Download or read book Composants de Puissance en Sic written by and published by Ed. Techniques Ingénieur. This book was released on with total page 14 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Composants de puissance en SiC Technologie written by Tournier and published by . This book was released on with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Optimisation des tapes technologiques pour la fabrication de composants de puissance en carbure de silicium written by Heu Vang and published by . This book was released on 2006 with total page 170 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'électricité est aujourd'hui l'énergie la plus utilisée de part le monde. L'électronique de puissance est au coeur de la gestion de l'électricité. La majorité des systèmes de puissance utilise de nos jours des composants actifs en silicium. Avec les nouvelles contraintes, des tensions plus élevées, des faibles pertes, l'encombrement, les hautes températures, le silicium a atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande interdite qui présente des propriétés physiques et électriques à celles du silicium pour les composants de puissance. Les différents travaux à travers le monde démontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine génération des composants de puissance. Ainsi les premiers composants SiC sont disponibles sur le marché depuis 2002 et les premiers systèmes hybrides Si/SiC permettent de mettre en évidence les avantages de cette nouvelle technologie. Le travail réalisé au cours de cette thèse a permis de mettre en place une base pour la technologie de fabrication de composants de puissance en SiC. Plusieurs étapes technologiques nécessaires à la fabrication de dispositifs SiC ont été optimisées. La gravure plasma du SiC avec un réacteur RIE et la formation du contact ohmique le SiC de type P ont été étudiées plus amplement. Ainsi, le procédé de gravure optimisé permet une vitesse de gravure de 0,35 æm/min avec un plasma SF6/O2, il est alors possible avec un masque de nickel de réaliser des structures mesas avec des profondeurs supérieures à 10 æm. Ensuite, une métallisation Ni/Al sur le SiC-4H de type P a été réalisé avec une résistance spécifique reproductible de 3×10-5 Ωcm2. Les optimisations des différentes étapes technologiques ont été implémentées dans la fabrication de diodes SiC avec deux types de protections périphériques : JTE et mesa. Des diodes de 1,2 kV et 5 kV ont été réalisées et caractérisées. Ces dispositifs ont permis de valider les optimisations apportées par le travail réalisé dans cette thèse. Cependant, il reste encore à améliorer les techniques de croissance du SiC pour permettre la fabrication de composants bipolaires de puissance en SiC fiables et robustes.

Download or read book Advancing Silicon Carbide Electronics Technology II written by Konstantinos Zekentes and published by Materials Research Forum LLC. This book was released on 2020-03-15 with total page 292 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book presents an in-depth review and analysis of Silicon Carbide device processing. The main topics are: (1) Silicon Carbide Discovery, Properties and Technology, (2) Processing and Application of Dielectrics in Silicon Carbide Devices, (3) Doping by Ion Implantation, (4) Plasma Etching and (5) Fabrication of Silicon Carbide Nanostructures and Related Devices. The book is also suited as supplementary textbook for graduate courses. Keywords: Silicon Carbide, SiC, Technology, Processing, Semiconductor Devices, Material Properties, Polytypism, Thermal Oxidation, Post Oxidation Annealing, Surface Passivation, Dielectric Deposition, Field Effect Mobility, Ion Implantation, Post Implantation Annealing, Channeling, Surface Roughness, Dry Etching, Plasma Etching, Ion Etching, Sputtering, Chemical Etching, Plasma Chemistry, Micromasking, Microtrenching, Nanocrystal, Nanowire, Nanotube, Nanopillar, Nanoelectromechanical Systems (NEMS).

Download or read book Mod lisation et Simulation Spice des Composants de Puissance written by Lotfi Messaadi and published by Univ Europeenne. This book was released on 2016-07-07 with total page 148 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium (SiC) est un materiau semi-conducteur a large bande d'energie interdite. Ce materiau possede des caracteristiques en temperature et une tenue aux champs electriques bien superieures a celles du silicium. Les dispositifs a base de ce materiau (SiC) sont bien adaptes pour fonctionner dans des environnements a haute temperature, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caracteristiques permettent des ameliorations significatives dans une grande variete d'applications et de systemes de puissance. Dans ce travail on presente des etudes analytiques comparatives des modeles des composants a semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caracteristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialises de different constructeurs en raison d'elaborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits d'electronique de puissance de selectionner le composant le plus adapte a leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.

Download or read book Conception d un onduleur triphas base de composants SiC en technologie JFET haute fr quence de commutation written by Xavier Fonteneau and published by . This book was released on 2014 with total page 290 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Depuis le début des années 2000, les composants en carbure de silicium (SiC) sont présents sur le marché principalement sous la forme de diodes Schottky et de transistors FET. Ces nouveaux semi-conducteurs offrent des performances en commutation bien supérieures à celles des composants en silicium (Si) ce qui se traduit par une diminution des pertes et une réduction de la température de fonctionnement à système de refroidissement identique. L'utilisation de composants SiC ouvre donc la possibilité de concevoir des convertisseurs plus compacts ou à une fréquence de commutation élevée pour une même compacité. C'est avec cet objectif d'augmentation de la fréquence de commutation qu'a été menée cette étude axée sur l'utilisation de composants SiC au sein d'un onduleur triphasé. Le convertisseur sur lequel se base l'étude accepte une tension d'entrée de 450V et fournit en régime nominal un courant de sortie efficace par phase de 40 A. Le choix des composants SiC s'est porté sur des transistors JFET Normally-Off et des diodes Schottky SiC car ces composants étaient disponibles à la vente au début de ces travaux et offrent des pertes en commutation et en conduction inférieures aux autres structures en SiC. Les transistors FET possèdent une structure et des propriétés bien différentes des IGBT habituellement utilisés pour des convertisseurs de la gamme considérée notamment par leur capacité à conduire un courant inverse avec ou sans diode externe. De ce fait, il est nécessaire de développer de nouveaux outils d'aide au dimensionnement dédiés à ces composants SiC. Ces outils de calculs sont basés principalement sur les paramètres électriques et thermiques du système et sur les caractéristiques des composants SiC. Les premiers résultats montrent qu'en autorisant la conduction d'un courant inverse au sein des transistors, il est possible de diminuer le nombre de composants. Basées sur ces estimations, une maquette de bras d'onduleur a été développée et testée. Les premiers thermiques montrent que pour une puissance de 12kW, il est possible d'augmenter la fréquence de commutation de 12 kHz à 100 kHz.

Download or read book CONTRIBUTION A L ETUDE DE COMPOSANTS DE PUISSANCE HAUTE TEMPERATURE EN CARBURE DE SILICIUM written by Dominique Planson and published by . This book was released on 1994 with total page 152 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES POTENTIALITES DU CARBURE DE SILICIUM EN TANT QUE MATERIAU SEMICONDUCTEUR EN VUE D'OBTENIR UN COMPOSANT DE PUISSANCE SONT ICI ETUDIEES, POUR DES APPLICATIONS DE PUISSANCE DANS LA GAMME (1500 V-1 A). LES PARAMETRES DU MATERIAU CONNUS A CE JOUR PERMETTENT LA CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR DE COMPOSANTS EN SIC POUR MIEUX CERNER LA TRIPLE ADEQUATION MATERIAU/COMPOSANT/TECHNOLOGIE. LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE TROIS TYPES DE TRANSISTORS (BIPOLAIRE, MOSFET ET JFET) SONT ETUDIEES A L'AIDE DE SIMULATIONS ELECTRIQUES BIDIMENSIONNELLES (LOGICIEL PISCES). UNE PROTECTION PERIPHERIQUE DES COMPOSANTS DE PUISSANCE EST NECESSAIRE POUR SE PREMUNIR DU CLAQUAGE PAR AVALANCHE DU A LA HAUTE TENSION. DEUX TYPES DE PROTECTION CLASSIQUES DE LA FILIERE SILICIUM (ANNEAUX DE GARDE ET STRUCTURE MESA) SONT ETUDIEES AVEC LES CONTRAINTES LIEES AU SIC. ENFIN, LA GRAVURE DU SIC APPARAIT COMME UNE ETAPE TECHNOLOGIQUE CLEF POUR LES COMPOSANTS DE PUISSANCE, ET NOUS PRESENTONS NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX DE GRAVURE PAR PLASMA DANS UN REACTEUR UTILISANT LE PRINCIPE DE LA RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE DISTRIBUEE

Download or read book Conception et caract risation de diodes en SiC pour la d termination des coefficients d ionisation written by Duy Minh Nguyen and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium (SiC) possède plusieurs propriétés exceptionnelles comme une large bande interdite, un champ électrique critique et une vitesse de saturation des porteurs élevée pour remplacer le silicium (Si) dans des domaines de fonctionnement jusque-là inaccessibles avec le Si. Un nombre important de démonstrateurs des composants de puissance en SiC faisant état de performances remarquables ainsi que la disponibilité commerciale des composants en SiC confirment la maturité de la filière SiC et montrent les progrès technologiques réalisés au cours des dernières années. Cependant, il existe peu d'études sur les coefficients d'ionisation du SiC, lesquels sont pourtant indispensables pour prévoir précisément la tenue en tension des composants de puissance en SiC. Ce travail contribue donc à mieux déterminer ces coefficients. Pour cela, un bon nombre de diodes spécialement conçues pour la détermination des coefficients d'ionisation du SiC par la technique OBIC (Optical Beam Induced Current) ont été réalisées sur différents wafers de SiC-4H et de SiC-6H, deux polytypes courant du SiC. Cette technique repose sur un faisceau de laser ultraviolet qui génère des paires électrons-trous dans la zone de charge d'espace d'une diode sous test. La mesure du courant résultant permet d'accéder aux coefficients d'ionisation. A partir des mesures OBIC sur les diodes réalisées, nous avons pu déduire les coefficients pour ces deux polytypes du SiC. Plus particulièrement, les coefficients d'ionisation du SiC-4H sont déterminés dans une large gamme de champ électrique grâce aux mesures sur les différents dopages. Les paramètres des coefficients déterminés dans ce travail peuvent être utilisés en conception de dispositifs haute tension pour prédire plus précisément l'efficacité de leur protection périphérique.

Download or read book Contribution l optimisation d une technologie de composants hyperfr quences r alis s en carbure de silicium SIC written by Anne-Sophie Royet and published by . This book was released on 2000 with total page 166 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE CARBURE DE SILICIUM (SIC) EST UN MATERIAU A LARGE BANDE INTERDITE COMBINANT UNE VITESSE DE SATURATION DES ELECTRONS ELEVEE, UN FORT CHAMP DE CLAQUAGE, UNE TRES BONNE CONDUCTIVITE THERMIQUE ET DE NOMBREUSES PROPRIETES SPECIFIQUES QUI EN FONT UN CANDIDAT DE CHOIX POUR REPOUSSER LES LIMITES DU SILICIUM (SI) ET DE L'ARSENIURE DE GALLIUM (ASGA), DANS LES DOMAINES DE LA PUISSANCE, DES HAUTES TEMPERATURES ET DES HAUTES FREQUENCES. CE TRAVAIL PRESENTE LA CARACTERISATION ET LA MODELISATION DE DISPOSITIFS SIC DEDIES EN PARTICULIER AUX APPLICATIONS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE. LES AVANTAGES DU SIC POUR CE TYPE D'APPLICATIONS SONT DETAILLES DANS LE PREMIER CHAPITRE. LA DESCRIPTION DES PRINCIPES DE MESURE EN HAUTE FREQUENCE EST AUSSI PRESENTEE. DANS LE SECOND CHAPITRE, NOUS AVONS CARACTERISE DES LIGNES DE TRANSMISSION COPLANAIRES REALISEES SUR DES SUBSTRATS SIC DE RESISTIVITES DIFFERENTES ET ANALYSE LES DIFFERENTS MODES DE PROPAGATION PRESENTS DANS CHAQUE STRUCTURE. LE TROISIEME CHAPITRE EST CONSACRE A L'ETUDE STATIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET A CONTACT SCHOTTKY (MESFET). L'INFLUENCE DES EFFETS D'AUTOECHAUFFEMENT SUR LES CARACTERISTIQUES DES TRANSISTORS EST ANALYSEE. LE CHAPITRE IV CONCERNE PARTICULIEREMENT LES PERFORMANCES DES MESFET DANS LA GAMME 45 MHZ-18 GHZ. LA MODELISATION PETIT SIGNAL DE CES COMPOSANTS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE L'INFLUENCE DES EFFETS D'AUTOECHAUFFEMENT SUR LES PERFORMANCES HYPERFREQUENCES. DANS LE DERNIER CHAPITRE, UNE ETUDE EN BRUIT BASSE FREQUENCE (

Download or read book Advanced Silicon Carbide Devices and Processing written by Stephen Saddow and published by BoD – Books on Demand. This book was released on 2015-09-17 with total page 260 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Since the production of the first commercially available blue LED in the late 1980s, silicon carbide technology has grown into a billion-dollar industry world-wide in the area of solid-state lighting and power electronics. With this in mind we organized this book to bring to the attention of those well versed in SiC technology some new developments in the field with a particular emphasis on particularly promising technologies such as SiC-based solar cells and optoelectronics. We have balanced this with the more traditional subjects such as power electronics and some new developments in the improvement of the MOS system for SiC MOSFETS. Given the importance of advanced microsystems and sensors based on SiC, we also included a review on 3C-SiC for both microsystem and electronic applications.

Download or read book Recent Advances in Electrical and Information Technologies for Sustainable Development written by Soumia El Hani and published by Springer. This book was released on 2019-02-08 with total page 210 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: The book includes the best extended papers which were selected from the 3rd International Conference of Electrical and Information Technologies (ICEIT 2017, Morocco). The book spans two inter-related research domains which shaped modern societies, solved many of their development problems, and contributed to their unprecedented economic growth and social welfare. Selected papers are based on original and high quality research. They were peer reviewed by experts in the field. They are grouped into five parts. Part I deals with Power System and Electronics topics that include Power Electronics & Energy Conversion, Actuators & Micro/Nanotechnology, etc. Part II relates to Control Systems and their applications. Part III concerns the topic of Information Technology that basically includes Smart Grid, Information Security, Cloud Computing Distributed, Big Data, etc. Part IV discusses Telecommunications and Vehicular Technologies topics that include, Green Networking and Communications, Wireless Ad-hoc and Sensor Networks, etc. Part V covers Green Applications and Interdisciplinary topics, that include intelligent and Green Technologies for Transportation Systems, Smart Cities, etc. This book offers a good opportunity for young researchers, novice scholars and whole academic sphere to explore new trends in Electrical and information Technologies.

Download or read book Contribution l tude des assemblages et connexions n cessaires la r alisation d un module de puissance haute temp rature base de jfet en carbure de silicium SiC written by Wissam Sabbah and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le développement de composants de puissance à base de carbure de silicium (SiC) permet la réalisation d'interrupteurs pouvant fonctionner au-delà de 200°C. Le silicium présente plus de limitations au niveau physique du matériau qu'au niveau des technologies d'assemblages. Le SiC est un matériau semi-conducteur grand gap ce qui permet d'obtenir des courants de fuite inverse qui restent faibles à haute température ; d'où un fort intérêt pour des applications haute température. Mise à part son utilisation à des températures pouvant dépasser les 300°C, c'est un matériau qui permet aussi d'augmenter les fréquences de commutation ainsi que la densité de puissance par rapport à des composants à technologie silicium. Ceci en fait un candidat idéal pour des applications forte puissance dans le domaine de la traction, des protections de réseaux électriques ou de la transmission et de la distribution d'énergie. L'utilisation du SiC pour une application haute température pose le problème de son packaging, des choix de matériaux et de sa configuration. Cette thèse a pour but d'effectuer une étude de fiabilité et de durée de vie des briques technologiques d'assemblage et de connexions nécessaires à la réalisation d'un cœur de puissance haute température à base de JFET SiC. Une étude des différentes technologies d'assemblages de convertisseurs de puissance haute température est effectuée afin de définir différentes briques technologiques constitutives de ces systèmes. Cette première étude nous permet de procéder à une sélection de certaines technologies d'assemblages comme le frittage de pâtes d'argent pour la technologie de report de puces. Ces briques technologiques feront l'objet d'études plus approfondies allant de la réalisation de véhicules tests jusqu'à la mise au point des essais de cyclages associés aux techniques d'analyse nécessaires à l'étude de leur défaillance.Les études expérimentales concernent des essais de cyclage passif et de stockage thermique, l'apparition de délaminages en cours de cyclage thermique (scan acoustique, RX), le report par frittage de pâtes d'argent nano et microscopiques et la caractérisation électrique et thermique (Rth, I[V]).

Download or read book Caract risation mod lisation et int gration de JFET de puissance en carbure de silicium dans des convertisseurs haute temp rature et haute tension written by Rami Mousa and published by . This book was released on 2009 with total page 169 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les systèmes d’électroniques de puissance ont grandement bénéficié du progrès révolutionnaire des composants de puissance en silicium (Si). Actuellement la quasi-totalité des applications d’électronique de puissance utilise des composants en Si. Les applications d’électroniques de puissance à haute température, haute tension et forte puissance sont de plus en plus croissantes et le silicium atteint ses limites. Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d’énergie interdite. Les propriétés électriques de ce matériau devancent celles du silicium, ce qui signifie qu’un composant en SiC présente de meilleures performances par rapport à son équivalent en silicium (Si). Les différents travaux à travers le monde démontrent un avenir prometteur pour le SiC dans la prochaine génération des composants de puissance. Le transistor JFET-SiC est l’interrupteur le plus avancé dans son développement technologique car il est au stade de la pré-commercialisation. Un modèle de type circuit pour les composants en SiC présente une extrême importance pour l’analyse et la conception de circuits de convertisseurs, en particulier, si une comparaison avec les composants en Si est établie. Le travail réalisé au cours de cette thèse, consiste à caractériser électriquement plusieurs versions de JFET-SiC pour des températures comprises entre 25°C et 225°C. Les caractérisations sont basées sur des mesures DC (Courant - Tension) en utilisant un traceur de caractéristiques, des mesures AC (Capacité - Tension) en utilisant un analyseur d’impédance et des mesures en commutation sur charge R-L (Résistive-Inductive). L’objectif est d’établir un modèle analytique du transistor JFET-SiCED. Ce modèle est basé sur l’analyse physique et comportementale du JFET en tenant compte de l’influence de la température et de la présence des deux canaux intrinsèques. Le modèle a été développé en langage VHDL-AMS et validé en régime statique ainsi qu’en dynamique en utilisant le simulateur SIMPLORER 7.0. La validation du modèle montre une excellente concordance entre les mesures et la simulation.

Download or read book Composants de puissance en SiC Applications written by Tournier and published by . This book was released on with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Conception suivi de fabrication et caract risation lectrique de composants haute tension en SiC written by Runhua Huang and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les composants actifs en électronique de puissance sont principalement à base de Silicium. Or, le silicium a des limites en termes de température d'utilisation, fréquence de commutation et de tenue en tension. Une alternative au Si peut être les semi-conducteurs à grand gap tels que le SiC-4H. Grâce aux travaux de plusieurs équipes de chercheurs dans le monde, les performances s'améliorent d'année en année. Le laboratoire AMPERE conçoit, réalise et caractérise des composants de puissance en SiC-4 H. Cette thèse s'inscrit dans les projets SiCHT2 et VHVD du laboratoire. Le travail réalisé au cours de cette thèse repose sur la conception la fabrication et la caractérisation électrique de composantes haute tension en SiC-4H. Les paramètres de protection pour la diode bipolaire 6500V sont optimisés à l'aide des simulations à base d'éléments finis. Les paramètres du SiC pour les modèles utilisés pour la simulation sont développés par des travaux précédents. Ensuite, le masque est dessiné. La diode est réalisée chez IBS. La première caractérisation est effectuée avant le recuit post-métallisation en directe et inverse sans passivation finale. Après le recuit post-métallisation la résistance de contact est plus faible. La caractérisation de la tenue en tension a été effectuée à AMPERE puis à l'ISL à très haute tension. A l'aide de simulations à base d'éléments finis, les paramètres tels que la résistance de contact et la durée de vie des porteurs ont été affinés à partir des caractérisations électriques obtenues par l'expérience. Les autres travaux portent sur la conception, les optimisations et les fabrications des diodes 10 kV et transistors 6500 V.

Download or read book Technologie d int gration monolithique des JFET lat raux written by Farah Laariedh (auteur(e) en génie électrique).) and published by . This book was released on 2013 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le carbure de silicium (SiC) est un semi-conducteur à large bande d'énergie interdite, remarquable par ses propriétés physiques situées à mi-chemin entre le silicium et le diamant. Ceci suscite actuellement un fort intérêt industriel pour son utilisation dans la fabrication de composants susceptibles de fonctionner dans des conditions extrêmes : forte puissance et haute température. Les travaux de thèse se sont focalisés sur la levée de verrous technologiques pour réaliser des composants latéraux de type JFET (Junction Field Effect Transistor) et les intégrer monolithiquement dans des substrats SiC-4H. L'objectif est de réaliser un bras d'onduleur intégré en SiC avec deux étages commande et puissance. Dans un premier temps, nous avons entamé cette thèse par une caractérisation de deux lots de composants JFET latéraux à canaux N et P réalisés dans le cadre de deux projets ANR précédents cette thèse. De cette étude nous avons extrait plusieurs points positifs, comme celui qui concerne la tenue en tension des JFET de puissance et l'intégration monolithique des JFET basse tension. Mais, nous avons aussi mis en évidence, la nécessité d'optimiser la structure de composants et d'améliorer certaines étapes technologiques, principalement, la définition des canaux par implantation ionique, le contact ohmique et la gravure profonde. Des études approfondies pour réaliser le contact ohmique sur SiC type P et des procédés pour réaliser une gravure profonde dans le SiC ont été développés. Ces études ont permis d'obtenir une faible résistance de contact comparable à l'état de l'art mondial, d'avoir des calibres en courant plus élevés et par conséquent une meilleure modulation. Pour la gravure, un masque dur à base de silicium et nickel (NiSi), nous a permis de mettre en place un procédé original qui permet des gravures profondes du SiC et réaliser les structures intégrés des JFET. L'ensemble de ces améliorations technologiques nous a permis d'obtenir des nouveaux lots de composants JFET P et N intégrés sur la même puce, avec des meilleures performances par rapport aux précédentes réalisations, notamment avec une conduction dans les canaux 10 à 100 fois plus importante. Nous avons également obtenu une modulation du courant Ids en fonction de la tension Vgs sur un nombre très important de JFET en augmentant significativement le rendement par rapport aux lots précédents.

Download or read book Conception et hybridation de l environnement lectronique des composants de puissance structure verticale written by Thimothé Simonot and published by . This book was released on 2011 with total page 0 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ces travaux de thèse portent sur l'intégration hétérogène des fonctions de commande pour des transistors de puissance verticaux à grille isolée. Ce travail a consisté en la conception des fonctions de commande pour un transistor de type MOSFET en technologie CMOS planar, puis en la conception du composant de puissance lui-même, incluant des fonctions spécifiques pour l'auto-alimentation de sa commande. Le deuxième aspect de ce travail est l'étude et la réalisation technologique de métallisations épaisses en surface de puces silicium pour l'hybridation en chip on chip de la partie commande et de la partie puissance. Ce mémoire de thèse comporte trois chapitres équivalents : études théoriques et présentation des concepts, conception et validation expérimentale de la partie commande puis conception de la partie puissance et développements technologiques. Les champs d'application de ces travaux sont variés car ils couvrent un large domaine de l'électronique de puissance (convertisseurs hybrides).