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Book Conception d   amplificateurs de puissance large bande fonctionnant dans la nouvelle bande n78 pour le standard 5G

Download or read book Conception d amplificateurs de puissance large bande fonctionnant dans la nouvelle bande n78 pour le standard 5G written by Djitiningo Thierry Joel Diatta and published by . This book was released on 2020 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: « L’évolution rapide des systèmes de télécommunications notamment les systèmes de communications sans fil constaté fait appel à la fabrication de nouveaux dispositifs permettant d’améliorer la qualité des services. Pour standardiser cette évolution dans les systèmes de télécommunication sans fil et répondre à diverses applications de communication, des normes sont mises en place comme la norme GSM (the Global Systems for Mobile communication systems), la norme WCDMA (Wideband Code Division Multiple Access), la norme UMTS (Universal Mobile Telecommunications System), la norme LTE (Long-Term Evolution) et la norme WiMAX (Worldwide interoperability for Microwave Access). Toutes ces normes précédemment citées ont pour but de diminuer la latence dans la communication, d’augmenter le débit, de rendre meilleur le paramètre QoS (Quality of Service). C’est dans ce but de rendre toujours plus performant les systèmes de télécommunication sans fil que la technologie 5G (réseaux mobiles de cinquième génération) a été définie avec une bande passante de 500 MHz pour la plage de fréquence appelée NR n78 ou 3.5 GHz allant de 3.3 GHz à 3.8 GHz. Dans le chapitre 2, une méthodologie de caractérisation pour les applications large bande avec une bande de fréquence fondamentale (3.3-3.8 GHz) et ses 2e et 3e bandes d’harmoniques est présentée. La caractérisation du transistor CGH40010 capable de fournir 10 W en puissance de sortie avec une puissance d’entrée de 26.5 dBm a été faite en simulation sur le logiciel ADS 2019 avec le modèle à large bande du transistor nommé CGH40010F_r6_CGH40_r6 fournit par Wolfspeed. La méthodologie utilisée consiste à faire des simulations de type Loadpull /Sourcepull avec les fréquences fondamentales 3.3 GHz, 3.425 GHz, 3.55 GHz, 3.675 GHz, 3.8 GHz afin de couvrir la bande 3.3-3.8 GHz (Notons que dans la simulation les deuxième et troisième harmoniques sont prises en compte en entrée et en sortie pour l’amplificateur de puissance large bande NR n78) ensuite en faisant l’analyse des données découlant de cette simulation, nous avons déterminé les impédances optimales des bandes fondamentales, deuxième et troisième harmoniques nous permettant ainsi de rechercher un paramètre PAE maximum dans toute la bande NR n78. D’après notre caractérisation, la puissance de sortie obtenue dans la bande NR n78 est d’au moins 41.37 dBm et le paramètre PAE est d’au moins 75.96 %. Dans le chapitre 3, en se basant sur les points d’impédances optimales du chapitre 2, un amplificateur de puissance large bande fonctionnant sur toute la bande NR n78 est présenté pour atteindre les contraintes de large bande, de puissance de sortie et d’efficacité imposées par la technologie 5G. Pour améliorer le paramètre PAE, nous avons utilisé un filtre passe bas adaptateur d’impédance afin de supprimer les bandes des 2e et 3e harmoniques. Les paramètres PAE maximums mesurés dans toute la bande NR n78 varient entre 60.17-70.87 % et la puissance de sortie et le gain qui leurs sont associés varient respectivement entre 39.73-40.97 dBm et 11.50-13.97 dB. Enfin, dans le chapitre 4, en se basant aussi sur les points d’impédances optimales du chapitre 2, un amplificateur de puissance à haute efficacité utilisant un filtre coupe bande SIW asymétrique large bande fonctionnant dans la nouvelle bande n78 est présenté. Pour améliorer le paramètre PAE, le filtre de type SIW coupe bande qu’on propose permet de doubler voire tripler la bande de réjection proposée par la littérature en utilisant des tronçons asymétriques sur les transitions micro ruban-SIW afin d'avoir une suppression large bande de la 2e harmonique (6.6-7.6 GHz) d’au moins 24 dBc tout en minimisant les pertes dans la bande fondamentale NR n78. En effet, ce filtre SIW utilisé pour concevoir les réseaux d’adaptation en entrée et en sortie de l’amplificateur à la caractéristique de ne pas utiliser la zone SIW est qui sera utilisée pour faire l'adaptation d'impédance avec un trou inductif métallisé. Les résultats simulés à la fréquence 3.55 GHz nous donnent un paramètre PAE maximum de 63.09 % avec 40.78 dBm de puissance de sortie et un gain de 11.78 dB. Pour les résultats mesurés à la fréquence 3.55 GHz nous avons obtenu un paramètre PAE maximum de 52.20 % avec 40.47 dBm de puissance de sortie et un gain de 11.47 dB. La perte au paramètre PAE maximum entre la simulation et la mesure est de l’ordre de 10.89 %. Aux fréquences 3.3 GHz et 3.8 GHz l’amplificateur ne marche pas tant dans les simulations que dans la mesure. Pour régler les problèmes liés au fonctionnement large bande de l’AP, nous avons proposé une méthodologie pour l’adaptation d’impédance large bande sur le filtre SIW. Malheureusement cette méthode proposée à son tour ne règle pas nos problèmes d’adaptation d’impédance large bande, néanmoins elle nous a permis de connaitre l’effet de la taille du trou métallisé inductif sur les impédances. Pour finir, nous avons défini un travail futur à effectuer pour trouver une méthode d’adaptation d’impédance permettant de concevoir un filtre SIW AP large bande capable d’opérer sur toute la bande NR n78 de la technologie 5G. Dans le futur, un travail à effectuer pour trouver une méthode d’adaptation d’impédance permettant de concevoir un filtre SIW AP large bande capable d’opérer sur toute la bande NR n78 de la technologie 5G a été proposé. Aussi la caractérisation du chapitre 2 pourrait être faite avec un signal avancé comme un signal 5G. De même, les mesures effectuées dans le chapitre 3 pourraient être faites avec un signal 5G. En outre, la possibilité d’implémenter les méthodes de conception décrites dans les chapitres 3 et 4 pour concevoir des structures comme des amplificateurs Doherty de puissance large bande pour la technologie 5G est envisageable. -- Mot(s) clé(s) en français : Caractérisation, amplificateur de puissance, large bande, Loadpull / Sourcepull, réseau d'adaptation avec filtre passe-bas, guide d'onde intégré au substrat, suppression d'harmoniques, réseau d'adaptation, rendement en puissance ajoutée, 5G. »--

Book Architecture et conception d un amplificateur de puissance large bande pour des applications 4G 5G

Download or read book Architecture et conception d un amplificateur de puissance large bande pour des applications 4G 5G written by Mohammed Saad Boutayeb and published by . This book was released on 2020 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Avec l'arrivée de la 5G NR, les architectures des émetteurs-récepteurs des terminaux mobiles doivent intégrer plus de composants (filtres, amplificateurs de puissance...) afin d'adresser des bandes plus nombreuses et plus larges (notamment les bandes « sub-6 GHz ») en plus de traiter des signaux plus complexes. Ces nouvelles contraintes d'encombrement et de performances auxquelles doivent répondre les émetteurs-récepteurs ont un impact direct sur les spécifications techniques des amplificateurs de puissance (PA). D'une part il est nécessaire d'avoir des PA qui adressent des bandes plus larges afin de réduire le nombre de composants dans la chaîne d'émission ; d'autre part, ces PA doivent répondre aux critères de linéarité des nouveaux standards (LTE-A et 5G NR) tout en assurant une bonne efficacité énergétique de fonctionnement. Les travaux de cette thèse portent sur l'investigation d'architectures avancées de PA alliant largeur de bande, linéarité et efficacité énergétique.Le contexte et les motivations de la thèse énoncés, le choix de la technologie RF SOI 130nm et les contraintes auxquels doit répondre le PA sont justifiés. Une étude de l'état de l'art des architectures avancées (à efficacité améliorée) de PA permet de retenir l'architecture Doherty comme solution intéressante. Une étude théorique de l'architecture Doherty est effectuée afin de modéliser son fonctionnement, d'identifier l'impact des paramètres de dimensionnement et des capacités parasites du transistor sur les performances de celle-ci avant d'explorer les perspectives qu'elle présente en termes de largeur de bande. Un premier circuit démonstrateur a été implémenté en RF SOI 130nm. Il s'agit d'un étage amplificateur Doherty couvrant la bande 3,2-3,6 GHz. Pour un signal LTE 10MHz 50RB à une puissance de sortie de 27dBm, un ACLR maximal de -30,5 dBc et une PAE minimale de 36% a été mesurée sur toute la bande. Un deuxième circuit Doherty intégrant un étage de pré-amplification (driver) a été implémenté dans la même technologie. Les mesures pour un signal LTE 10MHz 12RB à 28 dBm de puissance de sortie donnent un ACLR maximal de -35 dBc et une PAE minimale de 32% sur toute la bande 3,2-3,8 GHz ce qui permet de couvrir les bandes B42, B43 et B49.

Book Conception et r  alisation d amplificateurs de puissance micro ondes    l   tat solide et    fort rendement pour des applications spatiales bande S et bande X

Download or read book Conception et r alisation d amplificateurs de puissance micro ondes l tat solide et fort rendement pour des applications spatiales bande S et bande X written by Marc Zoyo and published by . This book was released on 1996 with total page 233 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE DE DETERMINER UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ORIGINALE ET SYSTEMATIQUE D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE A TRES HAUT RENDEMENT, EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET CE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. LA PREMIERE PARTIE CONSTITUE UNE INTRODUCTION DETAILLANT LES DIVERS PHENOMENES RELATIFS A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. UN EXEMPLE PARTICULIER DU FONCTIONNEMENT A FORT RENDEMENT, APPELE LA CLASSE F, EST EXPLICITE. LA DEUXIEME PARTIE TRAITE DE LA CARACTERISATION ET DE LA MODELISATION DE DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE. IL EST AINSI PROPOSE UNE NOUVELLE APPROCHE DE LA CARACTERISATION, BASEE SUR DES TRANSFORMATIONS LARGE BANDE D'IMPEDANCES, AFIN D'EXTRAIRE DES MODELES ELECTRIQUES EQUIVALENTS EN REGIMES LINEAIRE ET NON-LINEAIRE. LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS HYBRIDES DE PUISSANCE A FORT RENDEMENT FONCTIONNANT EN BANDE X (8,2GHZ) ET CONSTITUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROSTRUCTURE (HFET). DES CORRELATIONS ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET CEUX PREDITS PAR LES SIMULATIONS ONT PERMIS DE MONTRER UNE BONNE ADEQUATION. L'INFLUENCE DES CHARGES PRESENTEES AUX DEUX PREMIERS HARMONIQUES DU SIGNAL APPLIQUE SUR LE COMPORTEMENT DU HFET DE PUISSANCE EST ETUDIEE ET DISCUTEE. DANS LA DERNIERE PARTIE, LA PROCEDURE DE CONCEPTION DE CE TYPE D'AMPLIFICATEUR EST VALIDEE A L'AIDE DE DIVERSES APPLICATIONS TELS QUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE FONCTIONNANT EN BANDE X OU EN BANDE S, A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (PHEMT)

Book Conception d amplificateurs hyperfr  quences    large bande de puissance

Download or read book Conception d amplificateurs hyperfr quences large bande de puissance written by André Hauradou and published by . This book was released on 1979 with total page 196 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: RAPPELS SUR LA TECHNOLOGIE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EN INDIQUANT EN PARTICULIER LES FACTEURS LIMITATIFS DES PERFORMANCES. MESURES PERMETTANT DE DETERMINER LES PARAMETRES S PERMETTANT DE REPRESENTER SON FONCTIONNEMENT EN CLASSE C ET D'EVALUER LA VALEUR DE LA CHARGE PERMETTANT DE SATISFAIRE LE MIEUX POSSIBLE LES SPECIFICATIONS IMPOSEES A UN AMPLIFICATEUR. RAPPEL DES PRINCIPALES METHODES DE CONCEPTION DES AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCE ET CALCUL ET REALISATION D'UN AMPLIFICATEUR UTILISANT LE TRANSISTOR CARACTERISE

Book Conception et r  alisation d amplificateur de puissance MMIC large bande haut rendement en technologie GaN

Download or read book Conception et r alisation d amplificateur de puissance MMIC large bande haut rendement en technologie GaN written by Victor Dupuy and published by . This book was released on 2014 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse se concentrent sur la conception d'amplificateur de puissance MMIC large-bande haut rendement en technologie GaN pour des applications militaires de type radar et guerre électronique. Les objectifs principaux sont de proposer des structures innovantes de combinaison de puissance notamment pour réduire la taille des amplificateurs actuels tout en essayant d'améliorer leur rendement dans le même temps. Pour cela, une partie importante de ces travaux consiste au développement de combineurs de puissance ultra compactes et faibles pertes. Une fois ces combineurs réalisés et mesurés, ils sont intégrés dans des amplificateurs de puissance afin de prouver leur fonctionnalité et les avantages qu'ils apportent. Différents types d'amplificateur tant au niveau de l'architecture que desperformances sont réalisés au cours de ces travaux.

Book Radiowave propagation and antennas for high data rate mobile communications in the 60 GHz band

Download or read book Radiowave propagation and antennas for high data rate mobile communications in the 60 GHz band written by Sylvain Ranvier and published by . This book was released on 2009 with total page 44 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La bande de fréquence millimétrique autour de 60 GHz est considérée comme l’une des meilleures options pour l’implémentation des réseaux sans fils à très hauts débits de type WPAN (wireless personal area network). De plus, les systèmes multi-antennes de type MIMO (multiple-input multiple-output) sont très prometteurs. Ils peuvent augmenter de manière significative l’efficacité spectrale ou la fiabilité des communications sans fil. De ce fait, l’utilisation de systèmes multi-antennes à 60 GHz est, théoriquement, très prometteuse. Bien que les performances des systèmes MIMO aient été étudiées de manière approfondie à la fois théoriquement et expérimentalement à basses fréquences (2 et 5 GHz), il y a clairement un manque d’évaluation expérimentale de ces systèmes à 60 GHz. De plus, la conception et l’évaluation d’antennes millimétriques compactes à bas coûts pour des applications de type WPAN sont des sujets sur lesquels beaucoup de recherches doivent être encore faites. Dans la première partie de la thèse, le premier sondeur de canal MIMO à 60 GHz est présenté. Ce système, construit à partir d’un sondeur existant pour 2 et 5 GHz, utilise des réseaux d’antennes virtuelles. Afin d’améliorer la résolution temporelle, deux autres systèmes de mesure ont été développés. Le premier est construit à partir d’un sondeur ultra large bande et le second à partir d’un analyseur vectoriel de réseau. Ces systèmes permettent la caractérisation totale du canal MIMO dans les domaines temporel et angulaire. Dans la seconde partie, les performances de techniques pour systèmes multi-antennes sont analysées grâce aux mesures obtenues dans la première partie de la thèse. Les trois techniques étudiées sont: MIMO, MIMO avec sélection d’antennes et dépointage de faisceau. Les résultats indiquent que la capacité du canal MIMO mesuré est relativement proche de celle d’un canal idéal. Dans des conditions réalistes, la capacité obtenue grâce à la technique MIMO avec sélection d’antennes est souvent inférieure à celle obtenue avec la technique MIMO. Par ailleurs, lorsque l’on considère un réseau à déphasage avec des pertes réalistes, il apparait que la capacité obtenue avec la technique MIMO est presque toujours supérieure à celle obtenue avec la technique du dépointage du faisceau. Dans la dernière partie de la thèse, une antenne omnidirectionnelle est présentée. Cette antenne convient parfaitement aux applications de types WPAN car elle est plane et n’utilise qu’une seule couche de métallisation, ce qui la rend facile à réaliser et peut coûteuse. De plus, un banc de mesure quasi-3D de diagrammes de rayonnement d’antennes à 60 GHz à été développé. Ce système a une très bonne répétabilité. Le rayonnement de la pointe elle-même a été mesuré et les résultats indiquent que c’est la principale limitation de la dynamique d’amplitude de ce système.

Book Ultra wideband Indoor Communications Using Optical Technology

Download or read book Ultra wideband Indoor Communications Using Optical Technology written by Mehrdad Mirshafiei and published by . This book was released on 2013 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book M  thode de conception d amplificateurs basse tension tr  s large bande pour radiot  l  phones portatifs

Download or read book M thode de conception d amplificateurs basse tension tr s large bande pour radiot l phones portatifs written by Nelsy Monsauret and published by . This book was released on 2001 with total page 353 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'augmentation incessante du nombre d'utilisateurs de téléphones portables a conduit à l'élaboration de nouvelles normes cellulaires afin d'accroître le nombre de fréquences allouées mais aussi d'améliorer la fourniture de services[...]. L'objectif de ce travail consiste à élaborer une méthode de conception globale des amplificateurs de puissance très large bande appliqués aux radiotéléphones cellulaires. Cette approche est basée sur l'utilisation d'une configuration push-pull alliant les fonctions d'amplificateur de puissance et d'amplification lineaire par réjection naturelle de l'harmonique...

Book Caract  risation avanc  e et nouvelles m  thodologies de mod  lisation des technologies GaN pour la conception d   amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fr  quences RF et microondes

Download or read book Caract risation avanc e et nouvelles m thodologies de mod lisation des technologies GaN pour la conception d amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fr quences RF et microondes written by Wilfried Demenitroux and published by . This book was released on 2011 with total page 167 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Haut rendement, forte linéarité et large bande de fonctionnement sont les points clés de la conception d’amplificateur de puissance d’aujourd’hui. De plus, de nombreux amplificateurs de puissance sont développés en technologie hybride utilisant des transistors en boîtier, rajoutant une difficulté supplémentaire pour extraire des modèles CAO fiables pour concevoir ces amplificateurs. Le sujet de cette thèse est de proposer une nouvelle méthodologie de modélisation de transistors en boîtier, rapide, automatique et dédiée à la conception d’amplificateurs de puissance large bande et haut rendement. Pour cela, un nouveau modèle comportemental de transistor est proposé, avec une méthode innovante d’extraction. Pour valider le nouveau flot de conception basé sur des modèles comportementaux de transistors, l’étude aboutit à un démonstrateur en technologie GaN présentant un rendement en puissance ajoutée moyen de 65%, une puissance de sortie moyenne de 41 dBm et un gain en puissance moyen de 13 dB sur 36% de bande relative autour de 2.2 GHz.

Book Analytical anaysis of in band and out of band distorsions for multicarrier signals

Download or read book Analytical anaysis of in band and out of band distorsions for multicarrier signals written by Ali Cheaito and published by . This book was released on 2017 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les techniques multiporteuses de type OFDM sont aujourd'hui largement déployées dans tous les systèmes de communication sans fils notamment dans les réseaux cellulaires (L TE), les réseaux de diffusion (DVB) ou encore les réseaux WiFi. Cependant, les modulations multiporteuses se caractérisent par une très grande dynamique mesurée par le Peak to Average Power Ratio (PAPR), ce qui empêche d'alimenter l'amplificateur de puissance non linéaire (utilisé avant l'émission des signaux) à son point optimal et ainsi conduit à diminuer son efficacité énergétique. Des techniques de réduction du PAPR peuvent alors être mises en oeuvre pour réduire le PAPR du signal et des techniques de prédistorsion peuvent alors être utilisées pour compenser les non-linéarités de l'amplificateur de puissance. L'approche développée dans le cadre de cette thèse a pour objectif d'étudier une solution intelligente pour les implémentations futures pour contrôler la réduction du PAPR et les étapes de linéa risation de manière flexible en fonction de certains paramètres prédéfinis afin qu'ils deviennent adaptatifs et auto-configurables. Plus précisément, notre travail a principalement porté sur l'analyse des différentes distorsions dans la bande (in-band distortions)mesurées par I'EVM ou Error Vector Magnitude et en dehors de la bande de transmission (out-of-band distortions) mesurées par I'ACPR ou Adjacent Channel Power Ratio de signaux à porteuses multiples. En particulier de nombreux résultats analytiques complétés par des résultats de simulation permettant d'évaluer I'EVM et I'ACPR en fonction des caractéristiques de l'amplification nonlinéaire en prenant en compte ou pas l'effet mémoire de l'amplificateur et la mise en oeuvre de techniques d'écrêtage et de pré-distorsion ont été obtenus. Ces résultats constituent une étape importante dans l'optimisation globale de la complexité, de la linéarité et de l'efficacité énergétique des émetteurs aussi bien pour la diffusion de la télévision numérique que pour les réseaux cellulaires de 4 ème génération (L TE) ou de 5""' génération.

Book CONCEPTION D AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE LARGE BANDE UHF A BASE DE MESFET EN CARBURE DE SILICIUM  COMPARAISON DES PERFORMANCES AVEC LA TECHNOLOGIE SI   LDMOS

Download or read book CONCEPTION D AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE LARGE BANDE UHF A BASE DE MESFET EN CARBURE DE SILICIUM COMPARAISON DES PERFORMANCES AVEC LA TECHNOLOGIE SI LDMOS written by JEAN-FRANCOIS.. BROCH and published by . This book was released on 1998 with total page 189 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJET DE CETTE THESE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES EN AMPLIFICATION DE PUISSANCE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN CARBURE DE SILICIUM (SIC). LA CARACTERISATION DES TRANSISTORS MESFET EN CARBURE DE SILICIUM DE THOMSON - LCR CONFIRME LES PERFORMANCES INTERESSANTES PUBLIEES DANS LA LITTERATURE. ELLE DEMONTRE POUR LE SIC : UNE DENSITE DE PUISSANCE ELEVEE ET DES IMPEDENCES QUI FACILITENT L'ADAPTATION. LE DEVELOPPEMENT D'UNE METHODOLOGIE S'INSPIRANT DES TECHNIQUES DE MESURES EXISTANTES (LOAD-PULL) ET DES TRAVAUX THEORIQUES SUR LA CONCEPTION DE CIRCUITS D'ADAPTATION (METHODE ANALYTIQUE), A PERMIS LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS SI ET SIC LARGE BANDE EN CLASSE A. LES MESURES REALISEES SUR CES AMPLIFICATEURS ONT MONTRE LES PERFORMANCES INTERESSANTES DU SIC POUR L'AMPLIFICATION LARGE BANDE DE PUISSANCE : UNE PUISSANCE DE 10 W ET UN GAIN DE 13 DB SUR LA BANDE UHF. ELLES MONTRENT AUSSI UNE GRANDE MARGE D'EVOLUTION COMPAREE AU SILICIUM.