Download or read book Caract risation de d fauts l interface silicium oxyde de silicium dans les structures M O S par des m thodes spectroscopiques written by Dominique Vuillaume and published by . This book was released on 1984 with total page 11 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les défauts à l'interface silicium-oxyde sont étudiés sur des capacités M.O.S. (métal-oxyde-semiconducteur) par deux techniques complémentaires de caractérisation : une technique harmonique de mesure de conductance, g (oméga ) et une méthode spectroscopique transitoire, d.l.t.s. (deep level transient spectroscopy). La comparaison entre les deux techniques désigne la d.l.t.s. comme étant la plus performante. Deux phénomènes physiques à l'interface sont ensuite étudies par d.l.t.s. L'échange de porteurs, par effet tunnel, entre le substrat et les pièges d'oxyde près de l'interface (20 a) est détecté uniquement sur des échantillons de type n. De même un défaut ponctuel à l'interface est observé par d.t.l.s. sur des échantillons de type n. L'origine de ce défaut semble être un aggrégat d'impuretés métalliques à l'interface. La génération de la zone d'inversion au cours des mesures d.l.t.s se caractérise par un pic artificiel et une marche typique sur la caractéristique c(t). Un modèle théorique est développé qui montre, par son accord avec l'expérience, que ce sont ces états d'interface qui génèrent la zone d'inversion à basse température. Ce modèle inclut un calcul exact de la charge d'inversion et de son évolution

Download or read book Contribution l tude des m canismes de d gradation de l interface silicium oxyde de silicium sous l effet d injection de porteurs en r gime Fowler Nordheim written by Abdellah Mir and published by . This book was released on 1993 with total page 176 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'objectif de ce travail est d'apporter une contribution à l'étude des mécanismes de création des défauts dans les structures MOS (métal oxyde semiconducteur). Nous avons analysé la génération des défauts à l'interface silicium-oxyde de silicium (si-sio2) et dans les oxydes de grille (sio2) épais (>30 nm) et minces (

Download or read book STRUCTURES ET DEFAUTS DE L INTERFACE SI SIO 2 written by JEAN-LOUIS.. CANTIN and published by . This book was released on 1997 with total page 298 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ETUDE DES DEFAUTS INTRINSEQUES DES INTERFACES SI/SIO#2 EST PRIMORDIALE POUR L'AMELIORATION DES PERFORMANCES DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET PERMET D'OBTENIR DES INFORMATIONS SUR LA STRUCTURE MICROSCOPIQUE, TOUJOURS MAL CONNUE, DE CES INTERFACES. CES DEFAUTS SONT DES LIAISONS PENDANTES DE SILICIUM, NOMMEES P#B A L'INTERFACE ORIENTEE (111), ET P#B#0 ET P#B#1 A L'INTERFACE (001). NOUS LES AVONS ETUDIES PAR RESONANCE PARAMAGNETIQUE ELECTRONIQUE (RPE) EN TIRANT AVANTAGE DE LA GRANDE SURFACE INTERNE DEVELOPPEE DANS LES COUCHES DE SILICIUM POREUX SUR LESQUELLES NOUS AVONS ELABORE DES OXYDES NATIFS, ANODIQUES ET THERMIQUES ULTRA MINCES CARACTERISES PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE. NOS RESULTATS CONFIRMENT QUE LE CENTRE P#B EST UNE LIAISON PENDANTE SUR UN SILICIUM INTERFACIAL NON LIE A L'OXYDE. NOUS MONTRONS QUE CE CENTRE EST IDENTIQUE AU DEFAUT P#B#0 LORSQU'IL EST SITUE A L'INTERFACE AVEC LE MEME TYPE D'OXYDE. NOUS PRESENTONS LA PREMIERE ETUDE RPE DETAILLEE DU DEFAUT SPECIFIQUE DES INTERFACES (001), P#B#1, CORRELEE PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS ; NOS RESULTATS PRIVILEGIENT UN MODELE DE LIAISON PENDANTE SITUEE SUR UN DIMERE SI-SI A L'INTERFACE (001). NOUS AVONS CONFIRME CES RESULTATS EN EFFECTUANT LES PREMIERES MESURES RPE EN BANDE Q. NOUS AVONS UTILISE CES DEFAUTS COMME SONDES DE LA STRUCTURE MICROSCOPIQUE DES INTERFACES EN ETUDIANT LEURS INTERACTIONS HYPERFINES AVEC LES NOYAUX #2#9SI ET #1#7O DE LEUR ENVIRONNEMENT ET EN EXAMINANT COMMENT LEURS STRUCTURES S'INSERENT DANS LES TOPOLOGIES INTERFACIALES PROPOSEES DANS LA LITTERATURE. NOUS AVONS CORRELE L'EVOLUTION DE LEURS DENSITES EN FONCTION DES CONDITIONS D'OXYDATION AVEC LES DISTRIBUTIONS DE SOUS OXYDES DE SILICIUM A L'INTERFACE ; NOUS INTERPRETONS NOS RESULTATS PAR UNE RELAXATION STRUCTURALE DE LA SILICE. GRACE AUX SUPPORTS POREUX, NOUS AVONS DETECTE DES DEFAUTS DE VOLUME DANS DES COUCHES D'OXYDE THERMIQUE DE SEULEMENT 20A A 40A D'EPAISSEUR ; LA SIGNATURE RPE DE CES DEFAUTS REVELE QUE CES OXYDES, FORMES A 1000C, SONT AMORPHES.

Download or read book Contribution la caract risation des interfaces silice silicium au moyen des propri t s des structures M O S written by Pierre Vielcanet and published by . This book was released on 1971 with total page 76 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Caracterisation de l interface Silicium amorphe Nitrure de silicium et etude de structures Metal a SiN H a Si H pour l application en capteurs d images written by Marie-Christine Habrard and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt:

Download or read book Etude des d fauts lectriquement actifs dans les couches minces 150 de SiO2 par photo mission interne written by Yaya Sangare and published by . This book was released on 1991 with total page 298 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE TRAVAIL PRESENTE PORTE SUR LA CARACTERISATION DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS DANS LE VOLUME DE L'OXYDE ET AUX INTERFACES DE STRUCTURES M.O.S., REALISEES SUR DU SILICIUM OXYDE THERMIQUEMENT, AVEC 150 A D'OXYDE. DES COUCHES MINCES METALLIQUES DE CHROME ONT ETE DEPOSEES SUR L'OXYDE SOUS FORME D'ELECTRODES (GRILLES) SEMITRANSPARENTES AFIN DE POUVOIR INJECTER, PAR PHOTOEMISSION INTERNE, DES PORTEURS DANS L'OXYDE ET SIMULER AINSI LES PHENOMENES DE VIEILLISSEMENT DES DISPOSITIFS M.O.S. NOUS AVONS OBSERVE DES MODIFICATIONS IMPORTANTES DE L'ETAT DE CHARGE DE L'OXYDE ET DES INTERFACES SOUS L'EFFET DE L'IRRADIATION UV. CES MODIFICATIONS DEPENDENT PEU DE LA POLARISATION APPLIQUEE A LA STRUCTURE ET VARIENT EN FONCTION DE L'ENERGIE H DES PHOTONS INCIDENTS, DU DOPAGE ET DES RECUITS. L'EXPLOITATION DES CARACTERISTIQUES C(V) ET PHOTO I(V) AU MOYEN DE MODELES THEORIQUES, ADAPTES AUX FAIBLES EPAISSEURS D'OXYDES, A MONTRE QUE L'IRRADIATION PAR DES PHOTONS DE 4 A 5 EV DIMINUE LA CHARGE MOYENNE DANS L'OXYDE MAIS S'ACCOMPAGNE DE LA CREATION DE DEFAUTS D'INTERFACE EN QUANTITE SUPERIEURE, POUVANT ATTEINDRE 10#1#2 PIEGES/CM#2. CET EFFET DIMINUE CONSIDERABLEMENT LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES SUR DES OXYDES IRRADIES

Download or read book CROISSANCE ET CARACTERISATION DE FILMS ULTRA MINCES D OXYDES DE SILICIUM FORMES SOUS BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE EN SURFACE DU SILICIUM 100 written by BENAFGOUI.. SEFSAF and published by . This book was released on 1989 with total page pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE GENERAL DES RECHERCHES RELATIVES A LA PHYSICOCHIMIE DES SURFACES ET INTERFACES DU SILICIUM. L'APPROCHE PRIVILEGIEES EST D'ACCEDER A UNE NOUVELLE CONNAISSANCE DE LEUR STRUCTURE ELECTRONIQUE ET DES LIAISONS CHIMIQUES MISES EN JEU. L'OBJECTIF DE L'ETUDE PLUS SPECIFIQUEMENT, PAR ANALYSE AUGER ET SPECTROSCOPIE DE PERTES, L'INFLUENCE DU BOMBARDEMENT ELECTRONIQUE SUR L'OXYDATION DE LA FACE (100) DU SILICIUM MONOCRISTALLIN, A TEMPERATURE AMBIANTE. AU-DELA LA CARACTERISATION DU MODE DE FORMATION DE L'INTERFACE SI-SIO#2, LA QUESTION PRINCIPALE CONCERNE LA POSSIBILITE D'UTILISER DE TELS OXYDES ULTRA-MINCES DANS L'ELABORATION DE STRUCTURES DU TYPE POS. PLUSIEURS CONCLUSIONS SE DEGAGENT DE CE TRAVAIL. LA PREMIERE EST UNE CONFIRMATION DE L'EFFICACITE DES ELECTRONS DANS LE PROCESSUS D'OXYDATION ET DU ROLE DETERMINANT DES SECONDAIRES. APRES QUE L'INFLUENCE DES DIFFERENTS PARAMETRES EXPERIMENTAUX AIT ETE ANALYSEE, LA MISE EN UVRE CONJOINTE DE L'AES ET DE L'ELS PERMET DE DECRIRE L'OXYDE FORME EN SURFACE DE SI (100) COMME UNE SILICE PROBABLEMENT DESORDONNEE AVEC UNE COUCHE D'INTERFACE FORMEE D'UN MELANGE D'ENTITES SIO#X SOUS-STOECHIOMETRIQUES EN CONFORMITE AVEC UN MODELE RBM (RANDOM BONDING MODEL). ENFIN, L'ETUDE DE LA CROISSANCE DU COBALT, A TEMPERATURE AMBIANTE, SUR CET OXYDE ELECTRONIQUE ET EN MODE THERMIQUE D'EPAISSEUR EQUIVALENTE MET EN EVIDENCE UNE MOINS BONNE TENUE DE L'OXYDE ELECTRONIQUE DEVANT LA POSSIBILITE DE DIFFUSION DU METAL

Download or read book DISCUSSIONS ET MISES EN OEUVRE DES METHODES DE CARACTERISATION DES DEFAUTS DE SEMICONDUCTEURS written by ABDELLATIF.. MENKASSI and published by . This book was released on 1993 with total page 214 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: NOUS METTONS EN UVRE LES METHODES DE CARACTERISATION DES DEFAUTS DES SEMICONDUCTEURS A NIVEAUX D'ENERGIE DISCRETS OU A DENSITE D'ETATS G(E). CES METHODES ANALYSENT LE TRANSITOIRE DE CAPACITE D'UNE DIODE A JONCTION SILICIUM POLYCRISTALLIN-SILICIUM MONOCRISTALLIN OU D'UNE DIODE MOS DONT LA COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN EST SITUEE ENTRE L'OXYDE ET LE SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN. NOUS RAPPELONS ET EXPOSONS LA MISE EN UVRE DES METHODES FTDLTS (FOURIER TRANSFORM DEEP LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY) ET DE PROVENCHER POUR LA CARACTERISATION DES DEUX TYPES DE DEFAUTS PRECEDENTS. L'ANALYSE D'UN SIGNAL BI-EXPONENTIEL SYNTHETISE ET L'ANALYSE DE TRANSITOIRES DE CAPACITE D'UNE DIODE SCHOTTKY FAITE SUR DU GAAS IMPLANTE EN OXYGENE, MONTRE LA SUPERIORITE DE LA METHODE DE PROVENCHER SUR LA FTDLTS POUR CARACTERISER LES DEFAUTS A NIVEAUX D'ENERGIE DISCRETS. CETTE SUPERIORITE EST ENCORE VRAIE POUR DES SIGNAUX PRODUITS PAR UNE DENSITE D'ETATS REPARTIE DANS UN FAIBLE DOMAINE D'ENERGIE. MAIS C'EST LE CONTRAIRE DANS LE CAS D'UNE LARGE REPARTITION. A PARTIR DES TRANSITOIRES DE CAPACITE D'UNE JONCTION SILICIUM POLYCRISTALLIN-SILICIUM MONOCRISTALLIN, NOUS OBTENONS UNE DENSITE D'ETATS AYANT UN MAXIMUM A 0,34 EV ET UN MINIMUM A 0,26 EV AU-DESSOUS DE LA BANDE DE CONDUCTION. LA DENSITE D'ETATS G(E) DU SILICIUM POLYCRISTALLIN DE LA DIODE MOS EST DETERMINEE PAR LES METHODES FTDLTS, DE LANG ET EGALEMENT PAR LA METHODE C(V) DE DETERMINATION DE DENSITE DES ETATS D'INTERFACE QUE NOUS AVONS DEVELOPPEE. LES DENSITES OBTENUES PAR LES TROIS METHODES SONT SENSIBLEMENT LES MEMES, MAIS DIFFERENT DE LA VALEUR OBTENUE POUR LA DIODE A JONCTION. NOUS AVONS AUTOMATISE LA METHODE DE FORTUNATO POUR LA DETERMINATION DE G(E) DU SILICIUM POLYCRISTALLIN DU CANAL D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP. DANS L'INTERVALLE 70-130 NM. LES VALEURS DE G(E) OBTENUES SONT INDEPENDANTES DE L'EPAISSEUR ET VARIENT PEU AVEC LE DOPAGE QUE DU SILICIUM POLYCRISTALLIN DU CANAL

Download or read book ETUDE PAR SPECTROSCOPIE D ELECTRONS LENTS DES PREMIERES ETAPES DE L OXYDATION DU SILICIUM 100 written by Bruno Vilotitch and published by . This book was released on 1984 with total page 107 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: MISE AU POINT D'UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT PERMETTANT DES OPERATIONS D'OXYDATION THERMIQUE SOUS BASSE PRESSION ET DE METALLISATION SANS REMISE A L'AIR DE L'ECHANTILLON. CARACTERISATION PAR SPECTROMETRIE AUGER APRES CHAQUE ETAPE. ETUDE DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE PAR DES PRESSIONS DE 10::(-4) A 10::(-1) TORR ET POUR DES TEMPERATURES DE 550 A 750 **(O)C. OBTENTION DE COUCHES DE 10 A 50A DEPAISSEUR, L'EPAISSEUR DE LA ZONE DE TRANSITION SI-SIO::(2) NE DEPASSANT PAS 5A. CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DES STRUCTURES

Download or read book PROPRIETES STRUCTURALES ET ELECTRONIQUES A L INTERFACE SILICIUM SILICE written by ANTONIO.. CORREIA and published by . This book was released on 1993 with total page 192 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'OXYDATION THERMIQUE D'UNE SURFACE DE SILICIUM POLIE MECANIQUEMENT PRODUIT DES FAUTES D'EMPILEMENT A L'INTERFACE DONT LES DISLOCATIONS PARTIELLES SONT DECOREES PAR DU SILICIURE DE CUIVRE DANS UN SILICIUM FUSION DE ZONE ET PAR DE L'OXYGENE DANS UN SILICIUM CZOCHRALSKI. L'OXYDATION D'UNE SURFACE POLIE MECANOCHIMIQUEMENT (SUPPRESSION DE LA ZONE ECROUIE) GENERE DES RESEAUX DE DISLOCATIONS QUI PEUVENT SERVIR DE SITES DE NUCLEATION A DES COLONIES DE CUIVRE. ON N'OBSERVE JAMAIS DE CO-PRECIPITATION D'OXYGENE ET DE METAUX. LA MICROSTRUCTURE DE CES DEFAUTS DETERMINE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'INTERFACE SILICIUM-SILICE. A PARTIR DES RESULTATS DE CARACTERISATION STRUCTURALE ET PHYSICO-CHIMIQUE DE L'INTERACTION DEFAUT-IMPURETE D'UNE PART, ET DES RESULTATS ELECTRIQUES (LONGUEUR DE DIFFUSION ET VITESSE DE RECOMBINAISON SUPERFICIELLE DES PORTEURS DE CHARGE MINORITAIRES) D'AUTRE PART, ON ANALYSE LE ROLE DES FAUTES D'EMPILEMENT, DES DISLOCATIONS, DE LA SEGREGATION D'OXYGENE OU DE SILICIURE DE CUIVRE SUR LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE L'INTERFACE SILICIUM/SILICE. ON EVALUE AINSI L'EFFICACITE DE L'OXYDATION THERMIQUE EN TANT QUE PROCEDE D'AMELIORATION DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES COUCHES SUPERFICIELLES DU SILICIUM

Download or read book ETUDE DES FACES VICINALES DU SILICIUM 100 ET DE LEUR OXYDATION written by Yassine Bensalah and published by . This book was released on 1988 with total page 140 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE DES FACES VICINALES DE SI(100) DESORIENTEES DANS LA DIRECTION 011 POUR LES ANGLES COMPRIS ENTRE 0 ET 14 NON=, DE LEUR OXYDATION ET DE LA NATURE DES INTERFACES SIO::(2)/SI. CARACTERISATION DES SURFACES PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS LENTS. COMPARAISON ENTRE L'OXYDATION THERMIQUE SOUS PRESSION ATMOSPHERIQUE, L'OXYDATION SOUS FAIBLE PRESSION D'OXYGENE ET L'OXYDATION ASSISTEE PAR FAISCEAU ELECTRONIQUE A TEMPERATURE AMBIANTE. CARACTERE ABRUPT DE L'INTERFACE SIO::(2)/SI MEME DANS LE CAS DES SURFACES VICINALES

Download or read book ETUDE ELECTRIQUE DE L INTERFACE SIO written by Hamid Toutah and published by . This book was released on 1985 with total page 7 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: ETUDE PAR ELLIPSOMETRIE DES DEFAUTS CREES PAR IMPLANTATION IONIQUE DANS LES COUCHES DE SILICE THERMIQUE ET DES EFFETS DU RECUIT THERMIQUE A DES TEMPERATURES SE SITUANT DANS LA GAMME 400-800**(O)C. PAR AILLEURS, CARACTERISTIQUES DES STRUCTURES AL-SIO::(2)-SI (TYPE N) AVEC DE FAIBLES EPAISSEURS D'OXYDE (100-300 A) OBTENUES PAR DIFFERENTS PROCESSUS TECHNOLOGIQUES. AINSI, DES MESURES DES COURANTS DE FUITE, DE LA CAPACITE C::(M)(V) ET DE LA CONDUCTANCE G::(M)(V) ONT ETE FAITES. L'EXPLOITATION DES COURBES EXPERIMENTALES C::(M)(V) A PERMIS DE DETERMINER PLUSIEURS PARAMETRES PHYSIQUES DE L'INTERFACE SI-SIO::(2) TELS QUE LA DENSITE DES ETATS D'INTERFACE N::(SS)(E), LA SECTION DE CAPTURE SIGMA ::(N)(E), LA DENSITE DES PIEGES DANS L'OXYDE N::(T)(E) ET LEUR PROFONDEUR DE DISTRIBUTION DANS L'OXYDE DEPUIS L'INTERFACE

Download or read book CONTRIBUTION A LA MISE AU POINT DE METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DE L INTERFACE SILICIUM CORINDON written by CHOUJAA ABDELKRIM. and published by . This book was released on 1977 with total page 61 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'IDEE DE REALISER DES CIRCUITS RAPIDES SUR FILM MINCE DE SILICIUM SUR SUBSTRAT ISOLANT (CORINDON OU SPINELLE) EST TRES ANCIENNE. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE DETERMINER DES METHODES NOUVELLES DE CARACTERISATION DE L'INTERFACE SI-CORINDON: PRINCIPALES DIFFICULTES RENCONTREES DANS LA CARACTERISATION DE LA COUCHE MINCE DE SI EPITAXIE SUR CORINDON ET DE L'INTERFACE SI-CORINDON, METHODE (IV) HAUTE TENSION ADAPTEE AUX STRUCTURES METAL-CORINDON-SILICIUM, METHODE NOUVELLE DE CARACTERISATION FONDEE SUR L'ETUDE DES PHENOMENES DE FLUCTUATION DANS LES TRANSISTORS MOS/CORINDON. ON PRECISE LES PHENOMENES PHYSIQUES QUI JOUENT LE ROLE FONDAMENTAL DANS LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE L'INTERFACE SI-CORINDON.

Download or read book ANALYSE ET CARACTERISATION D INTERFACES SILICIUM POLYCRISTALLIN DIOXYDE DE SILICIUM POUR DES APPLICATIONS A DES CAPACITES ET DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES written by ANNE-CLAIRE.. SALAUN MICHEL and published by . This book was released on 1996 with total page 164 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: CE TRAVAIL EST CONSACRE AUX DISPOSITIFS DE TYPE MOS REALISES EN TECHNOLOGIE BASSE TEMPERATURE (00C) ET TECHNOLOGIE MOYENNE TEMPERATURE (50C) ET METTANT EN JEU DES COUCHES MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. DES CAPACITES MOPS (METAL-OXYDE-POLYSILICIUM-SILICIUM) SONT REALISEES ET CARACTERISEES ELECTRIQUEMENT PAR C(V). UN MODELE SPECIFIQUE REPOSANT SUR LE CALCUL DE LA CAPACITE, A PARTIR DE LA RESOLUTION BIDIMENSIONNELLE DE L'EQUATION DE POISSON A ETE MIS AU POINT, EN PRENANT EN COMPTE LA STRUCTURE POLYCRISTALLINE IDEALISEE. A PARTIR DE CE MODELE, IL EST POSSIBLE DE DISTINGUER LES DISTRIBUTIONS DE PIEGES A L'INTERFACE ET AUX JOINTS DE GRAINS. DIFFERENTES PRESSIONS DE DEPOT ET TECHNIQUES DE CRISTALLISATION DE LA COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ONT PU ETRE COMPAREES GRACE A CET OUTIL. ON MONTRE AINSI QUE LES COUCHES DE SILICIUM DEPOSEES A 550C ET 90 PA ET CRISTALLISEES DIRECTEMENT PENDANT L'OXYDATION A 950C PERMETTENT D'OBTENIR LA MOINS GRANDE DENSITE DE PIEGES AUX JOINTS DE GRAINS (1X10#1#8 CM#-#3.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE) AINSI QU'UNE INTERFACE SI-POLY/OXYDE DE MEILLEURE QUALITE (D#I#T=1X10#1#2 CM#-#2.EV#-#1 AU MILIEU DE LA BANDE INTERDITE). LES CONCLUSIONS PRECEDENTES SONT CONFIRMEES PAR LES PERFORMANCES DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TFT). DE PLUS, LE BON FONCTIONNEMENT DE CES TRANSISTORS JUSQU'A 300C PERMET D'ENVISAGER L'INTEGRATION DE CES TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN DANS LES CIRCUITS DE PETITE PUISSANCE INTELLIGENTE DE TYPE SMART-POWER

Download or read book Formation et caract risation du carbure de silicium l interface carbone silice written by Isabelle Alix and published by . This book was released on 1999 with total page 181 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'étude dynamique de la formation du carbure de silicium (SiC) est réalisée à partir d'interface carbone/silice. Ces multimatériaux précurseurs à SiC sont obtenus en réalisant un revêtement de silice par la méthode sol-gel sur des fibres de carbone de propriétés structurales, superficielles et morphologiques différents. La cinétique de la réaction de carbothermie de 1300 à 1600°C est gouvernée par deux régimes distincts. L'influence de l'ordre structural de surface du substrat carboné est plus particulièrement précisée sur ce mécanisme à travers la notion de sites actifs. Le premier régime est caractéristique d'une réactivité interfaciale directe entre le carbone et la silice. Les sites actifs du carbone gouvernent sa réactivité dans la réaction hétérogène de formation de SiC, et leur qualité a une influence sur la taille des nodules de SiC formés à l'interface. Le deuxième régime met en oeuvre la réaction interfaciale SiC/SiO2 qui conduit à la formation du monoxyde de silicium gazeux intermédiaire (SiO). La cinétique est alors principalement gouvernée par la diffusion de SiO à travers le revêtement du SiC microfissuré jusqu'à la surface du carbone où la réaction se poursuit. Au cours de ce régime, la présence de silice entre les nodules de SiC Freine la diffusion de SiO à l'interface et empêche leur croissance par effet de couche de diffusion. Par ailleurs, l'intervention de SiC dans ce mécanisme engendre l'apparition de défauts structuraux dans l'épaisseur , tandis que l'ordre structural et la texture de SiC formé à l'interface C/SiC sont liés en continu à l'évolution des propriétés superficielles du carbone au cours de sa consommation. Ainsi, l'utilisation de substrats carbonés de propriétés de surface spécifiques associée à la connaissance de ces deux régimes réactionnels pourra à l'avenir être mise à profit sur l'élaboration de matériaux en SiC de structure et texture bien contrôlées.

Download or read book CONTRIBUTION A L AMELIORATION DES METHODES DE CARACTERISATION ELECTRIQUE DES MATERIAUX SILICIUM SUR ISOLANT SOI written by STEPHANE.. HENAUX and published by . This book was released on 1998 with total page 203 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: L'ESSOR ACTUEL DES TECHNOLOGIES SOI EST LIE A LA PRODUCTION D'UN MATERIAU DE DEPART DE QUALITE, DONT LE JUGE FINAL EST LE COMPORTEMENT ELECTRIQUE DES CIRCUITS INTEGRES. CETTE THESE DECRIT DES AMELIORATIONS ET DE NOUVELLES IDEES POUR L'EVALUATION DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES MATERIAUX SOI. LES METHODES PRESENTEES SONT APPLIQUEES EN PRIORITE AU NOUVEAU MATERIAU UNIBOND. NOUS DONNONS D'ABORD UNE VUE D'ENSEMBLE DES TECHNOLOGIES SOI ET DES METHODES DE CARACTERISATION DISPONIBLES. NOUS EXPOSONS ENSUITE NOTRE CONTRIBUTION EN COMMENCANT PAR LA MESURE ELECTRIQUE D'EPAISSEUR DU FILM DE SILICIUM DANS UN DISPOSITIF MOS, POUR LAQUELLE NOUS PROPOSONS UNE EXTENSION D'UNE METHODE EXISTANTE. LA DUREE DE VIE DES PORTEURS DANS LE FILM DE SILICIUM EST ENSUITE ETUDIEE PAR LES TECHNIQUES RECENTES DES TRANSITOIRES DE COURANT DE DRAIN DANS DES TRANSISTORS MOS. NOUS MONTRONS LA NECESSITE D'UNE APPROCHE STATISTIQUE POUR COMPARER ENTRE EUX DIVERS MATERIAUX SOI. NOUS PRESENTONS ENSUITE DES METHODES DE CARACTERISATION RAPIDE, NE NECESSITANT PAS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS. L'OXYDE ENTERRE ET LE SUBSTRAT SILICIUM SOUS-JACENT SONT ETUDIES PAR SONDE A MERCURE, APRES ELIMINATION DU FILM DE SILICIUM PAR VOIE CHIMIQUE. POUR LA MESURE DU DOPAGE RESIDUEL DU FILM MINCE SOI, NOUS EVALUONS LES POSSIBILITES DU PSEUDO-TRANSISTOR MOS. NOUS PROPOSONS PAR AILLEURS UNE NOUVELLE METHODE POUR DETERMINER TRES RAPIDEMENT ET SANS AMBIGUITE LE TYPE, APPLICABLE AUX TRES FAIBLES DOPAGES. LA DERNIERE PARTIE EST CONSACREE A L'OXYDE DE GRILLE DES TECHNOLOGIES MOS-SOI. UNE ETUDE EN TIME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN SUR DISPOSITIFS MOS NOUS PERMET DE MONTRER QUE LE COMPORTEMENT EN CLAQUAGE INTRINSEQUE EST IDENTIQUE SUR SOI ET SUR SILICIUM MASSIF. POUR S'AFFRANCHIR DU COUT ET DE LA LONGUEUR D'UNE TELLE ETUDE, NOUS PROPOSONS UNE NOUVELLE METHODE SIMPLE DE CARACTERISATION D'OXYDE DE GRILLE SUR SOI, NE NECESSITANT PAS D'AUTRE ETAPE TECHNOLOGIQUE QUE LA REALISATION DE L'OXYDE LUI-MEME.

Download or read book Etude des d fauts induits par recuit laser excim re dans le silicium written by Richard Monflier and published by . This book was released on 2019 with total page 139 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.