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Book Caract  risation  passivation et mod  lisation de l influence de d  fauts cristallographiques sur les propri  t  s de jonctions N P

Download or read book Caract risation passivation et mod lisation de l influence de d fauts cristallographiques sur les propri t s de jonctions N P written by Hassan El Ghitani and published by . This book was released on 1988 with total page 161 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LES AUTEURS SE SONT PARTICULIEREMENT INTERESSES AUX DISLOCATIONS DANS LE POLYCRISTAL DE SILICIUM ET ILS ONT DEVELOPPE UN MODELE THEORIQUE POUR TRADUIRE LEUR INFLUENCE EN TERME DE DENSITE ET D'ACTIVITE RECOMBINANTE SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DU POLYSILICIUM. UN AUTRE MODELE A ETE DEVELOPPE POUR CALCULER LE PROFIT PHOTOELECTRIQUE ET LA VITESSE DE RECOMBINAISON INTERFACIALE AUX JOINTS DE GRAINS. ON COMPARE LES RESULTATS DES MODELES SUR LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SUR DES DIODES MESAS PN NET DES DIODES SEMITRANSPARENTES CR-SI. APPLICATION AUSSI A LA PASSIVATION DE PHOTOPILES SOLAIRES PAR L'HYDROGENE QUI S'INTERPRETE FACILEMENT AVEC LE MODELE

Book  caracterisation passivation et modelisatu de l   influence de defauts cristallographiques surles proprietes de jontions np

Download or read book caracterisation passivation et modelisatu de l influence de defauts cristallographiques surles proprietes de jontions np written by hassan" "el ghitani and published by . This book was released on 2005 with total page 162 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Book Influence  origine et passivation de d  fauts cristallographiques dans du silicium polycristallin

Download or read book Influence origine et passivation de d fauts cristallographiques dans du silicium polycristallin written by Larbi Ammor and published by . This book was released on 1984 with total page 125 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE EN EVIDENCE DE L'INFLUENCE DES DEFAUTS SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DE JONCTION N+-P. EXISTENCE D'UNE CORRELATION ENTRE LA VALEUR ELEVEE DES DENSITES DE DISLOCATIONS, LA DECROISSANCE DES LONGUEURS DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES, ET DES CONCENTRATIONS DE CARBONE SUPERIEURES A LA LIMITE DE SOLUBILITE. POSSIBILITE DE REDUCTION DE L'ACTIVITE RECOMBISSANTE DES DEFAUTS ETENDUS PAR RECUIT PROLONGE SOUS FLUX D'HYDROGENE MOLECULAIRE OU PAR IMPLANTATION D'HYDROGENE PENDANT QUELQUES MINUTES