Download or read book Caract risation non lin aire avanc e de transistors de puissance pour la validation de leur mod le CAO written by Tony Gasseling and published by . This book was released on 2003 with total page 229 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le travail présenté dans ce mémoire propose une contribution à la conception optimisée d'amplificateurs de puissance par l'utilisation de plusieurs caractérisations fonctionnelles. Celles ci sont réalisées aux premiers stades de la conception, au niveau du transistor en environnement source et load pull. Il est ainsi montré qu'un banc load pull fonctionnant en mode pulsé permet de participer à la validation des technologies utilisées pour la génération de fortes puissances aux fréquences microondes (Bande S). Cette étape permet également de valider fortement les modèles non linéaires électrothermiques des transistors développés à cet effet. Dans le domaine millimétrique, l'amplification de puissance sous contrainte de rendement et de linéarité est à l'heure actuelle un des points critiques du fait des faibles réserves de gain proposées. Dans ce contexte, le développement d'un banc source et load pull actif fonctionnant en bande K et permettant de déterminer les conditions optimales de polarisation et d'adaptation pour l'obtention du meilleur compromis rendement/linéarité se révèle être de première importance pour la conception optimisée d'amplificateur. Enfin, une nouvelle technique de caractérisation dédiée à l'extraction des quatre paramètres S à chaud en environnement load pull est proposée. Une application de cette nouvelle caractérisation a ainsi permis de prédire les oscillations paramétriques hors bande pouvant apparaître en fonction des conditions opératoires lorsque le transistor fonctionne en régime fort signal

Download or read book Mod lisation lectrothermique des transistors bipolaires h t rojonction written by Thierry Peyretaillade and published by . This book was released on 1997 with total page 217 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL, PROPOSE PAR LE C.N.E.S., RENTRE DANS LE CONTEXTE D'UNE ACTION R&D DESTINEE A DEMONTRER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LE TBH. DANS LE BUT DE CONCEVOIR DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN TECHNOLOGIE M.M.I.C., UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DU TBH A ETE DEVELOPPE. LA DETERMINATION DE CE MODELE REPOSE SUR UNE CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DU TRANSISTOR PERMETTANT D'OBTENIR LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DE SES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE JONCTION. UN MODELE NON LINEAIRE ELECTROTHERMIQUE DE TBH TENANT COMPTE DES EFFETS NON QUASI STATIQUES DU TRANSISTOR A ETE DETERMINE. APRES UNE VALIDATION DU MODELE SUR DIFFERENTS ECHANTILLONS ET SUR LA CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT DE TYPE CLASSE F EN BANDE S, NOUS AVONS ETUDIE LE PHENOMENE D'INSTABILITE THERMIQUE (EFFET CRUNCH) APPARAISSANT DANS LES TRANSISTORS MULTIDOIGTS. FINALEMENT, LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT EN BANDE X EST ETUDIEE. CETTE ETUDE A ETE INTEGRALEMENT CONDUITE A PARTIR DE L'UTILISATION CONJOINTE DU MODELE NON LINEAIRE ET DES LOGICIELS DE C.A.O. LA QUALITE DES RESULTATS OBTENUS DES LA PREMIERE FABRICATION, VALIDE LE MODELE DEVELOPPE ET TEMOIGNE DE L'EFFICACITE DE LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION EMPLOYEE.

Download or read book MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO ONDES METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE written by AHMED.. BIRAFANE and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.

Download or read book Caract risation et mod lisation lectrothermique non lin aire des transistors hyperfr quences de puissance RF Si LDMOSFETs pour l tude de la fiabilit written by Mouna Chetibi-RIah and published by . This book was released on 2009 with total page 155 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: This work deals with electrothermal modelling of LDMOS power transistor for the study of reliability in radar applications. In a first part, we presented the characteristics of MOS transistors, and particularly the LDMOS, compared to bipolar transistors. We studied the influence of the temperature rise in semiconductor components on their relevant physical quantities. Finally, we explained the basics of the reliability of power transistors and we discussed ways and mechanisms of failure and the main laws of acceleration of failure (temperature, current density, injection of hot carriers). In a second part, the whole process of extraction of electrothermal model of an LDMOS is presented in detail. This study was based on the MET model deemed most appropriate for RF LDMOS power transistor. The reliability bench used to perform accelerated ageing tests has been described in chapter three. The goal is the understanding of the degradation of the reliability of such components in pulsed mode. Thus, all the electrical and RF parameters drifts after accelerated ageing tests have been studied and discussed.

Download or read book Mod le facile d emploi de transistor bipolaire pour la CAO en lectronique de puissance written by Khadidja Benchaib and published by . This book was released on 1991 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE MEMOIRE TRAITE DE LA MODELISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES SILICIUM EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE. UN NOUVEAU MODELE UNIDIMENSIONNEL ET A CONSTANTE LOCALISEE DE TYPE COMPACT EST PROPOSE POUR SIMULER LE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES DE PUISSANCE. CE MODELE EST A LA FOIS SIMPLE ET FACILE A METTRE EN UVRE PAR UN CONCEPTEUR DE CIRCUIT. SON UTILISATION EST TRES AVANTAGEUSE, CAR IL NE FAIT INTERVENIR QUE PEU DE PARAMETRES QUI PEUVENT, AVEC DES MOYENS INFORMTIQUES LEGERS, FACILEMENT ETRE IDENTIFIES A PARTIR DES FEUILLES DE SPECIFICATION DES FABRICANTS DE COMPOSANTS. LE DIMENSIONNEMENT DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT SIMPLIFIE STATIQUE EST REALISE A PARTIR DE L'EXPRESSION DU GAIN EN COURANT COLLECTEUR. EN FONCTIONNEMENT DYNAMIQUE, LE MODELE EST COMPLETE PAR UNE CAPACITE BASE-EMETTEUR EQUIVALENTE, REPRESENTANT LA CHARGE STOCKEE DANS LA BASE ELECTRIQUE. LE MODELE FINAL, EST ALORS BIEN ADAPTE A L'ETUDE ET A LA CARACTERISATION DU TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PUISSANCE ET PERMET D'EN SIMULER LE FONCTIONNEMENT EN COMMUTATION. LA BONNE CONCORDANCE ENTRE LES COMPORTEMENTS MESURES ET SIMULES DES ECHANTILLONS TESTES, JUSTIFIE L'APPROCHE CHOISIE

Download or read book Contribution la mod lisation non lin aire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa written by Charles Teyssandier and published by . This book was released on 2008 with total page 245 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Le principal objectif de ce travail est la modélisation précise d’une filière de transistor PHEMTs fabriquées à UMS. Notre modèle se base sur une démarche de caractérisation complète et il est facilement intégrable dans les simulateurs de circuit CAO afin de le rendre utilisable dans un contexte industriel. Dans le domaine des télécommunications, la génération de fortes puissances va entraîner un échauffement du transistor, il est donc important de prendre en compte les effets thermiques lors de la conception des circuits. Plusieurs méthodes sont étudiées pour déterminer la résistance thermique, à partir de cette étude deux modèles thermiques ont été mis au point : le premier est constitué de cellules RC et le deuxième est un modèle distribué extrait à partir de simulations physiques thermiques 3D. Comme les effets de pièges, les phénomènes d’avalanche font partie des effets parasites présents dans les PHEMTs AsGa. Analyser leur comportement permet de limiter la zone d’utilisation de ces composants. Nous nous sommes attardés à étudier et modéliser l’avalanche due à l’ionisation par impact. La comparaison mesures/modèles des cycles de charges et des mesures de paramètres [Y] pulsées nous ont permis de déterminer une fréquence de coupure pour le phénomène d’ionisation par impact.

Download or read book Mod le lectrothermique distribu de transistor bipolaire h t rojonction written by Marie Anne Pérez and published by . This book was released on 1998 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL CONSTITUE UNE NOUVELLE APPROCHE SUR LA MODELISATION DE TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION ET SON UTILISATION POUR LA CONCEPTION NON LINEAIRE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT. UN RECAPITULATIF DE LA TECHNIQUE DE MODELISATION DE TBH DEVELOPPEE A L'IRCOM EST EXPOSE. LA NOUVELLE APPROCHE CONCERNE LA DISTRIBUTION THERMIQUE DU MODELE ET SA VALIDATION EN PETIT SIGNAL. CETTE DISTRIBUTION THERMIQUE NOUS A PERMIS D'ETUDIER LE PHENOMENE DE CRUNCH PRESENT DANS LES TBH MULTIDOIGTS. NOUS AVONS PU SIMULER LES CONSEQUENCES DU CRUNCH EN COMPORTEMENT STATIQUE ET DYNAMIQUE. CE MODELE DE TBH NOUS A AUSSI PERMIS D'ABORDER UNE CONCEPTION D'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE OPTIMISE EN TEMPERATURE. UN AMPLIFICATEUR EN BANDE X A ETE CONCU ET REALISE. UNE ANALYSE DE STABILITE A ETE UTILISEE POUR PREDIRE LES PROBLEMES D'OSCILLATIONS. LES MESURES EN BOITIER DE CET AMPLIFICATEUR EN PETIT SIGNAL ET EN PUISSANCE NOUS PERMETTENT DE VALIDER LA METHODOLOGIE DE CONCEPTION AINSI QUE LE MODELE ELECTROTHERMIQUE UTILISE.

Download or read book Caract risation non lin aire et analyse de transistors effet de champ pour applications hyperfr quences dans le domaine temporel written by Damien Ducatteau and published by . This book was released on 2008 with total page 246 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: De nos jours, les systèmes de télécommunications deviennent de plus en plus complexes et sophistiqués. Les perfonnances électriques des transistors hyperfréquences qui les constituent, doivent être améliorées en tenne de fréquence, de puissance, de rendement et de linéarité. Dans le cas des transistors de puissance la caractérisation non linéaire est une étape indispensable afin de mieux comprendre et appréhender les effets limitatifs et d'optimiser leur conception. Dans ce cadre, l'objectif de cette thèse a été de mettre en œuvre un analyseur de réseaux non linéaire, de valider les mesures provenant de cet équipement et de développer des outils de mesures et d'analyse dans le domaine temporel afin de mieux appréhender les effets limitatifs des transistors à effet de champ aux fréquences micro-ondes. Dans un premier temps, nous avons montré l'importance de la caractérisation non linéaire hyperfréquence lors de la conception de circuits actifs. Nous avons effectué ensuite une étude bibliographique des principaux systèmes de caractérisation non linéaires existants et qui ont été précurseurs dans ce domaine.

Download or read book MISE EN UVRE D UN BANC DE CARACTERISATION NON LINEAIRE DE TRANSISTORS DE PUISSANCE A PARTIR DE REFLECTOMETRES SIX PORTES written by GERARD.. BERGHOFF and published by . This book was released on 1997 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE MARCHE DES SYSTEMES DES COMMUNICATIONS, NOTAMMENT LE SECTEUR GRAND PUBLIC, EST CARACTERISE PAR UNE FORTE CROISSANCE. DANS TOUS LES SYSTEMES, L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EST UN ELEMENT ESSENTIEL. LES APPAREILS PORTABLES NECESSITENT DES CIRCUITS RADIOFREQUENCES FONCTIONNANT AVEC DES TENSIONS DE POLARISATION TRES BASSES (INFERIEURE OU EGALE A 3 V) ET AYANT UN RENDEMENT ELEVE AFIN DE RENDRE POSSIBLE UN MAXIMUM D'AUTONOMIE. DANS CE CONTEXTE, L'OPTIMISATION DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN TERMES DE PUISSANCE DE SORTIE ET DE RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE EST D'UNE GRANDE IMPORTANCE. LE SUJET DE CETTE THESE EST LE DEVELOPPEMENT D'UN BANC DE CARACTERISATION, CAPABLE D'EFFECTUER UNE VARIATION DE LA CHARGE EN SORTIE A LA FREQUENCE FONDAMENTALE ET AU DEUXIEME HARMONIQUE (LOAD-PULL MULTIHARMONIQUE), ETANT DONNE QUA LA CHARGE AU DEUXIEME HARMONIQUE JOUE EGALEMENT UN ROLE IMPORTANT SUR LE COMPORTEMENT DU TRANSISTOR. DE PLUS, L'EFFET DE L'IMPEDANCE DE SOURCE, PRESENTEE AU TRANSISTOR EST PRIS EN COMPTE (SOURCE-PULL). LE BANC SE DISTINGUE PAR SA TOPOLOGIE ORIGINALE EN UTILISANT DEUX VOIES COMPLETEMENT INDEPENDANTES EN SORTIE AU FONDAMENTALE ET AU DEUXIEME HARMONIQUE, CHACUNE ETANT MUNIE D'UN REFLECTOMETRE SIX-PORTES POUR MESURER LES FACTEURS DE REFLEXION ET LES PUISSANCES DE SORTIE AUX DEUX FREQUENCES. LE FAIBLE COUT DES REFLECTOMETRES SIX-PORTES, NOTAMMENT DANS LE CAS D'UNE REALISATION EN TECHNOLOGIE MICRO-RUBAN, FAVORISE CETTE APPROCHE. UNE NOUVELLE METHODE DE CALIBRAGE REND POSSIBLE L'UTILISATION DU BANC DE CARACTERISATION POUR DES MESURES SUR TRANCHES. UN ELEMENT-CLE DE CHAQUE SYSTEME DE MESURE EST SON ERGONOMIE. L'AUTOMATISATION POUR CE BANC A ETE POUSSEE A UN HAUT NIVEAU AFIN DE FACILITER SON UTILISATION. DES ROUTINES POUR SYNTHETISER DES FACTEURS DE REFLEXION DONNES, OPTIMISER LES CHARGES EN SORTIE ET TRACER LES CONTOURS LOAD-PULL ONT ETE PROGRAMMEES.

Download or read book Mise en oeuvre d un banc de caract risation non lin aire dans le domaine fr quentiel pour l analyse de transistors HBT Si SiGe C written by Rezki Ouhachi and published by . This book was released on 2012 with total page 252 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence des technologies de communication satellite et radar toujours en pleine essor nécessite des composants de puissance hyperfréquence de plus en plus compacts permettant d’intégrer sur une seule puce des fonctions analogiques/numériques, tout en réduisant le coût de fabrication. Dans ce contexte, le transistor bipolaire à hétérojonction HBT constitue un composant de choix afin d'améliorer les performances des transistors de puissance sur silicium pour les applications hyperfréquences en association avec la technologie CMOS. Ainsi, cette étude est dédiée à la caractérisation et la modélisation non linéaire de ces dispositifs actifs. Dans ce but, un banc de mesures non linéaires et un modèle prédictif grand signal ont été développés jusqu’à 50 GHz. Dans un premier temps, le banc de mesures non linéaires a été mis en œuvre autour du NVNA en configuration load-pull mesurant dans le domaine fréquentiel vis à vis du LSNA mesurant dans le domaine temporel. Cette configuration instrumentale associée à la dynamique du NVNA met en avant ses avantages et inconvénients. Par la suite, une procédure d’extraction pour l’élaboration d’un modèle électrique grand signal a été validée en régimes statique et dynamique. L’originalité de ce modèle prédictif est la procédure d’extraction ainsi que la mise en œuvre rapide s’appuyant sur les formules analytiques physiques des semiconducteurs. Les étapes d’extraction se sont avérées très efficaces lors des confrontations avec les données expérimentales du dispositif sous test dans les mêmes conditions de polarisation et d’impédances de charge. Nous avons alors mis en évidence l’impact des courants thermiques sur les performances en puissance hyperfréquence des transistors bipolaires dans les domaines temporel et fréquentiel.

Download or read book Mod lisation lectrique des transistors effet de champ pour la CAO des circuits microondes lin aires et non lin aires written by Joaquin Portilla Rubin and published by . This book was released on 1994 with total page 183 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LA MODELISATION ELECTRIQUE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (FET, HEMT) POUR LA CAO DES CIRCUITS LINEAIRES ET NON LINEAIRES CONSTITUE LE THEME ESSENTIEL DE NOTRE TRAVAIL. LA MODELISATION ELECTRIQUE DES COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS EST AUJOURD'HUI LA SOLUTION ADOPTEE POUR LA CAO DES CIRCUITS HYPERFREQUENCES. DIFFERENTES TECHNIQUES DE MESURE ET DE MODELISATION DOIVENT ETRE MISES EN UVRE AFIN DE PREVOIR LE COMPORTEMENT DES COMPOSANTS. LA CARACTERISATION IMPULSIONNELLE DES SOURCES DE CONDUCTION ET DES PARAMETRES S EST LA METHODE EXPERIMENTALE LA PLUS ADEQUATE. L'ACTIVITE PRINCIPALE DE LA MODELISATION ELECTRIQUE CONSISTE A OBTENIR UNE TOPOLOGIE DE DESCRIPTION DES COMPOSANTS AINSI QUE DES METHODES D'EXTRACTION DES ELEMENTS QUI SOIENT EFFICACES ET PRECISES. NOTRE ETUDE NOUS A PERMIS DE DETERMINER UN NOUVEAU MODELE ELECTRIQUE FAIBLE SIGNAL DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP QUI CONSTITUE UNE REPRESENTATION PLUS INTUITIVE DE SON COMPORTEMENT ELECTRIQUE. CE NOUVEAU SCHEMA EQUIVALENT PERMET DE MODELISER AUSSI LES SOURCES DE BRUIT DE DIFFUSION. UNE METHODE D'EXTRACTION DU MODELE FAIBLE SIGNAL A ETE MISE AU POINT PERMETTANT DE RESPECTER LA COHERENCE DU MODELE COMPLET ET LES CONDITIONS PARTICULIERES DE FONCTIONNEMENT. UNE APPROCHE NON LINEAIRE, NON QUASI STATIQUE, PERMETTANT LA CONSERVATION DE LA CHARGE ET ELLE AUSSI COHERENTE AVEC LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT HYPERFREQUENCE DU COMPOSANT A EFFET DE CHAMP, A ETE ETABLIE A PARTIR DE MESURES IMPULSIONNELLES. NOUS EVOQUONS EN CONCLUSION L'EXTENSION QUI PEUT ETRE DONNEE AUX TRAVAUX PRESENTES EN VUE DE L'OBTENTION DE MODELES PLUS FIABLES POUR LA CAO DES CIRCUITS HYPERFREQUENCES

Download or read book Etude et mise en uvre d un banc de caract risation fort signal de transistors en ondes millim triques written by Ismail Yattoun and published by . This book was released on 2006 with total page 159 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La conception maîtrisée d'amplificateurs de puissance à l'état solide nécessite des moyens de caractérisation performants permettant d'obtenir par l'expérimentation les conditions optimales de fonctionnement en puissance des transistors - ces résultats étant directement utilisables par le concepteur. Par ailleurs, ces moyens permettent également de valider les modèles de composants élaborés pour la C.A.O des circuits non-linéaires. La caractérisation en puissance des transistors est réalisée au moyen de la technique de la charge active (« load-pull » actif) dont une nouvelle configuration est proposée. Cette technique permet la synthèse électronique d'une impédance de charge quelconque pour laquelle les performances en puissance du transistor - pour une fréquence et un point de polarisation donnés - sont mesurées. L'application maieure visée par ce banc expérimental est donc la caractérisation fort signal de transistors, en vue de concevoir des amplificateurs de puissance destinés aux systèmes de télécommunication en ondes millimétriques en particulier aux fréquences 28/30 ou 41 GHz.

Download or read book Mod lisation electrothermique non lin aire de transistors de puissance LDMOS written by Mickaël Guyonnet and published by . This book was released on 2005 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'accroissement du marché des télécommunications demande des amplificateurs de puissance pour station de base à bas coût, linéaire et possédant un rendement élevé. Les puissances requises pour ces amplificateurs peuvent dépasser les 120 W pour une tension d'alimentation inférieure à 30Y. La technologie LDMOS-Silicium possède tous les atouts requis pour satisfaire le besoin. A cela s'ajoute le besoin de modèle Electrothermique non-linéaire que l'on intègre dans un simulateur de circuit Plusieurs types de modèles électrothermiques ont, à ce jour, été développés. Cependant aucun n'inclut un véritable comportement thermique primordial pour la prédiction du comportement du transistor. Dans cette thèse nous proposons une nouvelle approche basée sur la description électrique et thermique des composants intrinsèques du modèle, ce même modèle étant couplé à un second modèle thermique. La description du comportement électrique de chaque composant intrinsèque est faite avec des splines Tri-cubiques. Le circuit thermique est issu de simulations thermiques (simulateur Ansys), réduites a raide de la méthode des vecteurs de Ritz proposé par l'IRCOM. Partant d'un modèle Electrothermique initial, nous définissons des règles de scaling permettant l'obtention de modèles de transistors de plus fort développement sans avoir à re-exécuter tout le process

Download or read book Analyse et optimisations de transistors effet de champ h t rojonction pour l amplification de puissance dans la bande Ka written by Christophe Gaquière and published by . This book was released on 1995 with total page 293 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'amélioration permanente des performances des transistors à effet de champ, en termes de fréquence, puissance ou rendement, a conduit ces composants à remplacer progressivement les tubes à vide dans les amplificateurs hyperfréquences. De plus, depuis quelques années, l'extraordinaire explosion des applications grand public comprenant des circuits de puissance hyperfréquences (radiocommunication sans fil, télécommunications par satellite, systèmes d'anti-collision, d'auto-péage, et de surveillance de la circulation) a renforcé cette tendance. La première partie de ce travail développe une méthode de caractérisation spécifique en statique et en hyperfréquence petit signal des transistors à effet de champ millimétriques en vue d'une utilisation en puissance. Des analyses sont effectuées afin de déterminer les principales limitations de ces composants. Des solutions sont envisagées afin d'améliorer leurs performances. La suite du travail porte sur la caractérisation de ces transistors en fonctionnement grand signal dans la bande de fréquence 26-40 GHz à partir de bancs de mesures en puissance classiques. L'étude continue avec une recherche de l'influence des polarisations drain source et grille source et du développement total de grille sur les comportements en puissance des composants. La dernière partie présente un système automatise de mesures grand signal dans la bande Ka qui permet d'effectuer des mesures en mode load pull à charge active ou en analyseur de réseau standard et d'avoir accès à toutes les grandeurs caractéristiques (gains, puissances, rendements). Ces mesures et analyses ont pour objectifs l'amélioration de la technologie pour les applications de puissance et la validation des modèles non linéaires utilisés pour la conception de circuits hybrides ou monolithiques.

Download or read book Mise en oeuvre d un banc de caracterisation non lineaire de transistors de puissance a partir de reflectometres six portes application aux mesures Source Pull written by Gerald Berghoff and published by . This book was released on 1997 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Contribution la caract risation et la mod lisation de transistors bipolaires de puissance int gr s dans une fili re BiCMOS submicronique written by Hélène Beckrich-Ros and published by . This book was released on 2006 with total page 188 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L’émergence de la troisième génération de téléphone portable a fait évoluer les usages. Les utilisateurs peuvent désormais bénéficier d’un accès haut débit à l’Internet sans fil ce qui a rendu les services de communication multimedia: visiophonie, MMS, réception de programmes télévisés... Cette diversification du mode d’utilisation d’un portable a fait des amplificateurs de puissance des éléments prépondérants pour la transmission de l’information. C’est pourquoi cette étude propose une contribution à la caractérisation et à la modélisation de transistor de puissance RF intégrés dans une filière submicronique. Dans ce cadre d’application, il est important de tenir compte de l’influence de la température sur la réponse électrique d’un transistor bipolaire; cet effet est d’autant plus marqué pour les applications de puissance au regard des densités de courant mises en jeu. C’est pourquoi, une analyse des lois en température des paramètres du modèle compact HICUM/L2 est présentée, ainsi que les méthodes d’extraction associées. Puis, les phénomènes d’auto-échauffement et de couplage thermique dans les transistors de puissance sont étudiés à l’aide de simulations physiques et de caractérisations électriques pour mettre au point un modèle nodal SPICE. Finalement, les transistors de puissance sont caractérisés à l’aide de mesure load-pull en appliquant un signal à deux tons sur leur base. Ces caractéristiques sont comparées à des simulations Harmonic Balance de manière à valider le comportement grand signal du modèle HICUM/L2 et sa capacité à modéliser les phénomènes d’intermodulations fréquentielles.

Download or read book Mise en oeuvre d un banc de caract risation non lin aire de transistors de puissance partir de r flectom tres six portes written by Gerald Berghoff and published by . This book was released on 1998 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: