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Book APPLICATION DE LA TECHNIQUE DE PHOTOREFLECTIVITE A LA CARACTERISATION DE MICROCAVITES SEMICONDUCTRICES

Download or read book APPLICATION DE LA TECHNIQUE DE PHOTOREFLECTIVITE A LA CARACTERISATION DE MICROCAVITES SEMICONDUCTRICES written by PIERRE-DAMIEN.. BERGER and published by . This book was released on 1997 with total page 141 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: LE BUT DE CE TRAVAIL A ETE DE CARACTERISER OPTIQUEMENT DES STRUCTURES DE MICROCAVITE REALISEES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES A BASE DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS III-V. NOUS UTILISONS LA PHOTOREFLECTIVITE, METHODE DE SPECTROMETRIE DE MODULATION OPTIQUE, POUR CARACTERISER CES STRUCTURES. CETTE TECHNIQUE PERMET DE MESURER LA POSITION DU MODE DE LA CAVITE FABRY-PEROT PAR RAPPORT AU NIVEAU FONDAMENTAL DES PUITS QUANTIQUES, MEME LORSQUE CETTE TRANSITION SE TROUVE MASQUEE PAR LE FORT COEFFICIENT DE REFLECTIVITE. DE PLUS, LES SPECTRES DE PHOTOREFLECTIVITE PERMETTENT D'OBTENIR LA COMPOSITION DE L'ALLIAGE TERNAIRE DE LA CAVITE, LA VALEUR DU CHAMP ELECTRIQUE INTERNE, L'EPAISSEUR DES PUITS QUANTIQUES. CES RESULTATS OFFRENT AINSI LA POSSIBILITE DE CALIBRER LES PARAMETRES DE CROISSANCE. DANS LE CADRE D'UN PROJET AVEC LE CEA/LETI, NOUS AVONS COMPLETE UN PROGRAMME DE SIMULATION CONCERNANT L'INFLUENCE DE LA COUCHE ACTIVE DES STRUCTURES SUR LA REFLECTIVITE. NOUS AVONS MODELISE L'INDICE COMPLEXE DES PUITS QUANTIQUES EN NE TENANT COMPTE QUE DE LA CONTRIBUTION EXCITONIQUE POUR LAQUELLE NOUS AVONS APPROXIME LA FONCTION D'ONDE AU NIVEAU DES PUITS QUANTIQUES PAR UNE FONCTION LORENTZIENNE. NOUS INCLUONS AUSSI L'EFFET DU CHAMP ELECTRIQUE QUI MODIFIE L'ENERGIE DE LA TRANSITION QUANTIQUE PAR EFFET STARK. EN FAISANT EVOLUER LES TRANSITIONS L'UNE PAR RAPPORT A L'AUTRE, NOUS METTONS EN EVIDENCE UN PHENOMENE D'ANTICROISEMENT ENTRE LES ETATS EXCITONIQUES ET PHOTONIQUES, CARACTERISTIQUE DU REGIME DE COUPLAGE. A LA RESONANCE, LE SYSTEME OSCILLE ENTRE CHACUN DE CES ETATS. NOUS AVONS ETUDIE UNE STRUCTURE VCSEL (GAAS/ALGAAS) PRESENTANT UN REGIME DE COUPLAGE FAIBLE AVEC UNE ENERGIE DE SEPARATION DE 3.2MEV EN ACCORD AVEC LES RESULTATS DE SIMULATION. NOUS AVONS EGALEMENT OBSERVE UN REGIME DE COUPLAGE FORT SUR UNE STRUCTURE DE MICROCAVITE (INGAAS/ALGAAS/GAAS) AVEC = 8.2MEV.