Download or read book CARACTERISATION PHYSICO CHIMIQUE DU SILICIUM IMPLANTE AVEC DU BORE OU DE L ARSENIC A FORTE DOSE RECUIT PAR DES PROCEDES RAPIDES RTA written by CORINNE.. LE ROUX and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES IMPLANTATIONS DE BORE ET D'ARSENIC EN FORTE CONCENTRATION DANS LE SILICIUM ONT ETE RECUITS DANS DES FOURS RAPIDES. DE NOMBREUSES CARACTERISATIONS PHYSIQUES ET ELECTRIQUES ONT PERMIS DE COMPARER LES PROPRIETES RESULTANTES DU MATERIAU A CELLES DONNEES DANS LA LITTERATURE. POUR CE QUI EST DE LA DIFFUSION A TRES FORTE CONCENTRATION, NOS RESULTATS EXTRAPOLENT CORRECTEMENT CEUX DEJA PUBLIES. L'ACTIVATION ELECTRIQUE, LE ROLE DE L'OXYGENE ET DES DEFAUTS PONCTUELS ONT ETE ABORDES. UNE ATTENTION PARTICULIERE EST PORTEE A L'OBSERVATION EN TEM DES DEFAUTS ETENDUS RESIDUELS GRACE A UNE METHODE DE PREPARATION DES ECHANTILLONS PERFORMANTE

Download or read book Redistribution du bore et de l arsenic implant s dans le silicium written by Michel Ngamo Toko and published by . This book was released on 2010 with total page 182 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'augmentation des niveaux de dopages dans les extensions de source et de drain des transistors à effet de champ MOS est nécessaire à la miniaturisation des composants à semi-conducteurs. Les défauts créés par l'implantation ionique, technique principale de dopage des semi-conducteurs, entraînent au cours du recuit thermique l'apparition de phénomènes indésirables tels que la formation d'amas inactifs de dopants et la ségrégation de dopants aux interfaces avec des diélectriques. La sonde atomique tomographique assistée laser, technique récente, a été utilisée pour l'étude de la redistribution de l'arsenic et du bore dans le Si. Cette technique a été comparée à des techniques plus conventionnelles comme la spectrométrie de masse à ionisation secondaire (SIMS) ou la microscopie électronique à transmission (MET). Nous avons étudié dans la première partie, la redistribution du bore implanté à forte dose dans le silicium avant et après recuit thermique à 740°C. Des amas de bore de tailles nanométriques encore dénommés BICs (Boron Interstitials Clusters) ont été mis en évidence dans le silicium. Parallèlement à ces amas, un ordre à courte distance a également été révélé avant et après recuit thermique par des techniques statistiques et relié à la désactivation électrique. Dans la deuxième partie, la redistribution de l'arsenic dans le silicium et sa ségrégation à l'interface Si/SiO2 ont été étudiées. Un ordre à courte distance a été mis en évidence dans les échantillons implantés et recuits (900°C) ainsi que pour des échantillons dopés par épitaxie et reliée aux mesures électriques. La ségrégation de l'arsenic à l’interface Si/SiO2, étudiée dans des conditions d'équilibre, a permis de mettre en évidence par SAT la forte accumulation d'arsenic (9% de la dose implantée) à l'interface en bon accord avec la technique de spectroscopie de fluorescence-X à incidence rasante (GI-XRF). Des mesures électriques de « Spreading Resistance Profiling » (nano-SRP) ont montré un très faible niveau d'activation de l'arsenic ségrégé.

Download or read book ACTIVATION ELECTRIQUE ET REDISTRIBUTION DE L ARSENIC ET DU BORE IMPLANTES DANS LE SILICIUM APRES RECUIT THERMIQUE RAPIDE written by Michel Ajaka and published by . This book was released on 1987 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES DIFFERENTS ASPECTS DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE APPLIQUE A LA GUERISON DES DEFAUTS ET A L'ACTIVATION DES DOPANTS DANS LE SILICIUM IMPLANTE. DEMONSTRATION DU FAIT QUE LES TEMPS BREFS MIS EN JEU DANS CE TYPE DE RECUIT PERMETTENT DE REVELER DES EFFETS TRANSITOIRES, LIMITES A QUELQUES MINUTES DANS LE CAS DE L'EPITAXIE EN PHASE SOLIDE ET A QUELQUES SECONDES DANS LE CAS DE LA DIFFUSION DES DOPANTS

Download or read book Proc d s thermiques rapides written by Francois Marou and published by . This book was released on 1990 with total page 268 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE

Download or read book ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM written by Mohamed Remram and published by . This book was released on 1987 with total page 105 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE, PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND, DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INTRODUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PUR OU IMPLANTE. TROIS NIVEAUX PIEGES ONT ETE OBSERVES DANS SI DOPE PAR LE BORE ET RECUIT ENTRE 850 ET 1050C. L'IMPLANTATION PAR AS**(+) OU PF**(+)::(5) CHANGE LE NIVEAU D'UN DE CES PIEGES. UN PIEGE A ELECTRONS A ETE DETECTE DANS LE CAS D'UNE FORTE DOSE D'IONS AS, POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT DE 1100C

Download or read book Implantation forte dose de carbone dans du silicium monocristallin written by Bruno Canut and published by . This book was released on 1983 with total page 248 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: SYNTHESE DE COUCHES ENFOUIES DE SIC PAR IMPLANTATION IONIQUE A FORTE DOSE D'IONS CARBONE DANS DU SILICIUM MONOCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE DE LA THESE CONCERNE L'ETUDE THEORIQUE DE L'IMPLANTATION, EN TENANT COMPTE DE CERTAINES PERTURBATIONS SPECIFIQUES DUES AUX FORTES DOSES (PULVERISATION ET VARIATION DE COMPOSITION DE LA CIBLE NOTAMMENT). LA SECONDE PARTIE CONCERNE L'ANALYSE EN PROFONDEUR DES ECHANTILLONS IMPLANTES PAR RETRODIFFUSION ELASTIQUE DE PARTICULES ALPHA . ENFIN, LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES ECHANTILLONS IMPLANTES EST EBAUCHEE A LA FIN DU MEMOIRE

Download or read book ETUDE DES CONDITIONS DE SYNTHESE ET DE RECRISTALLISATION PAR RECUIT RAPIDE APRES IMPLANTATION D AZOTE A FORTE DOSE DANS DU SILICIUM written by TALAL.. CHAMAS and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: DES MONOCRISTAUX DE SILICIUM |100| ET |111| ONT ETE IMPLANTES AVEC DES IONS AZOTE A FORTE DOSE (10#1#7 A 10#1#8 N#2#+/CM#2) A 160 KEV POUR SYNTHETISER DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM SI#3N#4. LES ECHANTILLONS IMPLANTES ONT ETE RECUITS DANS UN FOUR A LAMPES, A DES TEMPERATURES D'ENVIRON 1200C POUR DES DUREES DE 40 S. AFIN DE CARACTERISER LE MATERIAU ETUDIE, DIFFERENTES METHODES D'ANALYSE ONT ETE UTILISEES: RETRODIFFUSION RUTHERFORD DES IONS EN POSITION ALEATOIRE ET EN GEOMETRIE DE CANALISATION (RBS); MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION (TEM); MESURES ELECTRIQUES. LES ANALYSES EN RBS NOUS ONT PERMIS DE MESURER LA QUANTIE D'AZOTE IMPLANTEE ET LA REPARTITION (PROFIL) DES ELEMENTS, ET D'ESTIMER LES DEFAUTS INDUITS PAR IMPLANTATION. LES OBSERVATIONS TEM EN COUPE TRANSVERSE NOUS ONT PERMIS DE CONNAITRE LES VARIATIONS STRUCTURALES DE LA ZONE IMPLANTEE. ENFIN LES CARACTERISTIQUES ONT MONTRE L'OBTENTION DE COUCHES DE NITRURE D'EPAISSEUR D'ENVIRON 1200 A. CES EPAISSEURS DEDUITES DES MESURES ELECTRIQUES CONFIRMENT LES MESURES EN RBS ET TEM. POUR EXPLIQUER LA CONDUCTION DES FILMS, L'EXISTENCE D'UN EFFET POOLE-FRENKEL OU SCHOTTKY EST DISCUTEE. L'ENSEMBLE DE CETTE ETUDE MONTRE QUE LE MATERIAU ISOLANT SYNTHETISE PAR RECUIT RAPIDE APRES IMPLANTATION CORRESPOND BIEN A UN NITRURE, MAIS PRESENTE UNE CONDUCTIVITE ELECTRIQUE TROS ELEVEE PAR RAPPORT AU SI#3N#4 OBTENUPAR D'AUTRES METHODES. LA FORTE DENSITE DE COURANT OBSERVEE EST PROBABLEMENT LIEE A L'EXCES D'AZOTE ET AUX TECHNIQUES DE RECUITS RAPIDES QUI NE REALISENT PAS UNE SYNTHESE COMPLETE

Download or read book Implantation ionique de bore dans du silicium pr amorphis written by Christian.. Bergaud and published by . This book was released on 1994 with total page 304 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE PRESENTE UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA FORMATION DE JONCTIONS ULTRA-MINCES PAR IMPLANTATION DE BORE DANS DU SILICIUM PREAMORPHISE SUIVIE D'UN RECUIT THERMIQUE RAPIDE. DANS UNE PREMIERE PARTIE, NOUS RAPPELONS LES AVANTAGES APPORTES PAR UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION: SUPPRESSION DES EFFETS DE CANALISATION DU BORE ET ACTIVATION ELECTRIQUE COMPLETE DES DOPANTS. MALHEUREUSEMENT, LORS DU RECUIT, DES DEFAUTS ETENDUS, APPELES DEFAUTS EOR, APPARAISSENT SOUS L'ANCIENNE INTERFACE SILICIUM AMORPHE/SILICIUM CRISTALLIN. NOUS AVONS IDENTIFIE CES DEFAUTS DANS LA DEUXIEME PARTIE DE NOTRE TRAVAIL: IL S'AGIT DE BOUCLES DE DISLOCATION CIRCULAIRES FAUTEES ET DE BOUCLES PARFAITES ALLONGEES TOUTES DE NATURE INTERSTITIELLE ET CONTENUES DANS DES PLANS (111). NOUS MONTRONS EGALEMENT QUE SEUL LE MODELE DES EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER SEMIQUANTITATIVEMENT LA VARIATION DE LA DENSITE DE CES BOUCLES EN FONCTION DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE EN COMPARANT DES PROFILS DE DIFFUSION ISSUS DE SIMULATIONS ET DES PROFILS SIMS, L'INFLUENCE DES DEFAUTS EOR SUR LA DIFFUSION DU BORE: DIFFUSION ANORMALE ET PIEGEAGE DU BORE. NOUS PROPOSONS UN MODELE SIMPLE QUI PERMET DE RENDRE COMPTE DE CES EFFETS SUR LA DIFFUSION DU BORE. ENFIN, NOUS AVONS CARACTERISE ELECTRIQUEMENT EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DES DIODES P+/N ET NOUS MONTRONS QUE LES DEFAUTS EOR SITUES DANS LA ZONE ACTIVE DE LA JONCTION JOUENT LE ROLE DE CENTRES RECOMBINANTS ET SONT RESPONSABLES DE L'AUGMENTATION DU COURANT EN INVERSE. TOUS CES RESULTATS NOUS ONT PERMIS DE PROPOSER LES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION, D'IMPLANTATION ET DE RECUIT CONDUISANT A LA FORMATION DE JONCTIONS P+/N TRES PERFORMANTES (FACTEUR D'IDEALITE DE 1,02 ET UNE VALEUR DU COURANT INVERSE A -10V DE 5 10-#9 A/CM#2)