblown. Through objective overviews, primary sources, and full-color illustrations, this title will examine What Is Global Warming and Climate Change? What Are the Consequences of Global Warming? What Are the Controversies Surrounding Global Warming? What Are the Solutions for Global Warming?